1．例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个生产区域做简单描述。（20分）
答：芯片厂中通常分为扩散区、光刻区、刻蚀区、离子注入区、薄。
膜生长区和抛光区6个生产区域：
扩散区是进行高温工艺及薄膜积淀的区域，主要设备是高温炉和湿法清洗设备；
光刻区是芯片制造的心脏区域，使用黄色荧光管照明，目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上；③刻蚀工艺是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形；
离子注入是用高压和磁场来控制和加速带着要掺杂的杂质的气体；高能杂质离子穿透涂胶硅片的表面，形成目标硅片；⑤薄膜生长主要负责生产各个步骤中的介质层与金属层的淀积。
抛光，即cmp（化学机械平坦化）工艺的目的是使硅片表面平坦化。
2．离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？（10分）答：氧化层保护表面免污染，免注入损伤，控制注入温度。
3．离子注入后为什么要进行退火？（10分）答：推进，激活杂质，修复损伤。
4．光刻和刻蚀的目的是什么？（20分）
答：光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。
5．为什么要采用ldd工艺？它是如何减小沟道漏电流的？（10分）答：
沟道长度的缩短增加了源漏穿通的可能性，将引起不需要的漏电流，所以需要采用ldd工艺。轻掺杂漏注入使砷和bf2这些较大质量的掺杂材料使硅片的上表面成为非晶态。大质量材料和表面非晶态的结合有助于维持浅结，从而减少源漏间的沟道漏电流效应。
6．为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？（10分）
答：因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻印和刻蚀，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的cd线宽。
随着栅的宽度不断减少，栅结构（源漏间的硅区域）下的沟道长度也不断减少。晶体管中沟道长度的减少增加了源漏间电荷穿通的可能性，并引起了不希望的沟道漏电流。7、描述金属复合层中用到的材料？
(10分)答：采用三明治金属结构，包括：
1）淀积ti，使钨塞和下一层金属良好键合，层间介质良好键合；（2）al,au合金，加入铜抗电迁移；
3）tin作为下一次光刻的抗反射层；
8、sti隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？(10分)
答：采用干法刻蚀，是为了保证深宽比。
半导体材料作业
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半导体物理作业答案
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