姓名 name工号employee no部门department得分score:
一、 填空题(28)
1、我们公司主要使用的太阳能电池材料是_单晶硅_。
2、化学清洗中hcl的作用_去除金属离子_。
3、我们公司生产的单晶硅片是n型还是p型硅_p型_。
4、 制绒的目的是:去除表面污垢和金属杂质、去除硅片表面的损伤层、增加pn结的表面积、形成绒面减少反射增强阳光的吸收。
5、制绒工艺化学反应方程式__si+naoh→na2sio3+h2__。
6、去psg工艺化学总方程式__sio2+hf→h2sif6+h2o__。
7、硅片在切割的过程中所造成的损伤层约__10um左右。
8、制绒工艺主要控制点__减薄量__、反射率___外观__、绒面成活率__。
9、单晶制绒是利用晶体硅的___100__、111___不同晶向在__碱溶液___中进行__ 各向异性___腐蚀的特性。
10、扩散过程中应用气体n2、o2、__小n___
11、扩散在电池片上主要目的是形成一层_pn结___
12、进入扩散间必须经过二次风淋,穿戴好_洁净服___静电鞋、口罩、 乳胶手套。
13、扩散方块电阻不均匀度__≤10%__同一硅片扩散方块电阻不均匀度_≤5%__
14、检测方块电阻用到_四探针___仪器,测试时扩散面向__上___
15、清洗石英器件所需要的化学品__hf___hcl2___清洗时应戴好积防毒面具,防酸服,戴好乳胶手套、防酸长手套。
16、pocl3在高温下(>600℃)分解的反应式为__(5pocl3≥600 3pcl5+ p205),其中生成的p2o5在扩散温度下与硅反应式为(2p2o5+5si=5sio2+4p),在有氧气的存在时,pocl3热分解的反应式为(pocl3+o2=2 p205+6cl2)。
17、pecvd的中文名称:等离子体增强化学气相沉积。
18、pecvd镀膜方式有直接式、间接式两种。
19、镀减反射膜需要用到sih4、nh3、n2、压缩空气四种气体。
20、镀膜是以膜厚、折射率两个参数为工艺依据,影响镀膜质量的有:管内特气流量比、压强、功率、时间(或传输速度)、温度。
21、pecvd用椭偏仪仪器来检测其质量的好坏。
22、丝网印刷机的压缩空气压强要求 0.6—0.8mpa ,真空压强要求 -0.65—-0.7mpa
24、丝网印刷有五大要素组成,分别是丝网、刮刀、浆料、工作台以及基片
25、丝网印刷添加浆料必须遵守少量多次。
26、烧结炉的作用是烘干浆料,去除浆料中的有机成分;提高电池片的开路电压和填充因子,使其具有电阻特性;通过高温烧结,使上下电极形成良好的欧姆接触;提高电池片的转换效率。
27、烧结炉的流程有上料区 、 烘干区 、 预、主)烧结区 、 回温区(冷却区)、 下料区。
28、烧结炉的关机步骤需要注意的是炉温降到200度以下时 ,才可以停止传送带。
29、测试条件要求光强 1000±50w/m2 、温度 25±20c 、光谱分布 am1.5 。
二、选择题(12)
1、清洗间所涉及的化学品有( abcd )。
a 氢氧化钠 b 氢氟酸 c 盐酸 d 硝酸。
2、磷硅玻璃是有( bc )组成。
a cf4b sio2c 磷d sif4
3、刻蚀工艺会影响电池片的哪项电性能?( a )
a 并联电阻 b 开路电压 c 短路电流 d 串联电阻。
4、下列方程式中属于刻蚀工艺的是( c )
a sif4+2hf→h2[sif6]
b cf4+sio2 ——sif4+co2↑
c cf4+sio2 +o2——→sif4+co2↑
d sio2+4hf——→sif4+2h2o
5、单晶绒面呈( b )形。
a 三角形b 金字塔形c 圆形 d 正方形
6、扩散洁净度要求是___c___
a 10万级 b 100万级 c 1万级 d 1000万级。
7、电阻测试___c___个点。
a 4 b 3 c 5 d 6
8、硅片扩散工艺结束后应抽取__a___片来检测。
a 5 b 6 c 3 d 4
9、pocl3是一种__d___液体。
a 白色 b 红色 c 浮白色 d 无色
10、减反射膜的化学式是。( a )
a、3sih4+4nh3=si3n4+12h2b、cf4+si+o2=sif4+co2
