电子设计基础作业

贴片电阻。积层陶瓷电容（独石电容）径向引线。

高频变压器。

数码管。u(t)=l*di(t)/dt,若di(t)不为0而dt=0,即电流突变，u(t)=无穷大理论上不存在无穷大的电压所以电流不突变。

54. 发射极电流等于集电极上的电流与基极电流之和。

55. 光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为oc）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管led）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。

当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。

56. 与逻辑：当决定某一事件的所有条件都具备时，该事件才会发生。符号为或。

符号：特性：

1 边沿jk 触发器具有置位、复位、保持（记忆）和计数功能；

⒉边沿jk 触发器属于脉冲触发方式，触发翻转只在时钟脉冲的负跳变沿发生；

⒊由于接收输入信号的工作在cp下降沿前完成，在下降沿触发翻转，在下降沿后触发器被封锁，所以不存在一次变化的现象，抗干扰性能好，工作速度快。

61.图4

电位器旋钮。

62.图9瓷片电容。

63.图14

整流桥。64.图19

光电开关。65.电容器的符号常用c、cn、tc或bc表示。

66. 电容储存的电场能量e=1/2cv2。这里，g是电容器的电容，v是电容器两个极板上的电压。

等式两边对时间取导数，就得到：de/dt=(1/2)c×2v(dv/dt)=cv(dv/dt)其中，能量e对时间t的变化率就是功率p，p=de/dt;cv=q表示电容器中所存储的电荷量。于是：

p=q(dv/dt),q是一个常数。我们考察这个等式，任何电器的功率p都不会是无穷大，因此等式右连的dv/dt就不会是无穷大。从数学上讲，dv/dt不是无穷大，就是说v不能突变。

由此，电容器上的电压不能突变，本质是电容器上储存的电场能量不会突变，即它的功率不会是无穷大。

i(t)=c*du(t)/dt,若du(t)不为0而dt=0,即电压突变，i(t)=无穷大。

67. n型半导体也称为电子型半导体。n型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了n型半导体。在n型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。

掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

p型半导体也称为空穴型半导体。p型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成p型半导体。在p型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

源极）d（漏极）g（栅极）