一，名词解释：1，半导体载流子2，爱因斯坦3，弛豫时间近似4，准费米能级5，齐纳击穿6，超晶格。
二，给定非均匀掺杂的n型半导体，要求(1)画出平衡时的能带图；(2)求当x=x处的载流子浓度。
三，解释半导体的电阻率随温度的变化关系曲线（刘恩科版书上的那个图）
四。给出p-i-n结，写出泊松方程表达式等（主要是利用泊松方程求解相关问题一共四问）
五，mos结构（1）平带电压（包括功函数差，固定电荷，界面态电荷），求解平带电容。
2）当平带电压vfb=0时画出高频c-v特性曲线并与理想情形比较并说明变化原因。
3）当掺杂由na变成2na时，高频c-v曲线与（2）情形做比较。六，金半接触，(1)画出正向偏置与反向偏置时的能带图。
2)利用泊松方程求解c_v关系，并说明掺杂浓度，金属功函数，禁带宽度对电容的影响。
3）当半导体禁带**存在很大界面态时，求此情况的电流表达式。注：今年的题就是这些，与往年的侧重点一样。
08 14北大半导体物理考研真题
2010年北大微电子半导体物理试题。一 名词解释 6 x 5 30 1.有效质量近似。2.e k 关系。3.迁移率。4.过剩载流子。5.简并半导体。6.异质结。二 20 有一非均匀掺杂的n型半导体，其掺杂浓度随距表面的深度满足关系式为。n x n0x l，其中l为半导体的厚度。试画出该半导体在平衡状...
99半导体物理真题哈工大半导体考研真题
哈尔滨工业大学。第1页共1页。一九九九硕士研究生考试试题。考试科目 半导体物理考试科目 适用专业 微电子学与固体电子学 考生注意 答案务必写在答题纸上，并标明题号。答在试题上无效。题号一二三四总分分数 分。一 说明下列概念或名词的物理意义 分 有效质量 载流子散时 状态密度 陷阱中心 光电导 空穴。...
99年真题哈工大半导体考研真题
1999年。一 说明下列概念或名词的物理意义 20分 1.有效质量 2.载流子散射。3.状态密度 4.陷阱中心。5.光电导。6.空穴。7.直接复合与间接复合。8.少子寿命。9.热载流子 10.受主杂质与施主杂质。二 简述。1.用能带论定性说明导体 半导体 绝缘体的导电性。10分 2.什么是良好的欧姆...