东北农业大学网络教育学院。
电子技术ii本科网上作业题。
半导体器件。
一、 判断题。
1．晶体管由两个pn结组成，所以能用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。(
2．因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。(
3．二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。(
4．n型半导体的多数载流子是电子，因此n型半导体带负电。(
5．二极管是根据pn结单向导电的特性制成的，因此二极管也具有单向导电性。(
6．当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由p型和n型半导体中少数载流子的漂移运动形成的。(
7．二极管的电流—电压关系特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性。(
8．若晶体管发射结处于正向偏置，则其一定处于截止状态。(
9．空穴和自由电子一样，都是载流子。(
10．在外电场作用下，半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。(
11．常温下，硅晶体管的ube＝0．7v，且随温度升高ube增加。(
12．稳压二极管的稳定电流是指稳压管工作时允许通过的最大电流。超出此值，稳压管将损坏。(
13．p型半导体是在本征半导体中，加入少量的五价元素构成的杂质半导体。(
14．在n型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。(
15．在p型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。(
16．当外加反向电压增加时，pn结的结电容减小。(
17．一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。(
18．晶体管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。(
19．当外加电压为零时，pn结的结电容最小。(
20．当反向电压小于反向击穿电压时．二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。(
21．工作在导通状态下的二极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作点的变化而变化。(
22．晶体管的环境温度不变，其输入电阻和放大倍数是固定不变的。
23．当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流，且uce小于buceo时，晶体管就能安全工作。(
24．二极管的正向特性曲线较陡，因此能起到稳压作用。(
25．二极管电压—电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系。(
26．当加在二极管两端的电压一定时，流经二极管的反向电流还会随环境温度的改变而改变。(
27．基极开路、集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流，叫晶体管的穿透电流。(
28．无论是哪种类型的晶体管，当工作于放大区时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。
29．一般说来，晶体管的交流电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，则β增大。(
30．稳压二极管的动态电阻是指稳压管的稳定电压与额定工作电流之比。（
31．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻与工作点有关，ib愈小，输入电阻愈小。(
32．晶体管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体(n型的或p型的)构成，故e极和c极可以互换使用。(
33．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻都和工作温度有关，温度升高，rbe、rbe都减小。(
34．晶体管的穿透电流iceo是由多数载流子产生的，其大小不随温度而变化。(
二、 选择题。
1．当pn结两端加正向电压时，在pn结内参加导电的是( a )。
a．多数载流子 b．少数载流子c．既有多数载流子又有少数载流子。
2．如果二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该二极管( b )。
a．正常 b．已被击穿 c．内部断路。
3．当晶体管的两个pn结都反偏时，则晶体管处于( c )。
a．饱和状态 b．放大状态 c．截止状态。
4．当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体管处于( b )。
a．饱和状态 b．放大状态 c．截止状态。
5．晶体管处于饱和状态时，它的集电极电流将( c )。
a．随基极电流的增加而增加 b．随基极电流的增加而减小c．与基极电流变化无关，只决定于ucc和rc
6．npn型硅晶体管各电极对地电位分别为uc＝9v，ub＝0．7v，ue＝0v，则该晶体管的工作状态是( b )
a．饱和 b．正常放大 c．截止。
7．当环境温度升高时，半导体的电阻将( b )。
a．增大 b．减小 c．不变。
8．二极管的正极电位是—20v，负极电位是—10v，则该二极管处于( a )。
