补充题1:图1所示电路中,二极管导通电压ud=0.6v。根据以下条件分别求解vo、i、id1、id2、id3。(1)v1=v2=0;(2)v1=5v,v2=2v。
图 1补充题2:
电路如图2所示,已知晶体管的ube=0.7v,β=300,rbb’=200ω。vcc=12v。
1)当开关k位于1位置时,求解静态工作点ibq、icq和uceq;
2)分别求解开关k位于位置时的电压放大倍数,比较这三个电压放大倍数,并说明发射极电阻是如何影响电压放大倍数的。
图 2补充题3:
1)图3所示电路中增强型pmos管参数为ugs(th)= 1.5v,k’p=25a/v2,l=4m。求使id=1ma同时usd=2.5v的沟道宽度w和电阻r。
图 32)图4电路中,耗尽型pmos管参数为ugs(off)=1.5v,kp=0.5ma/v2。
设计电路使得静态时usd=2.5v,要求偏置电阻r1、r2中的电流不能超过漏极电流的10%。
图 43)图5电路中,已知恒流源iq=2ma,ugs(off)=2.5v,idss=6ma。(1)确定使p沟道jfet工作在恒流区的vdd的范围。(2)求vs。
图 5补充题4:图6电路中,增强型nmos管参数为ugs(th)=0.8v,kn=0.
85ma/v2,耦合电容和旁路电容对交流信号可视为短路。(1)为使idq=0.1ma且最大不失真输出电压峰值为1v,试求rs、rd的值。
(2)求电压放大倍数。
图 6补充题5:
基本放大电路如图7(a)(b)所示,图(a)方框内为共射放大电路ⅰ,图(b)方框内为共集放大电路ⅱ,其开路(不带负载)电压放大倍数及输入电阻ri、输出电阻ro如图中所示。由电路ⅰ、ⅱ组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示,它们均正常工作。试说明通常情况下图(c)、(d)、(e)所示电路中。
(1)哪些电路的输入电阻比较大;
(2)哪些电路的输出电阻比较小;
3)哪个电路的=最大。
说明:以上三问不需要计算即可判断出来结果)
图7补充题6:图8所示bicmos电路中,电路参数v +=10v,vgg = 4.5v,rd1= re2=10k,rl=1.
8 k。已知增强型nmos管m1参数为ugs(th)=1v,kn=0.4ma/v2;晶体管q2参数为β=100,ube=0.
7v。(1)求静态时nmos管参数udsq、idq,晶体管参数icq、uecq。(2)求电压放大倍数、输出电阻ro。
图8补充题7:图9所示差分放大电路中,漏极电阻失配。已知增强型nmos管参数为ugs(th)=1v,kn=0.
15ma/v2。电路参数v +=10v,v- =10v,rs=75k,rd=50 k。设静态时v1=v2=0, r=500。
(1)求静态时nmos管的ugsq、idq。(2)求ad、ac、kcmr。
图9补充题8:图10所示电流源电路中,jfet参数为ugs(off)= 4v,idss=4ma。(1)为使电流io=2ma,求r的阻值。
(2)求使jfet工作在恒流区的vd的范围。
图10补充题9:图11所示电流源电路中,电路参数v +=2.5v,r=15k。
已知增强型nmos管m1、m2参数均为ugs(th)=0.5v,k’n=0.08ma/v2,w/l=6。
求电流iref、io。
图11补充题10:
图12所示电路中,已知r1=10kω,r2=20kω,r=10kω,c=0.01μf,稳压管的稳压值为6v,uref=0。
1)分别求输出电压uo和电容两端电压uc的最大值和最小值。
2)计算输出电压uo的周期,对应画出uo和uc的波形,标明幅值和周期。
3)若增大r1的阻值,将如何影响uo的幅值和周期。
4)若增大r的阻值,将如何影响uo的幅值和周期。
5)若增大uz,将如何影响uo的幅值和周期。
6)若uref=3v,将如何影响uo的幅值和周期。
图12补充题11:
图13所示电路中,已知rw的滑动端位于中点。选择填空:
a. 增大 b. 不变 c. 减小。
当r1增大时,uo1的占空比将 ,振荡频率将 ,uo2的幅值将 ;当r2增大时,uo1的占空比将 ,振荡频率将 ,uo2的幅值将 ;当uz增大时,uo1的占空比将 ,振荡频率将 ,uo2的幅值将 ;若rw的滑动端向上移动,则uo1的占空比将 ,振荡频率将 ,uo2的幅值将 。
图13补充题12:图14所示由互补mosfet组成的乙类输出级电路中,电路参数v +=10v,v - 10v,rl=5k。已知增强型nmos管mn参数为ugs(th)=0v,kn=0.
4ma/v2,增强型pmos管mp参数为ugs(th)=0v,kp=0.4ma/v2。(1)求最大输出电压uom,并求此时的il和vi的值。
(2)求最大输出功率和效率。图14
《模拟电子技术》作业习题答案
第一章参 一 判断题。二 单项选择。1 a 2 c 3 c 4 a 5 c 6 c 7 c 8 b 9 b 10 b 11 c 12 a 13 a 14 b 15 a 16 c 17 b 8 a 19 a 20 b 21 c 22 c 三 解 uo1 1.3v,uo2 0,uo3 1.3v,uo4 ...
模拟电子技术 专科离线作业
模拟电子技术 平时作业。一 简答题 共100分,每题20分 1 线性失真和非线性失真如何区分?答 1 产生原因不同,线性失真是由于电路中存 性元件,其阻抗随频率不同而不同,从而导致放大器对不同频率信号分量的放大倍数与延迟时间不同而引起的。而非线性失真是由于电路中存在非线性元件或进入非线性区域而引起的...
电子技术作业
一 选择题 1 在杂质半导体中,少子浓度主要取决于 a 掺入杂质的浓度 b 材料 c 温度 2 测得某pnp型三极管各极点位为 ub 3v ue 4v uc 6v,则该管工作于 a 放大状态 b 饱和状态 c 截止状态。3 在基本共射放大电路中,若更换晶体管使 值由50变为100,则电路的放大倍数 ...