偏4°实验总结。
一． 实验目的：
1. 提高硅片出片率；
2. 降低硅片的rrv，提高硅片合格率：
3. 提高砷的成晶率。
二． 前期实验进展：
前期实验分为三个实验阶段（二，三阶段主要针对一阶段发现的问题进行改善）：
一阶段：1. 加工籽晶编号1##，正常使用1##，8#籽晶，其他籽晶在尺寸存在误差退回（籽晶为长方形，不为正方形）
#籽晶：拉制3颗单晶（6段单晶），其中cas150q1202a-c909-2，cas150q1202a-c909-3
cas150q1202a-c910-1三段单晶偏离度与籽晶偏离度相差较大。其中cas150q1202a-c909-2（x：﹣3°55′y：
1°11′），cas150q1202a-c909-3(x：﹣4°02′y：﹣29′)为同一颗单晶上的两段单晶，在y轴方向偏离度相差较大。
#籽晶：拉制的2颗单晶（3段单晶），单晶在x,y方向的偏离度较籽晶偏离度相差达到1°。
3. 该批籽晶生产的偏4度单晶的出片率平均在99.16%相比正常籽晶出片率96%提高了3%。
4. 正常籽晶生产单晶rrv普遍范围20%-25%，偏4°生产单晶rrv范围15%-20%（部分单晶头部50mmrrv大于20%）
一阶段存在问题及分析：
1. 籽晶加工尺寸存在问题，可能导致籽晶在夹头内部安装不牢固。
———重新加工新的一批尺寸合适籽晶（第二阶段a#-e#籽晶）
2. 同一颗籽晶生产出的不同单晶的偏离度数存在偏差。
———单晶拉晶过程中籽晶的安装出现偏差等情况引起的误差。（后续实验过程中检查籽晶及夹头的安装）
3．同一颗单晶上不同段单晶偏离度存在误差。
———单晶拉制过程中存在甩苞现象，导致在后续加工（切断，滚磨）过程中测量出现偏差。（不可解决）
———籽晶的加工仍然存在问题。
1.籽晶开槽的尺寸。
2.籽晶的x、y偏离度时，未确认主参考面晶向偏离度。
———第三批外厂加工籽晶已经解决，但是新加工籽晶拉制单晶过程中仍然存在中的问题。
三． 实验总结：
1.偏4°对单晶的成晶不造成影响（合格率52%）；
2.偏4°单晶rrv降低了5%-10%；
3.偏4°单晶出片率提升3%；
4.偏4°单晶x，y方向偏离度不能保证与籽晶偏离度一致。
建议：通过后续切片工序的调整，保证硅片偏离度数符合客户的需求。
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