c. si+naoh=na2sio3+h2d. h2+o2=h2o
11、电池片镀膜的厚度是利用光学中的___原理来减少反射。( c )
a、光程差b、相长干涉。
c、相消干涉d、光的衍射。
12、电池片sinx:h薄膜镀膜厚度和折射率一般控制在( b )
a、65nm, 1.8—1.9b. 75+5nm, 2.0—2.1
c. 85+5nm, 2.2---2.3d. 50—60nm, 2.5---2.6
三。连线题(3分)
snap-off网版上升速度。
printing speed回刮浆料速度。
pressure丝网间距。
speed upward压力。
flood speed印刷速度。
四。判断题(5分)
1.在操作过程中可以裸手拿取硅片。
2.丝网间距的调整原则是:在保证印刷质量的前提下,网板间距越大越好。
3.背电场印刷、背电极印刷和正电极印刷使用了三种不同的浆料,使用过程中要严格区分开,杜绝混用现象出现。
4.烘箱的工艺数和烧结的工艺参数不允许随意更改。
5.直视测试仪闪光灯对人眼伤害的危险。
五、问答题(52分)
1、写出太阳能电池片产业链的分布流程?
答:太阳能级硅材料→硅棒和硅片→电池片→组件→系统和应用。
2、写出太阳能电池片的生产工艺制造过程?
答:来料检验——清洗制绒面——扩散(制p/n结)——周边)刻蚀——pecvd(镀减反射膜)——丝网印刷(正负电极)——烧结——分类检测——包装入库。
3、 刻蚀及去psg的目的?
答:刻蚀的目的:去除边缘的pn结,防止上下短路而造成的并联电阻低。
去psg的目的:去除硅片表面含有磷原子的sio2层。
4、 边缘刻蚀冷热探针的工作原理?
答:热探针和n型半导体接触时,传导电子将流向温度较低的区域,使得热探针处电子缺少,因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。同样道理,p型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。
此电势差可以用简单的微伏表测量。
5、 分别写出刻蚀及去psg的工艺控制流程?
答:刻蚀的流程; 预抽,主抽,送气,辉光,清洗,预抽,主抽 ,充气。
去psg的流程: 酸洗(hf),溢流水洗,喷淋,甩干
6、 简述太阳能电池片制造pecvd的目的及原理?
答:目的:在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-sin膜。
pecvd技术原理:是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。
7、 什么是等离子体?
答:等离子体:由于物质分子热运动加剧,相互间的碰撞就会使气体分子产生电离,这样物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。
8、 磷源更换操作流程是什么?泄露应该怎么处理?
答:源瓶更换的标准操作过程依次关闭进气阀门、出气阀门,拔出连接管道,更换源瓶,连接管道,打开出气阀门、进气阀门。液态源外溢了,要立即擦拭干净,并暂停工艺运行,仔细检查源瓶是否有破损。
对泄漏物处理必须戴好防毒面具和手套。液体泄漏用沙土混和,倒至大量水中以稀释。沾染**时,要先用纸、棉花将液体吸去,然后再用清水冲至少15分钟。
如用水过少,会在**形成磷酸引起灼伤,按酸灼伤处理。
9、 扩散间生产流程及返工流程是什么?操作时应注意哪些事项?
答:生产流程:开机→对硅片自检→检查石英舟→插片→上浆→运行工艺→卸片→测方块电阻。
返工片和碎片处理→流程卡填写返工流程:来料时检出不合格的片源→制绒,扩散时中途故障导致→清洗间→扩散间→反面扩散。 在生产操作时严禁裸手接触硅片,拿各种石英器件要轻拿轻放,工艺在运行时,时刻检查气体流量、温度、时间、设备是否有异常。
10、分别写出丝网印刷背极、背场、正极的目的、作用和使用的浆料以及烘箱的作用?
答: 目的背电极---在太阳电池背面丝网印刷印上引出电极。
背电场---通过烧结穿透背面pn结,和p型硅形成良好的欧姆接触。
正电极---在太阳电池正面丝网印刷银浆形成正电极。
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