第六章常用半导体器件。
第一节二极管。
一、填空。1、n型半导体以导电为主，p 型半导体以导电为主。
2、二极管具有单相导电性，时导通，时截止。
3、二极管伏安特性曲线是指二极管两端的和管中的关系曲线由和特性组成。
4、普通二极管的参数主要有、和。
5、为确保安全，一般规定最高反向工作电压为反向击穿电压的。
6、小功率二极管的极性，可以通过其外壳上的色圈来识别，靠近色圈的是。
二、单项选择题。
1．二极管两端加上正向电压后（ ）
a．立即导通b．超过击穿电压就导通。
c．超过饱和电压就导通 d．超过死区电压就导通。
2．用万用表欧姆档测量小功率二极管的极脚和判断其质量时，应把欧姆档拨到（ ）
a．r×100或者r×1k b．r×10 c．r×1 d．r×10k
3．半导体中以自由电子导电为主，这种半导体是（ ）
a．p型半导体 b．n型半导体 c．本征半导体 d．掺杂半导体。
4．硅二极管两极脚的电位如图，工作在导通状态的是（ ）
5．把电动势为1.5v的干电池以正向接法接到一个硅二极管的两端，则（ ）
a．电流为零b．二极管基本正常。
c．击穿d．被烧坏。
6．分别用欧姆档的r×100档测量二极管的正反向电阻，发现两次测量的结果差别较大，这是因为（ ）
a．二极管已被击穿 b．二极管内部断路。
c．二极管的质量差 d．二极管的***。
7．分别用欧姆档的r×100和r×1k 档测量二极管的正向电阻，发现两次测量的结果差别较小，这是因为（ ）
a．二极管已被击穿 b．二极管内部断路。
c．二极管是非线性原件 d．不能用不同的档位测量同一个二极管。
8．用万用表测量小功率二极管极性时，应选用（）。
a．直流电压挡量程5v b．直流电流挡量程100ma
c．交流电压挡量程10v d．电阻挡量程r×100
9.．二极管的主要特性就是( )a. 整流b.
稳压 c. 单向导通d. 反向击穿10．如2图所示电路，二极管导通电压均为0.
7v，当v1=10v，v2=5v时，则输出电压vo为（）。
a．3.87v b．4.3v c．8.37vd．9.3v
3图2图。11.如3图所示为用ewb来演示二极管特性的电路，已知二极管为硅管，当开关接通电路时，电压表的示数应为。
a.12v b.-12vc.0.7vd.-0.7v
12、二极管导通后，当流过它的电流增加一倍时，它两端的电压将（ ）
a.增加一倍 b. 略有增加 c. 增加一倍以上 d、减小
13、稳压二极管一般工作在（ ）
a.放大区 b. 截止区 c.反向击穿区 d、饱和区
14、如图所示电路中，vd1、vd2的状态是（ ）
a. vd1导通、vd2截止 b. vd1截止、vd2导通
c. vd1、vd2都导通 d. vd1、vd2都截止
15、.用万用表测试同类型的四只二极管的正反向阻值如图1-4所示，较好的二极管是。
16、．电路如图1-5所示，导通的二极管是。
17.如图i-i所示，vdi、vd2的状态是( )
a. vd1导通，vd2截止b．vd2导通，vd1截止。
c．vd1、vd2都导通d．vdl、vd2都截止。
二、简答和计算
1、（5分）判断图中abcd四只理想二极管的状态，分析v0的值是多少。
2．用万用表判断普通硅二极管极性的方法如图6—3—10所示，请根据检测结果说明二极管的正、负极．
3.画出右图电路中的uab的波形。（设ui=6sinwtv,二极管是理想二极管）（5分）
第二节三极管习题。
1、填空。1、三极管根据结构不同可分为和两种类型。三极管的结构有三区、、，三极、 、两结 、
2、晶体三极管工作在饱和区和截止区时，具有特性，可应用于脉冲数字电路中。
3、某工作在放大区的三极管，如果当ib从12μa增大到22μa，ic从1ma变为2ma，则它的放大倍数β为。
4、要使三极管具有电流放大作用，发射结必须加电压，集电结必须加电压。
5、三极管三个电极的电流存在关系。
6、三极管有三个工作状态，即 、 和状态， 状态具有放大作用。
7、三极管工作在截止状态时，相当于开关 ；工作在饱和状态时，相当于关 。
二、单选题。
1. npn、pnp三极管作放大时， 其发射结( )
a. 均加反向电压 b. 均加正向电压
c. npn管加正向电压、pnp管加反向电压。
d. pnp管加正向电压、npn管加反向电压。
2、npn 型三极管处于饱和状态，各级电位关系是（ ）
ab、cd、
3、三极管输出特性曲线是（ ）两者之间关系曲线。
a、 vce 一定， ib vbe b 、ib 一定， ic vce
c、vce 一定， ib vc d 、vce 一定 ，ib vbe
