黑龙江省专业技术人员继续教育知识更新培训。
化工专业2023年作业。
说明：初级职称学员“专业课作业一”为第1-8题；“专业课作业二”为9-16题。
中、高级职称学员“专业课作业”为17-26题；同时提交左右“学习心得”一篇。
17. 纯净底物表面当有气体吸附时后，对底物表面结构将产生不同程度和不同类型的影响。现将这些影响大致归纳为三个方面：
1）（ 改变z轴伸缩。
2）（ 本征的表面重组发生改变和破坏。
3）（ 诱导表面重组及发生化学反应。
18. 化学吸附与物理吸附异同。
19. ta1钛基体生长二氧化钛纳米管阵列的影响因素有（ 钛片酸洗抛光处理及酸浓度对tio2纳米管形貌影响 ），氧化时间的影响 ），电压的影响 ）和（ 煅烧温度对tio2纳米管的影响 ）。
20. 煅烧温度对ta1钛合金表面生长的二氧化钛纳米管阵列晶相组成有很大的影响，实验表明未经煅烧的膜层为（ 透明的青黄色 ），当煅烧温度在300时膜层为锐，400c煅烧后膜层为（ 颜色逐渐加深 ），当煅烧温度升高到500c时，膜层为（ 灰白色 ）。
21. ta1钛合金表面生长的二氧化钛纳米管阵列时，氧化时间为1min时，膜层表面呈现出（ 不规则的凹槽状形貌 ），膜层厚度在（ 100nm ）左右，氧化时间增加到30min时，膜层表现出（ 纳米管结构 ），管长约为（ 450nm ）左右，氧化时间增加到90min时，（ 纳米管的孔径 ）与30min相比变化不大，同时管长继续增加到（ 700nm ）左右，继续增加氧化时间，纳米管的管长变化基本维持不变，表明tio2纳米管的溶解速度与生长速度达到平衡。
21. 实验表明通过溶剂热法制备了tio2纳米管阵列负载硫化铟锌系固溶体，研究表明tio2纳米管阵列与zns-in2s3和zns-in2s3-ag2s硫化物固溶体之间存在界面键合作用：tio2纳米管阵列与zns-in2s3界面间是通过（ zn-o-ti和in-o-t ）键合生成zn-o-ti和in-o-ti键，而zns-in2s3-ag2s固溶体与tio2纳米管界面之间通过（ s-ti-o ）键合生成s-ti-o键。
22. 三元硫化物固溶体与tio2纳米管阵列通过固溶体阴离子键合，其吸收边红移大，比较cu2+、ni2+和ag+三种离子与zns-in2s3制备三元固溶体，在固溶体与tio2纳米管界面之间同样存在s-ti-o键，但是相同摩尔量的不同离子与in2s3-zns 形成的固溶体的吸收带边红移程度不同，其顺序为（ cu2+ ＞ag+ ＞ni2+ ）
23. 气体化学吸附形成共吸附的表面结构时，一般要求两个被吸附的气体具有大致相等的（ 吸附强度 ）。
24. 超晶格是指（ 固溶体发生有序化转变后不同种原子在晶格中呈有秩序排列的晶体结构 ），一般分为（ 组分超晶体 ）（掺杂超晶体 ）（多维超晶体 ）和（ 应变超晶体 ）四类。
25. 目前半导体键合技术有（ 热键合技术 ）（静电键合技术 ）（低温真空键合技术 ）（薄膜直接键合技术 ）和（ 粘合键合技术 ）五大类。
26. 半导体键合界面空洞形成的主要原因有（ 表面平整度 ）（粒子玷污 ）和（ 表面挥发物质 ）
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