拓扑密堆结构：满足高配位数和密堆积要求所决定的晶体结构。
肖脱基缺陷：由一对正负离子空位构成的点缺陷。
弗兰克尔缺陷：由一个离子空位与一个同类填隙离子构成的点缺陷。
表面重构：表现为表面超结构的出现，即晶体平移对称周期，和晶胞基矢成倍扩大的结构状态。最常见超结构，缺列型重构，重组型重构。
反相畴界：相邻区域间有一非点阵平移，虽仍保持共格，只在界面处由正常的配对状态转变为非正常配对状态，这种界面叫做~
费伽定理：a=a1+(1-x)a2 a1是溶剂原子晶格常数，a2是溶质原子晶格常数，x是溶质原子含量。
逾渗：存在一个临界阈值，超过它方能产生气体的渗透，这种现象称为~
电子化合物：价电子浓度决定化合物结构的一类化合物。
准晶：具有准周期平移格子构造的固体，其中的原子常呈定向有序排列，但不作周期性平移重复，其对称要素包含与晶体空间格子不相容的对称。
液晶：分子取向为长程无序，从而呈现物理性质的各向异性，形成一种兼有部分晶体和液体性质的中间状态。
半共格相界： 界面处失配通过驰豫使错配局限于配位错处，其余大部分区域仅有甚小弹性畴变者称半共格相界。
共格相界：相界中界面完全有序，两相完全匹配称为~
色群 :超出空间群的对称群称为色群。
表面驰豫：表现在晶体结构基本相同，但点阵参数略有差异，特别是在表面与其下少数几个原子层间距的变化上，即法向驰豫。
柯氏气团：为降低位错与溶质原子间交互作用，溶质原子将聚集到位错线核心区附近形成柯氏气团。
楔形向错：绕圆盘轴旋转而成的线缺陷。
扭转向错：绕与圆盘轴垂直的轴旋转而成的线缺陷。
拓展位错：是一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态。
超离子导电材料：有些离子材料其扩散激活能非常低，在室温下也能有很高的电导率，这类离子晶体叫做离子导电材料。
热致液晶：将熔融的液体降温，当降温到一定程度后分子的取向有序化从而获得液晶态。
准晶：非晶体学对称性的三维准周期结构，与周期性结构不相容。
色心：部分俘获电子中心或俘获空穴中心的吸收带位位于可见光范围内，使晶体呈现不同颜色，这类中心叫做色心。
位错宽度：通常以相对位移量从b/4到3b/4的区域界定位错宽度δ。
调制结构：某种局域的原子特性的周期性分布。
固溶体的基本类型：置换固溶体；填隙固溶体；缺位固溶体。
空间群：指所有宏观对称性与微观对称性的总和。
玻璃态：实质上是一种过冷液体，其结构特点是短程有序，长程无序。
单胞：两个基矢确定的平行四边形。
刃形位错：位错线与滑移方向垂直。
螺形位错：位错线与滑移方向平行。
混合型位错：位错线与滑移方向成任意角度。
表面偏析：固溶体中溶质原子在表面层产生富集的现象。
1．请计算cantor杆的分维数。
d=lnk/lnl d是维数，k是获得原来的集合对象的个数，l是放大倍数。cantor杆，尺度增加3倍，单元数只为原来的2倍，这样 d=ln2/ln3 =0.6309：
；sierpinski毯，尺度增加3倍，单元数增加了8倍，即d=ln8/ln3=1.892
2．请简要指出形成层错的几种主要途径。
1）在晶体生长中，以六方密堆积面的堆垛而生长晶体时，由于以正常和不正常顺序堆垛时的能量相差很小，偶然因素很容易造成错误堆垛而形成层错；
2）过饱和点缺陷在密排面上的聚集，在通过驰豫过程形成层错。空位聚集成盘状，通过塌陷式的驰豫形成的是抽出型层错；自填隙源于聚集成片，当然是形成插入型层错；
3）晶体塑性变形。
4．从钢球密堆模型说明密排六方晶体结构的堆垛机制。
设想在一个无限大的平面上，用一系列的圆盘排列，则最密的排列一定是六角排列。设想将原子看成互相吸引的钢球，在相互作用能最小的情况下，这些钢球倾向于密集的排列，形成所谓的密堆结构。如果密排面按ababab的排列顺序，则这个结构为密排六方结构。
5．试说明晶体为什么只有1，2，3，4，6次旋转对称。
设a，b为两个阵点，含有旋转对称，则对应b点的轴对a作旋转，可以得到a’，同样对应a的旋转轴，对b进行旋转操作，可以得到b’。因为a’b’均为阵点，则a’b’=nab,n为整数。因此n=1-2cosθ，n=-1,0,1,2,3对应的角度为0°,60°,90°,120°,180° 由此可见，晶体只有1.
