1.基础标准。
gb/t 8756-1988 锗晶体缺陷图谱。
gb/t 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程。
gb/t 14264-1993 半导体材料术语。
gb/t 14844-1993 半导体材料牌号表示方法。
gb/t 16595-1996 晶片通用网络规范。
gb/t 16596-1996 确定晶片坐标系规范。
ys/t 209-1994 硅材料原生缺陷图谱（原gbn 266-87）
2.产品标准。
gb/t 2881-1991 工业硅技术条件。
gb/t 5238-1995 锗单晶。
gb/t 101 18-1988 高纯镓。
gb/t 1 1069-1989 高纯二氧化锗。
gb/t 1 1070-1989 还原锗锭。
gb/t 1 1071-1989 区熔锗锭。
gb/t 1 1072-1989 锑化铟多晶、单晶及切割片。
gb/t 1 1093-1989 液封直拉法砷化镓单晶及切割片。
gb/t 1 1094-1989 水平法砷化镓单晶及切割片。
gb/t 12962-1996 硅单晶。
gb/t 12963-1996 硅多晶。
gb/t 12964-2003 硅单晶抛光片。
gb/t 12965-1996 硅单晶切割片和研磨片。
gb/t 14139-1993 硅外延片。
gb/t 15713-1995 锗单晶片。
ys/t 13-1991 高纯四氯化锗。
ys/t 28-1992 硅片包装。
ys/t 43-1992 高纯砷。
ys/t 264-1994 高纯铟（原gb 8003-87）
ys/t 290-1994 霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片（原gb 1 1095-89）
ys/t 300-1994 锗富集物（原zb h 31003-87）
3.方法标准。
gb/t 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法。
gb/t 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法。
gb/t 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法。
gb/t 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法。
gb/t 1554-1995 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法。
gb/t 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法。
gb/t 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法。
gb/t 1558-1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法。
gb/t 4058-1995 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。
gb/t 4059-1983 硅多晶气氛区熔磷检验方法。
gb/t 4060-1983 硅多晶真空区熔基硼检验方法。
gb/t 4061-1983 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法。
gb/t 4298-1984 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法。
gb/t 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法。
gb/t 5252-1985 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法。
gb/t 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法。
gb/t 6617-1995 硅片电阻率测定扩展电阻探针法。
gb/t 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法。
gb/t 6619-1995 硅片弯曲度测试方法。
gb/t 6620-1995 硅片翘曲度非接触式测试方法。
gb/t 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法。
gb/t 6624-1995 硅抛光片表面质量目测检验方法。
gb/t 8757-1988 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法。
gb/t 8758-1988 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法。
gb/t 8760-1988 砷化镓单晶位错密度的测量方法。
gb/t 11068-1989 砷化镓外延层载流子浓度电容一电压测量方法。
gb/t 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法。
gb/t 13387-1992 电子材料晶片参考面长度测量方法。
gb/t 13388-1992 硅片参考面结晶学取向x射线测量方法。
gb/t 14140.1-1993 硅片直径测量方法光学投影法。
gb/t 14140.2-1993 硅片直径测量方法千分尺法。
gb/t 1414l-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法。
gb/t 14142-1993 硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法。
gb/t 14143-1993 300-900&m硅片间隙氧含量红外吸收测量方法。
gb/t 14144-1993 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法。
gb/t 14145-1993 硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法。
gb/t 14146-1993 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法。
gb/t 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。
gb/t 14849.1-1993 工业硅化学分析方法 1，10一二氮杂菲分光光度法测定铁量。
gb/t 14849.2-1993 工业硅化学分析方法铬天青-s分光光度法测定铝量。
gb/t 14849.3-1993 工业硅化学分析方法钙量的测定。
gb/t 15615-1995 硅片抗弯强度测试方法。
二、semi标准。
半导体材料
1.简述半导体材料的概念，特征及发展历史，并分别表明代表性的材料。2.杂质条纹，组分过冷，硅单晶质量检测的要求。3 简述晶体生长的三种方式 均匀成核与非均匀成核 简述晶体长大的三种动力学模型及其要点 光滑面与粗糙面的定义。4.简述硅锗单晶的生长方法及定义。5 简述硅锗的杂质的分类 简述杂质对材料性能...
半导体材料
半导体材料的类型。半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体 无机化合物半导体 有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。半导体材料的晶体结构有金刚石型，闪锌矿型，纤锌矿型以及nacl型。而其中金刚石型的有si，金刚石...
半导体材料
深圳大学考试答题纸。以 报告等形式考核专用 二 一三 二 一四学年度第一学期。作者 陈利锋。137 摘要 锗 旧译作鈤 是一种化学元素，它的化学符号是ge，原子序数是32。它是一种灰白色类金属，有光泽，质硬，属于碳族，化学性质与同族的锡与硅相近。锗 锡和铅在元素周期表中是同属一族，后两者早被古代人们...