mos管分四种，n沟道增强型和耗尽型，p沟道增强型和耗尽型。箭头指向g的且带虚线的为n增强，没有虚线的为n耗尽。箭头背向g端的且带虚线的为p增强，不带虚线则为p耗尽。
希望说的你能明白，小妹新手，多多关照！有没说清楚的继续，呵呵···
场效应管。三极管开关电路基础发布时间：2008-12-08 23:08:32
三极管简介：
三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观，有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是npn型三极管，而箭头朝内的是pnp型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。
图1双极面结型晶体管有两个类型：npn和pnp。npn类型包含两个n型区域和一个分隔它们的p型区域；pnp类型则包含两个p型区域和一个分隔它们的n型区域，图2和图3分别是它们的电路符号。
以下的说明将集中在npn bjt。
图2: npn bjt 的电路符号。
图3: pnp bjt 的电路符号。
bjt工作于三种不同模式：截止模式、线性放大模式及饱和模式，见图4。
图4 四种工作模式。
bjt在电子学中是非常重要的元件。它们被广泛应用在其他展品中，特别是模拟电路里的放大器和数码电路里的电子开关。
开关电路原则。
a. bjt三极管transistors 只要发射极e 对电源短路就是电子开关用法。
n管发射极e 对电源负极短路。 低边开关 ;b-e 正向电流饱和导通。
p管发射极e 对电源正极短路。高边开关；b-e反向电流饱和导通。
b. fet场效应管mosfet 只要源极s 对电源短路就是电子开关用法。
n管源极s 对电源负极短路。 低边开关 ;栅-源正向电压导通。
p管源极s 对电源正极短路。高边开关 ;栅-源反向电压导通。
总结：低边开关用 npn 管。
高边开关用 pnp 管。
三极管 b-e 必须有大于 c-e 饱和导通的电流
场效应管理论上栅-源有大于漏-源导通条件的电压就就ok
假如原来用 npn 三极管作 ecu 氧传感器加热电源控制低边开关。
则直接用 n-channel 场效应管代换 ;或看情况修改下拉或上拉电阻。
基极--栅极。
集电极--漏极。
发射极--源极。
npn和pnp 开关三极管。
1）我把 npn三极管看成一个三个脚继电器。
基极---就是一个小电流的。继电器的信号吧。
集电极---可以说是正极吧。
发射极---可以说负极吧。
有一个小电流流入了基极的话那么集电极和发射极就会通。
2）pnp三极管看成一个三个脚继电器。
基极---就是一个小电流的继电器信号。
集电极---可以说是正极吧。
发射极---可以说负极吧。
有一个小电流流出了基极的话，那么集电极和发射极就会通。
三极管vs场效应管。
三极管 bjt---transistors电流驱动。
场效应管 --fet电压驱动。
mos场效应管 mosfet电压驱动。
2n7002 ic产品型号的一种
晶体管极性：n沟道
漏极电流， id 最大值：280ma
电压， vds 最大：60v
开态电阻， rds(on):5ohm
电压 @ rds测量：10v
电压， vgs 最高：2.1v
功耗：0.2w
工作温度范围：-55to 150
封装类型：sot-23
针脚数：3
svhc(温度关注物质):cobalt dichloride (18-jun-2010)
smd标号：702
功率， pd:0.2w
外宽：3.05mm
外部深度：2.5mm
外部长度/高度：1.12mm
封装类型：sot-23
带子宽度：8mm
晶体管数：1
晶体管类型：mosfet
温度 @ 电流测量：25°c
满功率温度：25°c
电压 vgs @ rds on 测量：10v
电压， vds 典型值：60v
电流， id 连续：0.115a
电流， idm 脉冲：0.8a
表面安装器件：表面安装
通态电阻， rds on @ vgs = 10v:5ohm
通态电阻， rds on @ vgs = 4.5v:5.3ohm
阈值电压， vgs th 典型值：2.1v
阈值电压， vgs th 最高：2.5v
svhc(高度关注物质)(附加):bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (dehp) (18-jun-2010)
2011-05-07 06:39:32|分类： 电路硬件设计 |标签： |字号大中小订阅
现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了pfc技术外，在元器件上的开关管均采用性能优异的mos管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。由于mos管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，在应用上；驱动电路也比晶体三极管复杂，致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难，此文即针对这一问题，把mos管及其应用电路作简单介绍，以满足维修人员需求。
一、什么是mos管。
mos管的英文全称叫mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。因此，mos管有时被称为绝缘栅场效应管。在一般电子电路中，mos管通常被用于放大电路或开关电路。
1、mos管的构造；
在一块掺杂浓度较低的p型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的n+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极d和源极s。然后在漏极和源极之间的p型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极g。这就构成了一个n沟道（npn型）增强型mos管。
显然它的栅极和其它电极间是绝缘的。图1-1所示 a 、b分别是它的结构图和代表符号。
同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的n型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的p+区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个p沟道（pnp型）增强型mos管。图1-2所示a 、b分别是p沟道mos管道结构图和代表符号。
图1 -1-a
图1 -2-a
2、mos管的工作原理：图1-3是n沟道mos管工作原理图。
图1-3-a
图1-3-b
从图1-3-a可以看出，增强型mos管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的pn结。当栅-源电压vgs=0时，即使加上漏-源电压vds，总有一个pn结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道（没有电流流过），所以这时漏极电流id=0。
此时若在栅-源极间加上正向电压，图1-3-b所示，即vgs＞0，则栅极和硅衬底之间的sio2绝缘层中便产生一个栅极指向p型硅衬底的电场，由于氧化物层是绝缘的，栅极所加电压vgs无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容，vgs等效是对这个电容充电，并形成一个电场，随着vgs逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在这个电容的另一边就聚集大量的电子并形成了一个从漏极到源极的n型导电沟道，当vgs大于管子的开启电压vt（一般约为 2v）时，n沟道管开始导通，形成漏极电流id，我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，一般用vt表示。控制栅极电压vgs的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流id的大小的目的，这也是mos管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。
3、mos管的特性；
上述mos管的工作原理中可以看出，mos管的栅极g和源极s之间是绝缘的，由于sio2绝缘层的存在，在栅极g和源极s之间等效是一个电容存在，电压vgs产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压vgs决定了漏极电流的大小，控制栅极电压vgs的大小就可以控制漏极电流id的大小。这就可以得出如下结论：
1） mos管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件。
2） mos管道输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。
4、mos管的电压极性和符号规则；
图1-4-a 是n沟道mos管的符号，图中d是漏极，s是源极，g是栅极，中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是n沟道的mos管，箭头向外表示是p沟道的mos管。
在实际mos管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接，所以在符号的规则中；表示衬底的箭头也必须和源极相连接，以区别漏极和源极。图1-5-a是p沟道mos管的符号。
mos管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同，n沟道的类似npn晶体三极管，漏极d接正极，源极s接负极，栅极g正电压时导电沟道建立，n沟道mos管开始工作，如图1-4-b所示。同样p道的类似pnp晶体三极管，漏极d接负极，源极s接正极，栅极g负电压时，导电沟道建立，p沟道mos管开始工作，如图1-5-b所示。
图1-4-a
n沟道mos管符号图1-4-b
n沟道mos管电压极性及衬底连接。
图1-5-a
p沟道mos管符号图1-5-b
p沟道mos管电压极性及衬底连接。
5、mos管和晶体三极管相比的重要特性；
1）．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图1-6-a所示是n沟道mos管和npn型晶体三极管引脚，图1-6-b所示是p沟道mos管和pnp型晶体三极管引脚对应图。
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