课前复习：
sdram 突发传输同一行起始地址。
norflash 读 ce#低 oe#低 we#高 a0~a18 d0~d7
擦出写1 片 6个周期 6s
块 6个周期 0.7s
写写04个周期 ain 9μs
字节编程din
nand flash 4096块 32页 （512+16）字节。
64m+2m）
cle高 ale低i/o 命令。
cle低 ale高i/o 地址。
cle低 ale低i/o 数据。
发命令——发地址——数据。
图上没有a8,a8是由以下两条命令提供。
读上半页命令 00h a8=0
读下半页命令 01h a8=1
a0~a7属于[0,255] )
正文：2.读操作。
读上半页。发出命令00h→4个周期地址→经过15μs数据从页送往寄存器→从i/o读数据。
读下半页。01h→4个周期地址→经过15μs数据从页送往寄存器→从i/o读数据。
读备用区。50h→4个周期地址→经过15μs数据从页送往寄存器→从i/o读数据。
a0~a3 a4~a7 忽略。
多页连续读。
页内最后一列被读出后，下一页数据自动被载入页寄存器。
15μs3.写操作（页编程200μs
80h→4个周期地址→写数据到页寄存器→10h→芯片自动写入。
通过 r/b# （高结束）
flash状态寄存器第6位（1结束）
cpu通过flash状态寄存器第0位判断是否成功（0成功）
4.块擦除 4096块=212
60h→3个周期地址→d0h→芯片自动擦出。
2μsa14~a16 a9~a13 忽略。
a17~a24
a255.块保护。
41h：禁止写。
命令 42h：禁止擦出。
43h：禁止写和擦出。
41h~43h→80h→块地址（4个周期）→10h→芯片自动执行。
200μsa0~a7 全0
a9~a13 a14~a16 全0
a17~a24
a256.器件id读操作。
90h→00h→厂家id、器件id、第三附属id、第四附属id
7.复位操作（可以终止正在进行的读、写、擦出操作）
读 5μsffh 写 10μs
擦出 500μs
六、norflash和nandflash比较（必考！！！10分左右）
接口差别： nor 提供足够的地址引脚寻址；
nand采用8个位引脚传递命令、地址和数据。
性能差别： nor地址线和数据线分开，传输效率高，读取速度比nand快，但擦出和写入速度要比nand慢得多。
容量和成本：nand容量大于nor容量，成本低与nor。
可靠性和耐用性：nand擦写次数约为100万次，nor约为10万次；尺寸上nand比nor小8倍，nand容易发生位翻转，可靠性略差。
软件支持：在nor上运行**不需要任何软件支持；在nand上进行同样操作需要驱动程序，即内存技术驱动程序（mtd）
市场取向比较：nor用于对数据可靠性要求比较高的**存储应用，如通信产品和网路处理等领域；nand则用于存储容量较高的***、存储卡、u盘等领域、
七、s3c2410 / s3c2440地址空间划分。
逻辑地址空间：232=4g
外部地址空间：1g 0x0000_0000~0x4000_0000 (_用于4位一区分，只是个符号，无具体意义)
内部地址空间：3g（寄存器地址范围0x4800_0000~0x5fff_ffff，剩余空间闲置）
1.外部地址空间划分。
cpu提供8个片选引脚ngcs0~ngcs7
128m=227
cpu又引出27根引脚用于地址选择。
s3c2410 gpio117
其余全为专用引脚272
2.内部地址空间。
存储控制器（sdram）：0x4800_0000~0x4800_0030
中断控制器：0x4a00_0000~0x4a00_001c
nand flash：0x4e00_0000~0x4e00_0014
uart：0x5000_0000~0x5000_8028
usb：0x5200_0140~0x5200_026f
i2c：0x5400_0000~0x5400_000c
a / d：0x5800_0000~0x5800_0010
七、内存管理单元。
虚拟地址： 32cpu 0x00000000~0xffffffff为虚拟地址空间；期中某个地址为虚拟地址va
将虚拟地址转换为物理地址。
控制内存访问权限。
地址转换原理。
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