序言、第一章集成电路中的寄生效应作业：
补充题：1． 集成电路可分为哪几类？请分别叙述之。
2． 半导体集成电路按晶体管工作性能可分为哪几类？按电路工作性质又可分为哪几类？请分别叙述之。
3． 半导体集成电路中的寄生可分为哪两类？各包括哪些内容？各影响半导体集成电路的哪些性能？
4． 采用何种措施可消除常规集成晶体管和集成电阻结构带来的有源寄生效应？这些措施的作用原理是什么？
第一章习题
註：1．习题1中，对均匀基区有λ=2;且有；。
2．习题6中所求②的条件改为变化反偏压由0伏到-4伏变化；③的条件为固定反偏压始终为-4.7伏。
3．本次作业请课代表于3月9日上课前收齐，在课后交。
所有作业均需抄题后再做。否则，不预批改（按没交作业计）。
第二章 ttl集成电路作业1：
补充题：1． 何谓集成电路的抗干扰能力？该能力与电路的什么参数有关？什么关系？
2． 对与非门电路，当输入为理想方波时，画出输入、输出对照曲线图，表明各瞬态延时区间？
3． 简易ttl与非门在电路性能上有何缺点？采用何种措施可分别克服之？简述原理。
4． 图2-7（a）为四管ttl与非门单元，图中在t3和输出间加了二极管d。分析电路的两个稳定状态及加入d的作用？
习题：第60页的习题（第四题中仅做第一问）
本次作业在3月23日课前收齐，课后交）
第二章 ttl集成电路作业2：
补充题：1． 在六管ttl与非门静态参数中，引入了vik，为了实现该参数在电路中采取了什么措施？引入该参数有何实际意义？
2． ttl电路的温度特性与何因素有关？试分析电路参数voh随温度变化的关系及原因。
3． 第54页的图2-57（b）为sn74ls08电路图，分析两个稳定工作状态？列出真值表。
习题：第61页的习题
本次作业在4月6日课前收齐，课后交）
第三章中大规模集成电路作业：
补充题：1． 中大规模集成电路通常由哪几类门组成？每类门各有什么要求？为简化电路常采用简化逻辑门，在哪一类门中采用简化门更合适？为什么？
2． 分析单管串级与非门的逻辑关系？分析如图3-14所示的两串级与非门构成c1-e2串接时电路的逻辑功能？
习题：第84页的习题。
第四章 ttl集成电路的版图设计作业：
补充题：1． 何谓最小面积晶体管？其在版图设计中有什么意义？
2． 集成二极管的设计有几种形式？分析各结构的有源寄生情况？
3． 画出图4-16（e）加sbd双发射极、双集电极晶体管的版图，并在版图下画出对应的工艺剖图。
4． ttl与非门t1管的版图设计为长脖子基区结构，如图4-5（e）所示，为什么（要求详述其原因）？
5． 集成电路制造中需制造高阻值电阻，请提出几种可行的高阻值集成电阻结构的设计方案？
本次作业在4月13日收，课前收齐，课后交）
有关mos晶体管补充题：
1． 画出增强型n沟道mos晶体管的工艺剖图，标明各电极。叙述导通和截止两种工作状态条件及与工艺结构中变化的关系？
2． mos晶体管工作电流与vgs和vds均有关系，说明vgs和vds各对id的影响？
3． 写出增强型n沟道mos晶体管的饱和和非饱和电流公式，对应给出各自的工作条件？
第六章nmos逻辑集成电路作业 （1）
补充题：1． mos集成电路有哪两种分类方法？写出两种分类中各自的mos集成电路类别？
2． e/e mos负载倒相器的含义是什么？列出属于这类倒相器的各种倒相器，并画出各自的相应电路图。
习题：第162页习题。
註：习题 2中的∈ox=εoεox, 其中εo=8.85×f/cm，为真空介电常数；εox≦4（取3.73，为二氧化硅介质介电常数）习题6中同此。
本次作业在4月27日收，课前收齐，课后交）
第六章nmos逻辑集成电路作业 （2）
补充题：1． 由mos倒相器的瞬态特性分析mosic瞬态特性与双极型ic相比有何特点？原因何在？
2． 对e/d mos负载倒相器，其电压传输特性曲线分为三个工作区。画出该电压传输特性曲线；标明三个工作区；说明在三个工作区中te、td各自的工作条件和工作状态？
3． 画出的mosic的电路图。
习题：第162页习题。
註：习题 6中：
∈ox=εoεox, 其中εo=8.85×f/cm，为真空介电常数；εox≦4（取3.73，为二氧化硅介质介电常数）。
讨论时不考虑衬底偏置效应。
本次作业在5月11日收，课前收齐，课后交）
第七章cmos集成电路作业：
补充题：1． 为什么说cmos集成电路是微功耗电路？从电路总功耗来看，在电路的什么工作条件下它不再是微功耗电路？
