第一章。
1．二极管的方程。
2．在n型半导体中自由电子是多数载流子（多子），它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子（少子）, 由热激发形成。
3．二极管最重要的特性：单向导通性。
4．三极管实现放大的内因（发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。）和外因条件（发射结正偏；集电结反偏）。
6．pn结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√
7．结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其rgs大的特点。（√
8．pn结加正向电压时，空间电荷区将。（ a ）
a. 变窄 b. 基本不变 c. 变宽。
9．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。（ b ）
a. 前者反偏、后者也反偏 b. 前者正偏、后者反偏 c. 前者正偏、后者也正偏。
10．已知稳压管的稳定电压uz＝6v，稳定电流的最小值izmin＝5ma，最大功耗pzm＝150mw。试求图p1.8所示电路中电阻r的取值范围。
解：稳压管的最大稳定电流。
izm＝pzm/uz＝25ma
电阻r的电流为izm～izmin，所以其取值范围为。
11．测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
第二章。1． 晶体管的直流模型晶体管的交流流模型。
2．共射放大电路的动态分析。
1）利用直流通路求q点；
2）画出小信号等效电路(微变等效电路，简化的h参数等效电路)；
3）用电路分析方法求放大电路的交流性能指标，先求rbe,再求放大倍数、输入电阻、输出电阻等。
例（一）电路如图所示，晶体管的＝60，rbb’ =100ω。
1） c 3开路，求。
2） c3不开路，求。
解：（1） c 3开路。
利用直流通路求q点。
交流通路h参数模型。
2） c3不开路（直流通路q点同上；令（1）中的re=0即可得交流性能指标）
3．由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。（×
4．可以说任何放大电路都有功率放大作用。（×
5．现有直接耦合基本放大电路如下：
a.共射电路b.共集电路 c.共基电路
d.共源电路示e.共漏电路。
设re 选择正确答案填入空内，只需填a、b、……
（1）输入电阻最小的电路是 ，最大的是 ；
（2）输出电阻最小的电路是 ；
（3）有电压放大作用的电路是 ；
（4）有电流放大作用的电路是 ；
（5）高频特性最好的电路是 ；
（6）输入电压与输出电压同相的电路是 ；反相的电路是 。
解：（1）c，d e （2）b （3）a c d
（4）a b d e （5）c （6）b c e， a d
6画出下图所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路（图略）。
上图所示各电路的交流通路如解下图所示；
第三章。第四章。
7．电路如图所示，晶体管的＝80， =100ω。分别计算rl＝∞和rl＝3kω时的q点、、ri 和ro。
解在空载和带负载情况下，电路的静态电流、rbe均相等，它们分别为。
空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为。
rl＝5kω时，静态管压降、电压放大倍数分别为。
8．电路如图所示，晶体管的＝100， =100ω。
（1）求电路的q点、、ri和ro；
（2）若电容ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
解：（1）静态分析：
动态分析：（2）ri增大，ri≈4.1kω；减小，≈－1.92。
9． 电路如图所示，晶体管的＝60， =100ω。
（1）求解q点、、ri和ro；
（2）设＝10mv（有效值），问＝？＝若c3开路，则＝？＝
解：（1）q点：
、ri和ro的分析：
（2）设＝10mv（有效值），则。
若c3开路，则。
模电数电复习
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2019机电复习参考
4 质量问题及事故的处理方式。p271 5 施工质量验收程序和组织 单位 分部 分部分项工程项目划分的应用。p319 329 6 试运行的程序 规定。p280 281 7 关键工序的控制和检验 检测 焊接 p30 蒸汽阀门 p52 管道实验 p56 变压器试验 p49 机械调试 p281 空调与通风...