2011材料物理期中考试试题。
学院年级班姓名。
一、填空题（每题2分，共20分）
1．固态相变分为扩散相变和非扩散相变，马氏体相变属于无扩散型相变有序无序转变属于扩散型相变 。
2．滑移面是位错的滑移面，滑移方向必须在位错的伯格斯方向，设晶面间距为h，伯格斯矢量为b，则 h/b 越大的滑移系越容易滑移。
纯金属的临界切应力随着温度升高而降低 ,金属间化合物的临界切应力却不同，在温度不很高的条件下，其临界分切应力随温度升高升高 .
4.对于金属材料蠕变变形来说， 位错蠕变是主要的。在高温蠕变过程中，在产生加工硬化的同时，也出现软化 .
5．非晶态金属的塑性行为根据温度可以分为两个区域，一个是滑移变形区 ;另一个是均匀流动。
6．物质的磁性**于未填满电子状态，根据洪德规则，自旋角动量s取最大时，电子排列的能量最低。
7．点缺陷浓度对材料的内能和熵都有影响，如随着点缺陷浓度的增大，内能越大 ，系统的熵越大。
8．异种原子通过不同晶粒的界面扩散称为界面扩散而单晶中的原子的扩散称为体扩散。
9.如果相界处两相具有相同或相近的晶体结构，晶格常也比较接近且相界两侧原子保持一定的位相关系的相界称为共格相界相界处产生的弹性畸变附加能
是相界能的主要部分。
10．格波间相互作用力愈强，也就是声子间碰撞几率愈大，相应的平均自由程愈短
热导率也就愈强 。
二、问答题．(40分)
11.为什么温度越高费米能反而越低？
12．什么是材料的屈服？
塑性变形开始后，应力-应变曲线开始弯曲，材料发生屈服，此时的应用称屈服应力。
13．什么是驰豫、重构、叠层？
弛豫是指表面区原子或离子间的距离偏离体内的晶格常数，但晶胞结构基本不变。弛豫的结果产生表面电矩。驰豫主要发生在垂直表面方向，且会延伸到一定范围。
14.为什么半导体材料中缺陷、偏析越多载流子寿命越短？
表面经光照射或注入等外界作用，会产生非平衡载流子，外界作用消失后，非平衡载流子很快复合。如半导体材料，导带电子不断地非到价带的过程就称为复合。表面复合是通过分布在禁带中的一些表面态进行的，表面复合的强弱由表面态的分布及表面势的大小决定。
半导体材料中缺陷\偏析越多，表面电子态密度越大，为载流子复合提供了复合中心，因此更容易复合，载流子寿命也就越短。
三、计算题（40分）
15．某晶体中形成一个空位所需要的激活能为，在800时，个原子中有一个空位，求在何种温度时，个原子中有一个空位？
16．设电子的迁移速率为0.1cm2/硅的电子有效质量为，如加以强度为v/m的电场，试求电子平均自由程和驰豫时间。（电子静止质量，电子的电量）。
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