1. 举出三种只读存储器的名称并简述其主要特点。
答：(1). 可编程rom(prom)：只能进行一次性写入**，由用户自行制作。
2). 可紫外线擦除编程rom(eprom)：经紫外线照射擦除后，可多次写入**。
3). 电可擦除可编程rom(eeprom)：分为并行和串行操作芯片，可直接改写**，但写入时的速度要比sram慢许多。
2. 分别指出sram和dram各自的特性。
静态ram(sram)：功耗大，不须配置刷新电路，单片机中常用。
动态ram(dram)：功耗低，但须配置刷新电路，单片机中不用。
3. 叙述两种双口ram各自的性能。
双口ram：供两个cpu共同使用，两个口都可以读写，但须异步读写。
先进先出 ram：另一种双口ram，数据单向传输，一个口写入，另一个口读出，可以同步读写。
4. 简述cpu执行movx a，@dptr的过程。(读外部ram)
. dpl的值送到p0口，dph的值送到p2口，ale发出锁存的电平信号；
. rd发出“读”的电平信号，累加器a取得p0口的值。
简述cpu执行movx @dptr，a的过程。(写外部ram)
. dpl的值送到p0口，dph的值送到p2口，ale发出锁存的电平信号；
. a的值送到p0口，wr发出“写”的电平信号。
简述cpu执行movc a，@a+dptr的过程。(读程序rom)
①. dptra+dptr；
. dpl的值送到p0口，dph的值送到p2口，ale发出锁存的电平信号；
. psen发出“读”的电平信号，累加器a取得p0口的值。
5. 叙述线选法和译码法各自的性点。
1) 线选法：用p2口的一根线连接到存储器的ce端。
特点：电路简单、扩展多个芯片的地址难于连续、浪费了地址空间。
2) 译码法：用p2口的几根线通过译码器连接到各个存储器的ce端。
特点：须加译码芯片、扩展多个芯片的地址可以连续、充分利用了地址空间。
6.单片机对外部数据存储器读和写控制的信号线是 rd 和 wr 。
7.单片机对eeprom存储器的读选通信号控制线是 rd 与 psen 。
8.单片机扩展存储器的片选控制方法有线选法和译码法。
9. 对p154页的图7-11，如果要求地址是连续的且从0000h开始，该如何连接？
请画出连接简图(不用译码法)。注：课件中的例题没有要求地址是从0000h开始，请对比。
8051a14 ce 2732 a0~a11 4000h~4fffh
p2.5a13 ce 2764(1) a0~a12 2000h~3fffh
p2.6p2.7 or ce 2764(2) a0~a12 0000h~1fffh
10. 画出下列存储器扩展芯片与cpu读写控制总线的连接。
oe sram
8051we
rdoe eprom
wr and
psenoe eeprom
we 11. 当eeprom存储器既作为程序存储器又同时作为数据存储器使用时，既然用movx指令已能进行读/写操作了，为何还要求同时能用movc进行读的操作？
答：由于作为程序存储器是存放指令的，cpu执行指令时须先读取指令，用的是psen控制线。
要求eeprom能用movc进行读的操作，输出允许oe端就必须与cpu的psen端连接，也就满足了cpu读取指令的条件。
附加题： msc－51单片机已使用了片内的4k(0000h~0fffh)程序存储器(ea=0)，由于程序大于4k，须扩展一块2764的rom，如果要使2764的地址从0000h~1fffh改变为1000h~2fffh，与片内的程序地址接续，这样才不会浪费重叠的存储器空间，请画出存储器扩展芯片rom(ce、oe、a0~a12)与cpu总线(ea、psen、p0、p2)的连接简图。
alele思考：如果是2732存储器芯片该如何连接？
p0.0~p0.7373
oe 2764
8051a0~a7
q0~q7
p2.0~p2.3a8~a11
p2.4a12
p2.5 or ce
psenoe5vea
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