4．有人在检修电视机电路板时，用直流电压表测得某放大电路中某三极管三个电极对地的电位分别为v1=2v、v2=6v、v3=2.7v，则（）。
a．1为c，2为b，3为eb．1为b，2为e，3为c
c．1为b，2为c，3为ed．1为e，2为c，3为b
5．在电路板上测得硅三极管的三个极的电位如图所示，则工作在饱和状态的三极管是( )
6、三极管作放大管时一般工作在（ ）
a.放大区 b. 截止区 c. 饱和区 d、击穿区。
7、一三极管三个极的对地电位分别有vc=3.3v，ve=3v，vb=3.7v，则该管工作在。
a. 放大区 b. 饱和区 c.截止区 d、 击穿区。
8、一三极管三个极的对地电位分别是6v，5.4v，9v，则该管是（ ）
a. npn硅管 bb. npn锗管 硅管 锗管。
9、下列是三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管为。
a、vb=0.7v ve=0v vc=0.3v b、vb=-6.7v ve=-7.4v vc=-4v
c、vb=-3v ve=0v vc=6vd、都相等。
10、三极管发射极电流满足ic≈vcc/rc时，三极管工作在。
a.放大区b.截止区
c.饱和区d.过损耗区。
11、某npn型晶体管β=50，ie=2ma,则ic约等于（ ）
a. 40μa b. 1.96ma c. 98ma d. 24.5ma
12、npn型晶体管处于放大状态时，各极电位关系是（ ）
a. vc>vb>veb. vcc. vc>ve>vbd. ve>vc>vb
13．用万用表r×100档判断三极管基极时，黑表笔接触一直管脚，红表笔分别接触另外两只管脚，则（ ）
a．当两次测量结果较大时，红表笔接触的是基极。
b．当两次测量结果较小时，黑表笔接触的是基极。
c．当两次测量结果一大一小时，黑表笔接触的是基极。
d．当两次测量结果相等时，红表笔接触的是基极。
14．三极管的pcm=100mw，icm=20ma，uceo=30v，如果接在ic=15ma，uce=20v的电路中，则该三极管（ ）
a．工作正常b．被击穿。
c．功耗太大过热甚至烧坏 d．放大能力下降。
15．在放大电路中，测得某三极管的电流如图所示，则该三极管的管脚顺序和类型是（ ）
a．ceb、npn b．ceb、pnp
c．cbe、npn d．bce、pnp
16.工作在放大区的三极管，当ib从20a增大至40a时，ic从1ma变为2ma，β值。
a. 50 b．100 c．500 d. 1000
17、.测得放大电路中某只三极管三个管脚的电位分别为2.8v、3.5v，6v，则三个管。
脚依次为( )
18在检测三极管管脚极性时，万用表黑表笔固定在某一管脚，红表笔分别接另外两管脚，两次阻值均较小，则黑表笔所接管脚及三极管管型为( )
a.基极、npn型 b.基极、pnp型。
c．发射极、npn型 d.集电极、pnp型。
三、技能题。
1、一只处于放大状态的三极管，测得v1= —9.5v，v2= —5.5v，v3= —6.2v。请分析该三极管的材料、类型、极脚。
2、某同学用万用表测量正常放大状态的三极管的电压如图2_5所示，请判断三极管的管脚名称、类型和材料。
第三节晶闸管。
常用半导体材料
第一章常用半导体材料。1 选择题。1 pn结加正向电压时，耗尽层将 a.变窄 b.基本不变 c.变宽 d.不确定。2 当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结应为 a.前者正偏 后者正偏 b.前者正偏 后者反偏 c.前者反偏 后者正偏 d.前者反偏 后者反偏。3 在一个由npn型晶体管构成的放大电路中...
半导体材料
1.简述半导体材料的概念，特征及发展历史，并分别表明代表性的材料。2.杂质条纹，组分过冷，硅单晶质量检测的要求。3 简述晶体生长的三种方式 均匀成核与非均匀成核 简述晶体长大的三种动力学模型及其要点 光滑面与粗糙面的定义。4.简述硅锗单晶的生长方法及定义。5 简述硅锗的杂质的分类 简述杂质对材料性能...
半导体材料
半导体材料的类型。半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体 无机化合物半导体 有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。半导体材料的晶体结构有金刚石型，闪锌矿型，纤锌矿型以及nacl型。而其中金刚石型的有si，金刚石...