简答题答案:
1. 请描述此模型模拟的物理过程。
此模型模拟了静电力驱动的多晶硅材料的弹性悬臂梁平行电容板被加上低频电压后,在静电力作用下,悬臂梁弯曲变形以及电场之间的关系。当两极板间存在电势差时,悬臂梁会受到静电力作用而发生形变;而悬臂梁的形变会产生应力,同时使电场发生改变。当加在两极板间的电压一定且小于pull-in voltage时,系统最终会达到平衡,此时静电力等于悬臂梁形变产生的应力。
2. 请解释1d plot group 3,1d plot group 4,1d plot group 5分别描述了什么。
1d plot group 3描述了在不同压力下,悬臂梁在不同位置处的z向形变;1d plot group 4描述了悬臂梁自由端在不同电压下的z向形变;1d plot group 5描述了电压变化时,两极板间电容的变化。
3. 通过此教程,请描述comsol模拟物理场建模的过程。 (提示:
请从以下几个方面描述,1.根据几何尺寸构建物理模型;2.设置边界条件;3.
设置材料参数;4.划分网格5.计算以及结果处理)
1) 建立几何模型。
在model中新建geometry,然后在geometry中建立几何模型;
2) 设置边界条件。
在model的electromechanics输入边界条件,包括对称边界、接地、输入电压等;
3) 设置材料参数。
比如材料的杨氏模量、泊松比、介电常数等;
4) 网格设置。
网格间隙可以根据扫描间隔来设定。
5) 边界驱动条件设置及计算。
在study中设置边界驱动条件,然后开始计算。
6) 结果显示。
设置需要显示的计算结果并画图。
MEMS作业
1 在加速度为1g的情况下,找到电容的相对变化。答 由多晶硅的物理参数可知,其弹性模量e 144gpa,密度 2.33g cm3 即 2.33 103kg m3 由已知条件可知,多晶硅基底体积v a t 100 m 100 m 2 m 2 104 m3 得其质量m v 所受重力g mg 假设电容器的...
MEMS作业
1.叙述湿法腐蚀技术的主要工艺流程。湿法刻蚀 利用合适的化学试剂先将未被光刻胶覆盖的晶体部分氧化分解,然后通过化学反应使一种或多种氧化物或络合物溶解来达到去除目的,包括化学腐蚀和电化学腐蚀。2.叙述干法腐蚀技术的主要工艺流程。干法刻蚀 利用辉光的方法产生带电离子以及具有高度化学活性的中性原子与自由基...
MEMS设计结课作业
上面 为该课程最终成绩记入方法。2011 2012学年第2学期。mems cad 课程结业试题。本结业试题包括 一 理论部分 二 综合设计实验部分 三 本课程主要内容总结报告。拟题教师 谭秋林 e mail 一 理论部分。1 按您的理解,请阐述运用ansys软件进行分析求解问题的基本步骤和思路。结合...