《 模拟电子技术 》课程期末考试试题a
说明：学生必须将答案全部写在答题纸上，凡写在试题上的一律无效。学生可随身携带字典。
一、填空题（20分，每题2分）
1．场效应管组成的的三种基本放大组态是和。
2．饱和失真与截止失真属于失真，而幅频失真与相频失真属于失真。
3．负反馈按采样和求和方式的不同有四种类型分别为和。
4．正弦波振荡电路的起振条件为。
5．差分放大电路两个输入信号分别为ui1=10mv, ui2= —4mv，则该电路的差模输入信号uidmv，共模输入信号uicmv。
6．为避免产生交越失真，互补推挽功率放大电路一般工作在类状态。
7．理想运放工作**性区时有两个主要的特点，分别为和。
8．在串联型石英晶体振荡电路中，晶体等效为而在并联型石英晶体振荡电路中，晶体。
等效为。9．当pn结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层会变 ；当外加反向电压时，扩。
散电流移电流，耗尽层会变。
10．放大器的输入电阻反映放大器而输出电阻反映出放大器的能力。
二、选择题（20分，每题2分）
1．在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ）则说明引入的是负反馈。
a、输入电阻增大 b、 输出量增大c、净输入量增大d、净输入量减小
2．共集电极放大电路输入信号从极输入，输出信号从极输出（ ）
a、射、集电b、 基、集电c、基、射d、射、基。
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ ）
a、电阻阻值有误差b、 晶体管参数的分散性
c、晶体管参数受温度影响d、电源电压不稳定。
4．稳压管的稳压区是其工作在（ ）
a、正向导通b、反向击穿c、反向截止d、无法判断。
5．（ 比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
a、同相b、 反相c、减法。
6．直流负反馈是指（ ）
a、阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 b、 只有放大交流信号时才有的负反馈
c、在直流通路中的负反馈d、直接耦合放大。
7．对于放大电路，所谓开环是指（ ）
a、无信号源b、 无反馈通路c、无电源d、无负载
8． 在本征半导体中掺入一定的几价元素，可以构成p型半导体（ ）
a、3价b、 4价c、5价。
9． 集成运放的中间级常采用复合管，目的是为了（ ）
a、提高带负载能力 b、 抑制零点漂移 c、克服交越失真 d、提高电压放大倍数
10．电流负反馈能。
a、稳定输出电压 b、稳定输出电流 c、稳定静态工作点 d、抑制干扰
三．简答题（22分）
1．判断下列复合管复合是否正确，若正确，请写出β和rbe及类型。（8分）
2． 极管如图所示，已知它们各极的静态电位，试判断它们是硅管还是锗管？是npn型还是pnp型？
6分）3． 判断下列三极管分别工作在何种状态。（8分）
四、分析判断题（16分）
1．判断下列各电路的反馈类型。（8分）
2．标明下图中变压器的同名端，使反馈信号的相移满足电路振荡的相位条件。（8分）
五、计算题（22分）
1．设三极管的β=60, rbb’=100ω，rb =359kω, rc = 3kω，re = 300ω, rl = 6 kω，vcc=12v (硅管)。 14分）
试求： （1）估算静态工作点。
2）画出微变等效电路。
3）计算电压放大倍数。
4）计算输入、输出电阻。
2．理想运放电路如下图(a)、(b)所示，试计算各电路的输出电压值。 （8分）
模拟电子技术 》课程期末考试a卷答案。
一．填空题（20分，每题2分）
解：1．共源，共漏，共栅。
2．非线性，线性。
3．电压串联负反馈，电流串联负反馈 ，电压并联负反馈，电流并联负反馈。
5．14mv , 3mv 。
6．甲乙类 。
7．虚短 ，虚断。 8． l , r
9. 大于 ，窄 ；小于 ，宽。
10.向信号源索取电流的大小 ，带负载的能力。
二．解：1．d 2．c 3. c 4. b
三．简答题（22分）
1．（8分，每题2分）
解：1) 正确 β 1β2 rbe = rbe1 类型与第一个三极管相同
(2) 不正确。
3） 正确 β 1β2 rbe = rbe1 类型与第一个三极管相同。
（4） 不正确。
2. （6分，每题3分）
解：a） x --c (b) x --b (c) x --c
y --ey --cy --e
z --bz --ez --b
npnpnppnp
锗管硅管硅管。
3．（8分，每题2分）
解：(1) ube > 0 , ubc < 0 , npn 放大
2) ube < 0 , ubc < 0 , npn 截止。
(3) ube > 0 , ubc < 0 , pnp 倒置
(4) ube < 0 , ubc < 0 , pnp 饱和。
四。判断题（16分）
1.（8分，每题4分）
解： （a） 电压串联负反馈 , b) 电压并联负反馈。
只要能判断对正反馈或负反馈的均得2分）
2. （8分，每题4分）
a）端为同名端b) 端为同名端。
五。计算题（22分）
1.（14分）
解： (1)（每式2分）
2)（2分）
3) （每式2分）
2. （8分，每题4分）
ab)答案对或只有计算过程而无答案或答案错的扣一半分）
模拟电子技术试卷 含答案
模拟电子技术基础 班级座号姓名。一 填空 30分，每空1分 1 半导体中存在两种载流子，分别为电子和空穴 杂质半导体分为两种，分别为 n型半导体和 p型半导体 2 三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度高 基区做得很薄 且掺杂浓度低 实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏 ...
2023年模拟电子技术基础试卷答案
2004 2005年度第二学期。模拟电子技术基础 标准答案及评分标准。一 填空题 10分 每空一分 1.反向击穿。2.正 负。3.耦合电容 旁路电容 极间电容 引线电容 4.耗尽型。5.直接。6.npn pnp 7.瞬时极性法。二 选择题 5分 每题一分 c b c c a 三 简答题 15分 1 ...
2023年模拟电子技术基础试卷答案
2003 2004年度第二学期。模拟电子技术基础 评分标准及标准答案。一填空题 10分 每空1分 答 n 电子 正偏 反偏 阻容耦合 直接耦合 变压器耦合 滞回，简单 78.5 二选择题 5分 每题1分 答 b c a a c 三简答题 15分 1.4分 答 n沟道jfet管，n沟道增强型mos管。...