绪论。一、填空题。
1、材料科学主要研究的核心问题是结构和性能的关系。
材料的结构是理解和控制性能的中心环节，结构的最微细水平是原子结构，第二个水平是原子排列方式，第三个水平是显微组织。
2. 根据材料的性能特点和用途，材料分为结构材料和功能材料两大类。
根据原子之间的键合特点，材料分为金属、陶瓷、高分子和复合材料四大类。
第一章材料的原子结构。
一、填空题。
1. 金属材料中原子结合以金属键为主，陶瓷材料（无机非金属材料）以。
共价键和离子键结合键为主，聚合物材料以共价键和氢键以及范德华键为主。
第二章材料的结构。
一、填空题。
1、晶体是基元（原子团）以周期性重复方式在三维空间作有规则的排列的固体。
2、晶体与非晶体的最根本区别是晶体原子排布长程有序，而非晶体是长程无序短程有序。
3、晶胞是晶体结构中的最小单位。
4、根据晶体的对称性，晶系有三大晶族，七大晶系，十四种布拉菲br**ais点阵，三十二种点群，230种空间群。
5、金属常见的晶格类型有体心立方、面心立方、密排六方。
6、fcc晶体的最密排方向为<110>，最密排面为，最密排面的堆垛顺序为abcabcabcabc……。
7、fcc晶体的致密度为0.74，配位数为12，原子在（111）面上的原子配位数为6。
8、bcc晶体的最密排方向为<111>，最密排面为，致密度为0.68，配位数为8。
9、晶体的宏观对称要素有对称点、对称轴、对称面 。
10、cscl型结构属于简单立方格子，nacl型结构属于面心立方格子，caf2型结构属于面心立方格子。
11、mgo晶体具有nacl型结构，其对称型是3 l44l36l29pc，晶族是高级晶族，晶系是立方晶系，晶体的键型是离子键。
12、硅酸盐晶体结构中的基本结构单元是硅氧四面体[sio4]。
13、几种硅酸盐晶体的络阴离子分别为[si2o7]6-、[si2o6]4-、[si4o10]4-、[alsi3o8]1-，它们的晶体结构类型分别为组群状，链状，层状，和架状。
14、表征晶体中晶向和晶面的方法有解析法和图示法。
二、分析计算。
1、（2-3）（1）晶面a在x、y、z轴上的截距分别是2a、3b和6c，求该晶面的米勒指数；（2）晶面b在x、y、z轴上的截距分别是a/3、b/2和c，求该晶面的米勒指数。（求镜面指数——截距倒数最简比）
解：（1）由已知所以晶面指数为（3 2 1）
2）晶面指数为（3 2 1）
2、（2-4）在立方晶系的晶胞中画出下列米勒指数的晶面和晶向，每一组画在同一个晶胞中，并说明每一组晶面和晶向的关系。
解：3、写出立方晶系中晶面族｛100｝、｛110｝、｛111｝包含的等价晶面。写出<112>晶向族包含的等价晶向。（宏观的）
解：=（100)+(010)+(001)
4、（2-9）求 （1）晶面（121）和（100）的晶带轴指数；晶面（100）和（010）的晶带轴指数；（2）晶向[001]和[111]确定的晶面指数；包含[010]和 [100]晶向的晶面指数。
解：（1）（121）和 (100)面所在的晶带的晶带指数为。
所以晶带指数为[01]
100）和（010）面所在的晶带的晶带指数为。
所以晶带指数为[00]或写为[001]
2）[001]和[111]晶向所决定的晶面的晶面指数为。
所以晶面指数为（10）或（10）
010]和[100]晶向所决定的晶面的晶面指数为。
所以晶面指数为（00）或（001）
5、（2-11）（1）a≠b≠c、α=90°的晶体属于什么晶族和晶系？（2）a≠b≠c、α≠90°的晶体属于什么晶族和晶系？（3）能否据此确定这2种晶体的br**is点阵？
解：(1)属于正交晶系，由题中条件不能决定是什么布拉菲点阵，因为正交晶系可以有体心、面心、底心和简单正交点阵。（2）属于三斜晶系，因为三斜晶系只有一种简单点阵，可以确定布拉菲点阵是三斜点阵。
6、ni为面心立方结构，原子半径r=0.1243nm，求ni的晶格常数和密度。
解：面心立方结构在面对角线上原子相切，所以，
代入条件可得，
7、mo为体心立方结构，晶格常数a=0.3147nm，求mo的原子半径r。
解：体心立方结构在体对角线上原子相切，所以，
8、（2-15）cscl中铯与氯的离子半径分别为0.167nm、0.181nm。
试问（1）在cscl内离子在<100>或<111>方向是否相接触？（2）每单位晶胞内有几个离子？（3）各离子的配位数是多少？
（4）密度 ρ和堆积系数（致密度）k？
解：（1）对氯化铯晶体，晶体结构为简单立方，沿体对角线<111>方向正负离子相切。
2）晶胞中含有一个正离子一个负离子。
3）正负离子的配位数均为为8，4）沿体对角线<111>方向正负离子相切，所以对角线长度，所以。
堆积系数=每个cscl分子的质量a为： 168.358/6.0238×1023
9、 （2-16）mgo具有nacl型结构。mg2+的离子半径为0.072nm，o2-的离子半径为0.140 nm。试求mgo的密度ρ和堆积系数（致密度）k。
