2011职高一《电子技术基础》月考卷。
班级学号姓名成绩
一、填空题60分。
1、pn结具有性能，即加正向电压时 ，形成的电流称为加反向电压时形成的电流称为。
2、二极管导通后，硅管管压降约为锗管管压降约为。
3、物质按导电能力的强弱可分为和三大类。
4、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，电流会突然增大，此现象被叫做现象。
5、n型半导体的特点：自由电子数量 ，空穴数量 ，参与导电的主要是。
6、晶体三极管通过改变来控制所以是一种电流控制器件。
7、如果将电源正极与二极管的正极相连，电源负极与二极管的负极相连，称为偏置，与此相反时，称为偏置。
8、二极的参数if称为 ，是二极管时允许通过的最大直流电流。
9、加在二极管两端的与流过二极管的的关系曲线称为曲线。
10、外加电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，称作电压。一般硅二极管的死区电压约为 ,锗二极管约为 。
11、晶体三极管是由两个相距很近的组成的，它有三个区： 区、 区和区。
12、根据晶体三极管内部三个区域半导体的不同，可分为型和型两大类。
13、每个三极管内部都有两个pn结，称为结和结。
14、如图t1中，v为三极管，gc为电源，gb为电源，rb为电阻又称电阻，rc为电阻。
15、当ib有变化时，就能引起ic 的变化，这种现象称为三极管的放大作用。用公式可表示为。
16、当vbe很小时，ib为 ，三极管是截止的，只有在vbe大于死区电压时才能导通，这个电压硅管约锗管约。
17、晶体三极管的基本联接方式有接法， 接法， 接法。
18、某放大电路中的晶体三极管，在工作状态中测得管脚电位va=1.2v，vb=0.5v，vc=3.6v。可知该管是材料， 型的三极管，其中a为极。
19、在三极管电流中，ic表示 ，ib表示ie表示。
20、当三极管的发射结和集电结时，三极管即处于状态，这时ic不受ib控制。
21、三极管饱和时的vce值称为压降，小功率硅管约为锗管约为。
二、选择题15分。
1）对于半导体材料，若导电能力减弱。
a．环境温度降低 b.掺杂金属元素 c.增大环境光照强度。
2）在本征半导体中加入元素可形成n型半导体。
a. 五价 b. 四价 c. 三价。
3）工作在放大区的某三极管，如果当ib从12μa增大到22μa时，ic从1ma变为2ma，那么它的β约为 。
a. 83 b. 91 c. 100
4）在二极管特性的正向导通区，二极管相当于。
a、大电阻 b、接通的开关 c、断开的开关。
5）当硅二极管加上0.4v正向电压时，该二极管相当于。
a、很小的电阻 b、很大的电阻 c、短路。
6）n型半导体中的多数载流于是 。
a.电子 b.空穴 c.正离子 d.负离子。
7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管 。
a.大 b.小 c.相等。
8）硅二极管的反向饱和电流比锗二极管 。
a.大 b.小 c.相等。
9）二极管能保持正向电流几乎为零的最大正向电压称为。
a.死区电压 b.击穿电压 c.截止电压。
10）如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管。
a.已击穿 b.内部断路 c.正常。
11）当晶体三极管两个pn结都反偏时，晶体三极管处于。
a.饱和状态 b.放大状态 c. 截止状态。
12）晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将。
a.随基极电流增加而增加 b.随发射极电流增加而增加。
c.与基极电流变化无关，只决定于uce
13）pnp型晶体三极管放大电路中各极电位关系是。
>vb>ve vc>vb
14）测得pnp型晶体三极管e极电位0.4v，b极电位1.2v，c极电位-6v，可判断该晶体三极管的工作状态为。
a. 截止 b.饱和 c.放大。
15)用直流电压表测量放大电路中的一只npn型晶体三极管，各电极对地电位是：v1=2v，v2=6v，v3=2.7v，则该晶体三极管各脚的名称是 。
a.1脚为e，2脚为b，3脚为c b.1脚为e，2脚为c，3脚为b
c. 1脚为b，2脚为e，3脚为c
三、综合题25分。
1、根据下面二极管测试记录数据，绘制二极管伏安特性曲线。5分。
根据测量数据在图中描点，连成曲线。(正反向特性曲线坐标标度可以不一致)
2、测得放大电路中六只处于放大状态的晶体管直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。12分。
图。3、分别判断下图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。（选做4个共8分）
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