“集成电路入门”课后作业。
2023年9月11日。
1. 请画出理想pn结在零偏压、负向偏压和正向偏压下的结构和能带示意图。请说明pn结和肖特基结的异同。
2. mos器件的三个工作状态分别要满足哪些条件？请写出三个状态下电流与电压的关系式。
3. 请根据下面图例手绘n阱cmos反相器的版图（器件衬底材料为p型硅，衬底不用画）。
4. 请对下图所示cmos反相器做直流转移特性分析，写出相应的spice程序。注意：m1、m2的尺寸及cl值可自行决定。
5. 若下图中的所有晶体管都工作在饱和区，请计算m4管的漏电流。
6. 运用以下mos管的spice模型：
.model nmos nmos vto=0.7 kp=110u gamma=0.4 lambda=0.04 phi=0.7
.model pmos pmos vto=-0.7 kp=50u gamma=0.57 lambda=0.05 phi=0.8
1) 请画出二输入mos与非门电路；
2) 假设或非门接负载电容cl=1 pf，电源电压vdd=5 v。如果采用等效反相器的方法进行或非门的设计，要求上升和下降时间均为1 ns，请计算出此等效反相器的pmos和nmos的宽长比；
3) 根据(2)的要求，设计二输入与非门的pmos和nmos的宽长比；
4) 根据题3中图例手绘与非门的版图。
请在9月16日周三上课前提交作业，谢谢。
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