解：氧化镁结构为面心立方，晶胞中有四个正离子和四个负离子，沿棱边方向正负离子相切，所以边长。
堆积系数=0.684
mgo的分子量为（24.305 +15.999 ）=40.30
阿佛加得罗常数是6.0238×1023，每个mgo分子的质量a为： 40.30/(6.0238×1023)
mgo结构：z=4
mgo的密度ρ
10、（2-24）下列硅酸盐化合物属于什么结构类型？，
解：第一种，si：o=1：
4所以是岛状，共顶数为0；第二种共顶数一个，成对硅氧团；第三种si：o=1：3，共顶数为两个，三节环；第四种si：
o=1：3六节环；第五种三节环，这几种都是组群状；第六种si：o=2：
5为层状，第七种第八种si（al）：o=1：2为架状。
第三章晶体结构缺陷。
一、填空题。
1、按几何组态，晶体中的缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。
2、点缺陷主要包括空位、间隙原子、置换原子；线缺陷有位错；面缺陷包括晶界、相界、表面等。
3、描述位错性质及特征的是柏氏矢量b。
4、位错的类型有刃位错、螺位错和混合位错。
5、位错线与柏氏矢量垂直的位错为刃位错，位错线与柏氏矢量平行的位错称为螺位错。
6、位错的基本运动方式有滑移和攀移。
7、刃位错可以滑移和攀移，螺位错可以滑移而不攀移，能进行交滑移的位错必然是螺位错。
8、位错滑移一般沿着晶体的密排（面）和密排（方向）进行。
9、柏氏矢量实际上反应了位错线周围区域晶格畸变的大小和方向。
10、两平行同号螺位错间的作用力为斥力。
11、全位错是柏氏矢量等于点阵矢量的位错；
不全位错是柏氏矢量不等于点阵矢量的位错。
12、面心立方晶体的不全位错类型主要有shockley不全位错和franker不全位错，柏氏矢量分别为b=a/6<112>，b=a/3 <111>。只能发生攀移运动的位错是franker不全位错。
13、位错间转化（位错反应）要满足的条件有几何条件：柏氏矢量守恒和能量条件：反应后位错的总能量降低。
14、两个不全位错夹一片层错的位错称为扩展位错。
二、分析题。
1、（3-6）画一个方形位错环，（1）在此平面上画出柏氏矢量，使其平行于位错环的其中一边，任意选择并画出位错线方向，据此指出位错环各段的性质。（2）能否使该位错环处处为刃位错？（3）能否使该位错环处处为螺位错？
2）能。如果柏氏矢量垂直于这个位错环就可以使得该位错环处处为刃位错。（3）不能。
无论如何选取柏氏矢量的方向都不能使得柏氏矢量平行于位错环的所有地方的切线，所以不能使得该位错环处处为螺位错。螺位错的位错线是一条直线。
2、在滑移面上有一位错环，柏氏矢量为b，位错环的方向和柏氏矢量的方向如图所示。（1）指出位错环各段的性质。（2）能否使该位错环处处为刃位错？
（3）能否使该位错环处处为螺位错？（4）该位错环滑移出晶体后，晶体有怎样的滑动（大小和方向）？
如果柏氏矢量垂直于这个位错环就可以使得该位错环处处为刃位错。无论如何选取柏氏矢量的方向都不能使得柏氏矢量平行于位错环的所有地方的切线，所以不能使得该位错环处处为螺位错。螺位错的位错线是一条直线。
3、（3-11）试分析在fcc中，下列位错反应能否进行？并指出其中三个位错的性质类型？反应后生成的新位错能否在滑移面上运动？
解：位错反应几何条件：柏氏矢量的各个分量反应前后相等。
反应前柏氏矢量各个分量的和为：
对比反应后柏氏矢量各个分量，所以反应前后满足几何条件。
能量条件：反应前的位错能量大于等于反应后的位错的能量。
所以这种位错反应可以进行。
是面心立方结构中的全位错，为肖克莱不全位错，为弗兰克不全位错。的b垂直于滑移面，不是fcc晶体的滑移方向，不能滑移，只可攀移。
4、（3-8）比较刃位错和螺位错的异同点。
第四章晶态固体中的扩散。
一、填空题。
1、菲克第一定律描述的是状态下的扩散规律；菲克第一定律描述的是状态下的扩散规律。
2、稳态扩散是指单位时间内通过垂直于给定方向的单位面积的净原子数（扩散通量/浓度）不随时间变化；非稳态扩散是指单位时间内通过垂直于给定方向的单位面积的净原子数（扩散通量/浓度）随时间变化。
3、fick扩散第二方程的高斯解适合求解总量为m的扩散元素沉积为一薄层扩散问题；fick扩散第二方程的误差函数解适合求解无限长棒（扩散偶）或半无限长棒的扩散问题。
4、扩散的微观机理有空位扩散、间隙扩散、位错扩散、表面扩散、晶界扩散等。
5、空位扩散的阻力比间隙扩散大，激活能高。
6、在表面扩散、晶界扩散、体扩散、位错扩散方式中，扩散系数d最大的是。
表面扩散。7、在间隙固溶体中，h、o、c等原子以间隙扩撒机制方式扩散。
8、cu-al合金和cu组成的扩散偶发生柯肯达尔效应，标记向cu-al合金一侧漂移，则al 的扩散通量大。
9、上坡扩散是指物质从低浓度向高浓度处聚集的反向扩散。
10、扩散的驱动力是化学位梯度。
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