第一章参***。
一、判断题。
二、单项选择。
1、(a) 2、(c) 3、(c) 4、(a) 5、(c) 6、(c) 7、(c) 8、(b) 9、(b) 10、(b)
11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)
21、(c) 22、(c)
三、 解：uo1≈1.3v，uo2＝0，uo3≈－1.3v，uo4≈2v，uo5≈1.3v，uo6≈－2v。
四、 解：uo1＝6v，uo2＝5v。
五、解：图(a)：d截止，uab=－12 v；图(b)：
d导通，uab=15 v；图(c)：d1导通、d2截止，uab=0 v；图(d)：d1截止、d2导通，uab=－15 v 。
六、解：ui和uo的波形如题6解图所示。
题6解图。题6解图。
七、解：ui和uo的波形如题7解图所示。
题7解图。八、解设d1、d2导通时的电压降为ud1、ud2。
图(a) uab= uz1 +uz2=6+8=14 v； 图（b) uab= uz1 =6 v；
图(c) uab= uz1 +ud2=6+0.7=6.7 v； 图(d) uab= ud1 =0.7 v。
九、解：稳压管的最大稳定电流。
izm＝pzm/uz＝25ma
电阻r的电流为izm～izmin，所以其取值范围为。
十、解：1、当ui＝10v时，若uo＝uz＝6v，则稳压管的电流为4ma，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
当ui＝15v时，稳压管中的电流大于最小稳定电流izmin，所以。
uo＝uz＝6v
同理，当ui＝35v时，uo＝uz＝6v。
2、 29ma＞izm＝25ma，稳压管将因功耗过大而损坏。
十。一、解设流过d1、d2、r1、r2的电流分别为id1、id2、i1、i2，它们的规定正方向如题11解图(a)所示。当d1、d2均导通时，id2= i2=
id1= －i1+ id2)=
可见，d1导通的条件是＞12v，d2导通的条件是＜18 v。故。
12 v时，d1截止、d2导通，uo= 6+；
12v＜＜18 v时，d1、d2均导通，uo=；
18 v时，d1导通、d2截止，uo=18 v。
由此可作出电压传输特性曲线如题11解图(b)所示。
题11解图。
十。二、解：波形如题12解图所示。
题12解图。
第二章参***。一、判断。
二、单项选择题。
1、(c) 2、(a) 3、(b) 4、(b) 5、(c) 6、(a) 7、(a) 8、(a) 9、(b) 10、(c)
11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b)
31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 33、(c) (c) 54、(c) (a)
二、填空题。
1、npn,pnp；硅，锗；电子和空穴。2、p区和n区的位置不同。3、，小。
4、集电极， 99。6、共射极、共集电极，共基极接法。7、降低，增大，增大。
8、，。9、 0.5v，0.
1v。0.7v，0.
2v。 10、减小。11、发射极，集电极，基极，pnp，锗。
12、线性放大， ，13、管子的结温允许值的大小ma, 100ma, 30v。15、电压。16、饱和，截止，①静态工作点不合适，太高或太低；②输入信号幅值太大。
17、饱和，截止。18、饱和，截止。19、；。
小了。20、温度变化引起元、器件参数变化，直流负反馈。21、。
22、共集电极，共基极，共射极。共基极，共集电极，功率。23、直接耦合，变压器耦合，阻容耦合。
24、零点漂移，静态工作点相互影响。25、输入信号为零时，输出信号缓慢的无规则的变化，。27、线性失真，频率失真。
28、幅度，相位。29、频域法和时域法，或稳态法和瞬态法。30、耦合电容和旁路电容；结电容，分布电容。
31、共基极，。33、降低；升高。34、 ①不变，减小，不变。
② 减小，不变，增大。③不变，不变，减小。
四、 解：根据pcm＝200mw可得：uce＝40v时ic＝5ma，uce＝30v时ic≈6.
67ma，uce＝20v时ic＝10ma，uce＝10v时ic＝20ma，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如题4解图所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。
题4解图。五、 解：（1）rb＝50kω时，基极电流、集电极电流和管压降分别为。
μa所以输出电压uo＝uce＝2v
2）设临界饱和时uces＝ube＝0.7v，所以
六、 答案如题6解图所示。
题6解图。七、解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，如下表所示。
八、解：（1）当vbb＝0时，t截止，uo＝12v。
（2）当vbb＝1v时，因为。
a所以t处于放大状态。
（3）当vbb＝3v时，因为。
a所以t处于饱和状态。
九、 解：（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，t的发射结会因电流过大而损坏。（e）可能。
十、解图(a)电路不能实现正常放大。电路缺少集电极电阻，动态时电源相当于短路，输出端没有交流信号。
图(b)电路不能实现正常放大。电路中缺少基极偏置电阻，动态时电源相当于短路，输入交流电压信号也被短路。
图(c) 电路也不能实现正常放大。电路中晶体管发射结没有直流偏置电压，静态电流，放大电路工作在截止状态。
图(d)电路能实现小信号正常放大。为了保证输出信号不失真（截止、饱和），当输入信号为正时，应不足以使三极管饱和；当输入信号为负时，应不会使三极管截止。
十。一、解 1
2 |icq rc|=2×1.71×2=6.84 v
2|uceq|=2| vcc－icq rc|=2×|－10+1.71×2|=13.2 v
故。uopp =2 |icq rc|=6.84 v
ri= rb// rbe=560//1.72=1.71 kω
十二、 解 1
ri= rb1// rb2//[rbe+(1+β)re]= 50//10//[1.6+(1+99)×0.75] 7.5 kω
2ri=7.5 kω
ro= rc = 4.7kω
十。三、解 1、 微变等效电路如题13解图所示。其中rb= rb1// rb2
题13解图。
ri= rb1// rb2//[rbe+(1+β)re1]= 62//15//[1+(1+50) ×0.1]=4 kω
ro= rc = 3 kω
十。四、解 1、
uceq=vcc－ieq (rc+ re) =6－(－8)×(0.1+0.15) =4 v
2、 微变等效电路如题14解图所示。其中。
题14解图。
ri= rb//[rbe+(1+β)re// rl )=43//[0.34+(1+80)×(0.15//2)]=9.2 kω
电子技术作业答案
第6章第1次。一。填空题。1.电压，电流，阻抗 2.反向击穿 3.反向，可以 4.变压，整流，滤波，稳压 5.45v,45ma 90v,90ma 二。选择题。3.a 三。计算题。1.参考教材167页，习题6.2.1 d a 第7章第1次。一。填空题，2 3 2.10ma,20v 3.4.法，估算法。...
电子技术作业答案
第一章。1.2 略。1.7 略。1.10 a 饱和 b 放大 c 放大 d 饱和 e 截止 f 截止 1.16 a 增强型nmos b 耗尽型nmos c 耗尽型pmos d 增强型pmos 第二章。2.3 a 不能 b 不能 c 不能 d 不能。2.6 1 uce 12v，ic 3ma，ib 40...
模拟电子技术试卷 含答案
模拟电子技术基础 班级座号姓名。一 填空 30分，每空1分 1 半导体中存在两种载流子，分别为电子和空穴 杂质半导体分为两种，分别为 n型半导体和 p型半导体 2 三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度高 基区做得很薄 且掺杂浓度低 实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏 ...