第一章常用半导体材料。
1、选择题。
1、pn结加正向电压时，耗尽层将（ ）
a.变窄 b.基本不变 c.变宽 d.不确定。
2、当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结应为（ ）
a.前者正偏、后者正偏 b.前者正偏、后者反偏
c.前者反偏、后者正偏 d.前者反偏、后者反偏。
3、在一个由npn型晶体管构成的放大电路中，关于晶体管三个电极的电位，下列说法正确的是( )
a． 集电极电位一定最高 b. 集电极电位一定最低。
c．发射极电位一定最高 d. 基极电位一定最低。
4、在基本共射极放大电路中，若适当增加rc,则电压放大倍数和输出电阻将分别变化为（ ）
a．放大倍数变大，输出电阻变大 b. 放大倍数变大，输出电阻不变。
c. 放大倍数变小，输出电阻变大 d. 放大倍数变小，输出电阻变小。
5、晶体管处于截止状态时，发射结和集电结的偏置情况是（ ）
a. 发射结反偏，集电结正偏b. 发射结、集电结反偏。
c. 发射结、集电结均正偏d.发射结正偏、集电结反偏。
6、工作在放大区的三极管，如果当ib从12μa增大到22μa时，ic从1ma增加到2ma，那么它的β约为 （
a 83 b 91 c 100 d 167
7、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
a 增大 b 减小 c 不变 d 变化趋势不明显。
8、在本征半导体中加入元素可形成n型半导体，加入元素可形成p型半导体。 （
a、六价；三价 b、五价，三价 c、三价；六价 d、三价；五价。
9、某npn型三极管的输出特性曲线如图所示，当vce=6v时，其电流放大系数β为（ ）
a、=100
b、=25c、=150
d、=5010、当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为。
a. 反向偏置但不击穿b. 正向偏置但不击穿
c. 正向偏置且被击穿d. 反向偏置且被击穿。
11、双极型晶体管工作在饱和区的偏置条件是。
a.发射结正偏；集电结正偏 b.发射结正偏；集电结反偏。
c.发射结反偏；集电结正偏 d.发射结反偏；集电结反偏。
12、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 v，-10 v，-9.3 v，则这只三极管是（ ）
a．npn 型硅管 型锗管
型硅管 型锗管。
13、pn结加正向电压时，其正向电流是由（ ）的。
a．多数载流子扩散形成b. 多数载流子漂移形成。
c．少数载流子扩散形成d. 少数载流子漂移形成。
14、工作在放大状态的晶体三极管，流过发射结的电流主要是（ ）
a．漂移电流 b. 复合电流 c. 穿透电流 d.扩散电流。
15、当温度升高时，晶体管的β、icbo和ube的变化情况为（ ）
a、β增加，icbo和ube减小 b、β和icbo增加，ube减小 c、β和ube减小，icbo增加 d、β、icbo和ube都增加。
16、场效应管（fet）本质上是一个（ ）
a、电流控制电流源器件 b、电流控制电压源器件 c、电压控制电流源器件 d、电压控制电压源器件。
17、在某放大电路中，测得晶体管三个极的静态电位分别为0v、11.3v和12v，则这只三极管是（ ）
a、npn型硅管 b、npn型锗管。
c、pnp型硅管 d、pnp型锗管。
18、稳压管的稳压区是其工作在（ ）
a、正向导通 b、正向击穿 c、反向截止 d、反向击穿。
19、下列三极管中，一定工作在放大状态的是（ ）
20、pn结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，则（ ）
a、其反向电流增大 b、其反向电流减小 c、其反向电流基本不变 d、其正向电流增大。
21、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μa，温度每升高10℃，其值增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（ ）
a、10μa b、15μa c、20μa d、40μa
22、某场效应管的转移特性如图，该管为（ ）
a、p沟道增强型mos管 b、p沟道结型场效应管
c、n沟道增强型mos管 d、n沟道耗尽型mos管。
23、共发射极接法的晶体管，工作在放大状态下，对直流而言其（ ）
a、输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性 b、输入和输出均具近似的恒流特性 c、输入和输出均具有近似的恒压特性 d、输入具有近似的恒流特性，而输出具有恒压特性。
24、测得放大电路中三极管各极电位如图，则该三极管为（ ）
a、npn型硅管 b、npn型锗管 c、pnp型硅管 d、pnp型锗管。
25、二极管加正向电压时，其正向电流是由a、多数载流子扩散形成 b、多数载流子漂移形成 c、少数载流子漂移形成 d、少数载流子扩散形成。
2、填空题。
1、二极管最主要的特性是加正向电压___加反向电压截止。
2、半导体中有两种载流子，即___和___
3、本征硅中掺入5价元素的原子，则多数载流子是 ，掺杂越多，则其数量越相反少数载流子是 ，掺杂越多，则其数量越 。
4、半导体中的多数载流子是由形成的，少数载流子是由产生的。
5、pn结外加反向电压时其空间电荷区宽度将pn结中电流占优势。
6、温度升高时，二极管的反向饱和电流将_ 。
7、当温度升高时，晶体管的输出特性曲线之间的间隔___
8、工作在放大区的某三极管，如果当ib从12μa增大到22μa时，ic从1ma变为2ma，那么它的β约为 。
3、计算题。
1、在下图所示稳压管稳压电路中，已知稳压管的稳压电压，最小稳定电流，最大稳定电流；负载电阻。求：限流电阻r的取值范围。
2、电路如图（a）所示，其输入电压ui1和ui2的波形如图（b）所示，二极管导通电压ud＝0.7v。试画出输出电压uo的波形，并标出幅值。
3、电路如图所示，设所有稳压管均为硅管（正向导通电压为vd＝0.7v），且稳定电压vz＝8v，已知vi＝15sinωt (v)，试画出vo的波形。
4、在图中，试求下列几种情况下输出端对地的电压uy及各元件中通过的电流。（1）ua=10v，ub=0v；（2）ua=6v，ub=5v；（3）ua=ub=5v。设二极管为理想二极管。
5、已知稳压管的稳压值vz＝6v，稳定电流的最小值izmin＝5ma。求电路中vo1和vo2各为多少伏。
常用半导体材料
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