2023年初试试题回忆版哈工大半导体考研真题

发布 2023-06-24 01:42:28 阅读 5988

哈尔滨工业大学。

二o一二年硕士研究生考试试题。

一名词解释。

1杂质补偿 6简并半导体。

2本征光电导 7施主与受主杂质。

3有效质量 8电子亲和能。

4 k空间等能面 9表面态。

5费米能级 10间接带隙半导体。

二说明载流子散射的概念,光学波和声学波散射的物理机制的区别。以及分别在什么样晶体中起主要作用。

三分别画出p型和n型衬底的mos结构可能测出的c-v特征曲线,说明sio2层中存在可动na离子分布,固定电荷和金属-半导体功函数差对c-v特征曲线的影响。

四简述平衡p-n结的建立过程。分别画出正偏和反偏下的能带图,载流子分布和电流分布图。

五有一面积很大的半导体薄片,厚度为w,以稳定光源均匀照射两面,设光只在表面层内产生电子空穴对,在消注入条件下,δp(0)= p1; δp(w)= p2 。问:

1)片内非平衡载流子分布仅与时间有关,还是仅与空间位置有关?或与两者都有关?

2)试确定片内非平衡载流子的分布?

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原帖地址 感谢哈工大板块置顶半年的土木复试经验贴,感谢热心的风哥提供的深圳土木导师情况。刚考完复试,趁着记忆还新鲜,为后来人做点贡献,特写此文。文笔不好,内容还是很充实的,内含大量信息。首先自我介绍一下,本人武汉大学水利水电专业,二战拳手。去年考的本校本专业,初试400 英语没过线,今年考的哈工大结...