2.3.4.
6次旋转对称。
6．为什么不同固溶体会出现无序、偏聚和有序等分布情况？
1，原子尺寸：当溶质原子与溶剂原子的半径差超过14-15%时，不利于固溶体的形成。
2化学亲和力：两种元素的化学亲和力越强，越容易形成稳定化合物，不易形成固溶体。3向对价效应：低价金属在**金属中有底的溶解度，**金属在低价金属中溶解度相对较好。
9、为什么高温下的合金倾向于无序相。
高温时，熵较大，自由能较小，平衡相将是无序程度大的无序相，所以……
11、高温相一般是对称性高的相的原因。
高温相是无序相，低温相是有序相，有序相的出现总是和丧失对称性联系，即低温有序相相对于高温无序相丧失了一些对称元素，因此高温相一般是对称性高的相。
15、表面能怎样决定晶体的形貌。
由于降低自由能的要求，系统将倾向于缩小其表面积，这相当于表面上任一个面元的周界上都会受到一个力的作用。在平衡状态下生长晶体时，在体自由能保持恒定的情况下，自由能极小条件可以归结为表面能极小。其平衡态是球形。
三、请指出多晶铜的多层次结构（从宏观到原子）和相应的检测方法。
最低的层次起始于晶体结构单胞，其尺寸为1nm量级（扫描电子显微镜）；高一层次即介观层次，位错为显著的结构特征，位错纠结可构成1μm米量级的位错“单胞”（x衍射实验）；在晶粒层次，材料表现为晶粒的聚集体，相邻的晶粒内晶面分开，大的晶粒可达肉眼可见的1mm量级（金相实验，光学显微镜）；而锻造的原材料本身的尺寸可达10cm（目测）。
8、产生点缺陷的方法及特点。
1)淬火，在晶体中点缺陷的热平衡随温度的下降而指数地减小；2)辐射，在金属晶体中，只有将原子由其正常位置打出来的粒子才能产生点缺陷；3)离子注入，用高能离子轰击材料将其嵌入近表面区域的一种工艺；4)非化学配比；5)塑性形变，其物理本质是晶体中错位的大量滑移。
14、扩展位错（面心立方）的产生过程。
扩展位错是一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态。位错在滑移过程中为了躲避较高能量，将滑移过程分为两步，取能量较低的方向滑移，原位错一分为二，中间形成堆垛层错进而形成拓展位错。
12、元素周期表中元素的晶体结构分布规律。
a类元素（cu、ag、au）左侧的元素大多数是面心立方、体心立方和密排立方结构。b类元素（cu、ag、au）右侧的元素晶体结构基本上决定于具有方向性的价键。靠左则的元素较复杂，多数不具有典型的晶体结构。
7．请介绍从连续介质中获得线缺陷的基本步骤及其线缺陷分类。
晶体中大量的过饱和点缺陷可以聚集成盘，空位盘相当于局部取走一层多余介质，填隙盘相当于局部填进一层介质，空位盘的崩场合填隙盘撑开两侧晶面则相当于剖面两岸的相对位移，最终形成的是位错环。如果在连续介质内部沿任意面剖开，外应力使剖面的两岸作相对位移，去除重叠部分，空隙处填以同种材料后完整地胶合起来，然后撤去外应力，则此物体必然存在内应力。
分类：位错、相错。
拓扑密堆结构：满足高配位数和密堆积要求所决定的晶体结构。
肖脱基缺陷：由一对正负离子空位构成的点缺陷。
弗兰克尔缺陷：由一个离子空位与一个同类填隙离子构成的点缺陷。
