一、证明：1、体心立方晶格的倒格子是面心立方；面心立方的倒格子是体心立方。
2、倒格矢垂直于密勒指数为的晶面族。
二、已知半导体gaas具有闪锌矿结构。ga、as两原子的最近距离为，试求：1、它的晶格常数。
2、原胞基矢以及倒格子基矢。3、密勒指数为（110）晶面的面间距，以及ga（111）晶面与as（111）晶面间的距离。
三、 锗硅半导体材料具有金刚石结构，设其晶格常数为a,1、 画出面二维格子的原胞，并给出它的基矢；
2、画出二维倒格子点阵和第一布里渊区，该区与布拉格反射的关系如何？
四、一晶体原胞基矢大小，，，基矢间夹角，，。试求：倒格子基矢的大小；正、倒格子原胞的体积；正格子(210)晶面族的面间距。
五、如图所示，设二维正三角形晶格相邻原子间距为a，试求：
1、正格子基矢和倒格子基矢；
2、画出第一布里渊区，并求出第一布里渊区的内接圆半径。
六、考虑一个abab…ab原子线，a-b键长为，如图所示，a，b原子的散射因子分别为和，入射x射线垂直于原子线。
1、 给出θ方向（θ是衍射光束与原子线之间的夹角）衍射加强条件；
2、计算衍射强度；（3）讨论情况。
七、用波长为λ 的x射线，照射晶格常数为a 的金刚石结构晶体，问要得到衍射面指数为（220）的衍射斑点，对应的布拉格角应是多少？
八、试求面心立方结构、体心立方结构和金刚石结构的几何结构因子；并讨论其衍射消光条件。
九、用钯靶x射线投射到nacl晶体上，测得其一级反射的掠射角为5.9°，已知nacl晶胞中na＋与cl－的距离为，晶体密度为。求：
1、x射线的波长；
2、阿伏加德罗常数。
第二章习题
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第二章习题
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第二章习题
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