2.1由λ=hc/eg得eg=hc/λ
λ=0.85um时，eg=（6.626*10^-34）*3*10^8/(0.85*10^-6)=2.34*10^-19j
λ=1.3um时，eg=（6.626*10^-34）*3*10^8/(1.3*10^-6)=1.53*10^-19j
λ=1.55um时，eg=（6.626*10^-34）*3*10^8/(1.55*10^-6)=1.28*10^-19j
2.2答：光源有半导体激光器和发光二极管。
半导体光源最突出的优点是其工作波长可以对准光钎的低损耗、低色散窗口，此外他们还有体积小、功耗低、易于实现内调制等特点。ld的输出功率大，入纤耦合率高，但稳定性差；而led的输出功率小，耦合损耗也较大，但稳定性好，寿命几乎不成问题，**也较便宜。一般长途干线用ld作光源，短距离的本地网发送机选用led。
2.3答：半导体激光器的特性：
p-i特性当激光器注入电流增加时，受激发射量增加，一旦超过p-n结中光的吸收损耗，激光器就开始**，于是光输出功率急剧增大。
微分量子效率η 激光器输出光子数的增量与注入电子数的增量之比。
光谱特性光源谱线宽度是衡量器件发光单色性的一个物理量。
温度特性半导体激光器阈值电流随温度增加而加大。
2.7答： 光输出特性当注入电流较小时，发光二极管的输出功率曲线基本是线性的。但电流较大时，由于pn结发热而出现饱和状态。
光谱特性发光二极管的发射光谱比半导体激光器宽很多。
温度特性温度对发光二极管的光功率影响比半导体激光器要小。
发光管的频率调制特性
led的调制特性可表示为 p(w)=p(0)/[1+(wt)^2]^1/2
式中p(0)是零频率时led的发射频率，p(w)是频率为w时的led的发射频率，t是有源区载流子的寿命时间。
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