2． cmos倒相器其最大输出电压近似为电源电压；最小输出电压近似为零伏，从电路上分析是如何达到的？
3． 请分别叙述n沟、p沟单管传输门各自的传输特点？分析cmos传输门如何保证了上述两单管传输门的优点？
4． 画出cmos倒相器的的关系曲线，标明其五个工作区，说明各工作区的工作条件？说明与各工作区对应的n管和p管的工作状态？
习题：第191页习题。
本次作业在5月25日收，课前收齐，课后交）
第八章：动态、准静态mos集成电路作业。
补充题：1． 动态mos倒相器有哪两种基本类型？各自有什么特点？
2． 何谓准静态mos触发器？举例说明某准静态mos触发器电路在何条件下满足触发功能？何条件下不能满足触发功能？
3． 动态mos触发器的构成？
习题：第207页习题1。
第九章：mos集成电路的版图设计作业。
补充题：1． 何谓版图设计的栅区？何谓场区？何谓场开启？场开启的影响因素是什么？场开启给mos集成电路带来什么影响？如何防止场开启？
2． 集成电路设计的一般规则是什么？对mosic版图设计有什么特别要注意的地方？简述之？
3． 为什么要对mosic中的输入栅进行保护？简述保护电路的基本结构及保护原理？
习题：第233页习题1。
本次作业在6月1日收，课前收齐，课后交）
第十一章：模拟集成电路中的特殊元器件作业（1）
补充题：1． 讨论横向pnp管带来的有源寄生？当横向pnp管工作于正向放大区时，讨论有源寄生的影响？在上述条件下，去除有源寄生对直流特性影响的最有效措施是什么？为什么？
2． 画出横向pnp管的版图及对应的工艺剖面图，与各电性区对应标出横向pnp管的电性符号、标出横向pnp管带入的有源寄生管的电性符号？
3． 横向pnp管的频率特性不很好，其影响因素有哪些？各自是如何影响频率特性的？
4． 计算出课本中图11-13（b）中t1、t2管的β1和β2（忽略ibo）?
5．对多集电极横向pnp管，分析基区宽度相同时的集电极电流分配及影响因素？
第278页习题、
註：习题1中改为采用p264页给出的典型值进行计算。
第十一章：模拟集成电路中的特殊元器件作业（2）
补充题：1．何谓超β晶体管？通过何措施可提高超β晶体管的β值？
2．在模拟集成电路制造中，可采用的电容器有几种？分别叙述之？
3．在模拟集成电路制造中，稳压管采用了隐埋齐纳二极管而不采用普通齐纳二极管结构，分析原因是什么？
习题：第278页习题。
本章作业6月8日收交。课前收齐，课后交）
第十二章：模拟集成电路中的基本单元电路复习题。
补充题：1．基准源在模拟集成电路中有何作用？在作为内部电源使用时有何特点？
2．低噪声带隙基准电源电路如图12-23所显示，t3的发射极电流ie能保持为常数吗？为什么？
3. 简述如图12-21所显示的负反馈基准源的主要优点？
4． 简述如图12-22所显示的零温度系数基准源的基本原理？
5． 比较图12-24和图12-25两种电流开关的性能（电流容量、v控、tr的工作状态等）？
6． 试证明在图12-26中，有成立？
7． 差分放大器的不对称性是由哪些参量不对称引起的？不对称性在分析电路时引入哪些电性参量？这些电性参量是如何定义的？
8． 基本型恒流源的构成（npn结构和pnp结构）？为什么说小电流恒流源可作为基本恒流源的特例？为什么恒流源可作为放大器的有源负载使用？
恒流源作为放大器的有源负载使用时有什么要求？
第303页习题。
註：1． 习题3中，改为求电路中各管的静态电流。
2．习题6中，采用数值逼近法求解。
本章作业不再收交。上述作业为本章考试复习题，请认真对待！）
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集成电路入门 课后作业。2015年9月11日。1.请画出理想pn结在零偏压 负向偏压和正向偏压下的结构和能带示意图。请说明pn结和肖特基结的异同。2.mos器件的三个工作状态分别要满足哪些条件？请写出三个状态下电流与电压的关系式。3.请根据下面图例手绘n阱cmos反相器的版图 器件衬底材料为p型硅，...
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组队方式。此次大作业以团队形式来完成，可以自由组队 3人 组 3人共同完成大作业的设计任务，最后每人撰写一份大作业报告，要求每人独立撰写报告，一组中3人的报告不能完全相同。如出现完全相同的报告则直接做不及格处理。报告格式。1 请提交纸质版的报告 2 报告封面写上大作业题目，姓名，队友姓名，班级学号 ...