递质释放入突触间隙后，经扩散抵达突触后膜，作用于后膜上的特异性受体或化学门控通道，引起后膜对某些离子通透性的改变，使某些带电离子进出后膜，突触后膜即发生一定程度的去极化或超极化。这种发生在突触后膜上的电位称为突触后电位。
突触后膜在递质（注：是兴奋性递质）作用下发生去极化，使该突触后神经元的兴奋性升高，这种去极化电位变化称为兴奋性突触后电位。
突触后膜在递质（注：是抑制性递质）作用下发生超极化，使该突触后神经元的兴奋性下降，这种超极化电位变化称为抑制性突触后电位。比如说：
抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上配体门控cl-通道开放。这种配体门控通道和上述引起兴奋性突触后电位的通道不同，它的开放引起cl-内流，结果突触后膜发生超极化。
突触后神经元的兴奋与抑制决定于同时产生的突触后电位的总和。问题：突触前抑制产生是由于突触前膜：a.产生超极化b.递质耗竭。
c.释放抑制性递质d.兴奋性递质释放减少e.抑制性中间神经元兴奋答案：本题选d。
当兴奋传到神经未梢时，突触前膜发生去极化，当去极化达一定水平时，突触前膜上的电压门控ca2+通道开放，细胞外的ca2+进入突触前末梢的轴浆内，导致轴浆内ca2+浓度的瞬间升高，由此触发突触小泡的出胞，即引起末梢递质的释放（transmitter）的量子式释放。递质的释放量和进入轴浆的ca2+量呈正相关。兴奋性递质释放的量的减少，则产生突触前膜的抑制。
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