a．反偏 b．正偏 c．不变。
9．在二极管特性的正向导通区，二极管相当于( b )。
a．大电阻 b．接通的开关 c．断开的开关。
10．用直流电压表测量处于放大状态中的一只npn型晶体管，各电极对地的电位分别是：u1＝2v，u2＝6v，u3＝2．7v，则该晶体管各脚的名称是( b )。
a．1脚为c，2脚为b，3脚为e
b．1脚为e，2脚为c，3脚为b
c．1脚为b，2脚为e，3脚为c
a．饱和状态 b．放大状态 c．截止状态。
11．点接触型二极管比较适用于( b )
a．大功率整流 b．小信号检波 c．大电流开关。
12．面接触型二极管比较适用于( a )。
a．大功率整流 b．高频检波 c．小电流开关。
13．如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体称为( c )半导体。
a．n型 b．p型 c．本征。
14．当硅二极管加上0.4v正向电压时，该二极管相当于( b )。
a．很小的电阻 b．很大的电阻 c．短路。
15．二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为( c )。
a．齐纳击穿 b．雪崩击穿 c．热击穿。
16．对pn结加反偏电压时，参与导电的是( b )。
a．多数载流子 b．少数载流子 c．既有多数载流子，也有少数载流子。
17．载流子从浓度大的地方向浓度小的地方运动称为( b )。
a．漂移运动 b．扩散运动。
18．两个稳压值分别是8v、7.5v的稳压管用不同的方式串联起来，最多可得到的稳压值是( c )。
a．二种 b．三种 c．四种 d．五种。
19．npn型和pnp型晶体管的区别是( c )。
a．由两种不同的材料硅和锗制成 b．掺入的杂质不同。
c．p区和n区的位置不同 d．电流放大倍数不同。
20．场效应管是通过改变( b )来控制漏极电流的。
a．栅极电流 b．栅源电压 c．源极电压 d．源极电流。
21．二极管中电流( b )，晶体管中从c极到e极的电流( a )，场效应管的漏极电流( c )。
a．穿过两个pn结 b．穿过一个pn结 c．不穿过pn结 d．穿过三个pn结。
22．用万用表红表笔“十”接触某**晶体管的一只管脚，黑表笔“—”分别接触另两只管脚时，测得的电阻均较小，则说明该晶体管是( b )。
a．npn型 b．pnp型 c．不能确定。
a．本征半导体 b．n型半导体 c．p型半导体。
23．在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于( b )。
a．温度 b．杂质浓度 c．原本征半导体的纯度。
24．pn结加上反向电压时，其pn结的宽度(或空间电荷区)会( b )。
a．变窄 b．变宽 c．不变。
25．用万用表欧姆挡测试二极管的正、反向电阻时，如果用手捏紧测试笔和管子引线的接触处，这种测试方法引起显著误差的是( b )。
a．正向电阻 b．反向电阻 c．正、反向电阻误差同样显著 d．无法判断。
26．使用晶体管时，下列哪些额定值不能超过？( cd )
a．电流放大系数β b．反向饱和电流icbo c．反向击穿电压b uceo d．耗散功率pcm
三、 填空题。
1．半导体是一种导电能力介于（导体 ）与（绝缘体 ）之间的物质。
2．n型半导体主要靠（自由电子 ）来导电， p型半导体主要靠（空穴 ） 来导电。
3．pn结具有 （单向导电 ） 性能，即加正向电压时，形成的正向电流 （大 ）；加反向电压时，形成的反向电流 （小 ）
4．pn结的正向接法是p型区接电源的（正）极，n型区接电源的（负 ）极。
5．二极管的电压—电流关系可简单理解为（正向 ）导通，（反向 ）截止的特性。导通后，硅管管压降约为（0.7v ），锗管管压降约为 （0.3v ）
6．n型半导体中的多数载流子是 （电子 ） 少数载流子是（空穴 ）。
7．晶体管的三个电极分别称为 （发射 ） 极、（基 ） 极和（集电 ）极，它们分别用字母（e ）、b）和（c ）来表示。
8．为了使晶体管正常工作在放大状态，发射结必须加（正向 ）电压，集电结必须加（反向 ） 电压。
9．晶体管是由两个pn结构成的一种半导体器件，其中一个pn结叫做 （ 集电结） ，另一个叫做（ 发射结）。
10．晶体管有 （pnp ） 型和（npn ） 型两种，硅管以 （npn ） 型居多，锗管以 （pnp ） 型居多。
10电气本科电力电子技术复习题
一 填空题。1 igbt的中文名称是npn型三极管的电气符号是。2.处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极 且在门极加正向触发电压时，才能使其开通。3.造成在不加门极触发控制信号，即能使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素。一是阳极的电压上升率du dt太快，二是 4.为了保证晶闸管可靠与迅...
2019塔里木大学专业介绍机械电气化工程学院
农业电气化与自动化。一 专业培养目标。本专业培养掌握电气 电子与控制工程 电力及自动化工程 应用电子技术与计算机技术方面的基本理论和基本知识，培养具备电力系统及其自动化 生产过程电气自动化及应用电子信息技术有关的分析计算 工程设计 经营管理的能力，能够从事与电气工程有关的规划 设计 建设 系统运行 ...
2019版 电子技术课程设计
电子技术课程设计计划书。一 本次课程设计目的。进一步学习和掌握数字和模拟电子技术的工作原理，培养学生设计电子电路的能力，学会使用multisim10软件做 实验，修改 完善 验证和实现电路的设计方案。充分认识理论知识对应用技术的指导性作用，进一步加强理论知识与应用相结合的实践和锻炼。通过这次设计实践...