表面重构：表现为表面超结构的出现，即晶体平移对称周期，和晶胞基矢成倍扩大的结构状态。最常见超结构，缺列型重构，重组型重构。
反相畴界：相邻区域间有一非点阵平移，虽仍保持共格，只在界面处由正常的配对状态转变为非正常配对状态，这种界面叫做~
费伽定理：a=a1+(1-x)a2 a1是溶剂原子晶格常数，a2是溶质原子晶格常数，x是溶质原子含量。
逾渗：存在一个临界阈值，超过它方能产生气体的渗透，这种现象称为~
电子化合物：价电子浓度决定化合物结构的一类化合物。
准晶：具有准周期平移格子构造的固体，其中的原子常呈定向有序排列，但不作周期性平移重复，其对称要素包含与晶体空间格子不相容的对称。
液晶：分子取向为长程无序，从而呈现物理性质的各向异性，形成一种兼有部分晶体和液体性质的中间状态。
半共格相界： 界面处失配通过驰豫使错配局限于配位错处，其余大部分区域仅有甚小弹性畴变者称半共格相界。
共格相界：相界中界面完全有序，两相完全匹配称为~
色群 :超出空间群的对称群称为色群。
表面驰豫：表现在晶体结构基本相同，但点阵参数略有差异，特别是在表面与其下少数几个原子层间距的变化上，即法向驰豫。
柯氏气团：为降低位错与溶质原子间交互作用，溶质原子将聚集到位错线核心区附近形成柯氏气团。
楔形向错：绕圆盘轴旋转而成的线缺陷。
扭转向错：绕与圆盘轴垂直的轴旋转而成的线缺陷。
拓展位错：是一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态。
超离子导电材料：有些离子材料其扩散激活能非常低，在室温下也能有很高的电导率，这类离子晶体叫做离子导电材料。
热致液晶：将熔融的液体降温，当降温到一定程度后分子的取向有序化从而获得液晶态。
准晶：非晶体学对称性的三维准周期结构，与周期性结构不相容。
色心：部分俘获电子中心或俘获空穴中心的吸收带位位于可见光范围内，使晶体呈现不同颜色，这类中心叫做色心。
位错宽度：通常以相对位移量从b/4到3b/4的区域界定位错宽度δ。
调制结构：某种局域的原子特性的周期性分布。
固溶体的基本类型：置换固溶体；填隙固溶体；缺位固溶体。
空间群：指所有宏观对称性与微观对称性的总和。
玻璃态：实质上是一种过冷液体，其结构特点是短程有序，长程无序。
单胞：两个基矢确定的平行四边形。
刃形位错：位错线与滑移方向垂直。
螺形位错：位错线与滑移方向平行。
混合型位错：位错线与滑移方向成任意角度。
表面偏析：固溶体中溶质原子在表面层产生富集的现象。
1．请计算cantor杆的分维数。
d=lnk/lnl d是维数，k是获得原来的集合对象的个数，l是放大倍数。cantor杆，尺度增加3倍，单元数只为原来的2倍，这样 d=ln2/ln3 =0.6309：
；sierpinski毯，尺度增加3倍，单元数增加了8倍，即d=ln8/ln3=1.892
2．请简要指出形成层错的几种主要途径。
1）在晶体生长中，以六方密堆积面的堆垛而生长晶体时，由于以正常和不正常顺序堆垛时的能量相差很小，偶然因素很容易造成错误堆垛而形成层错；
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