第一章基本半导体器件。
姓名学号班级。
一、选择题(共6小题,每题有多个选项,多选,少选均不得分)
1、已知晶体三极管各电极对地的电位如图(一)所示,此晶体管是什么类型?处于哪种工作状态。
c.硅管 d.锗管 e.饱和 f. 截止 g..放大。
2、某放大电路中的一个晶体管,测出其各引脚电位如图二所示。此晶体管是什么类型?什么材料?哪个管脚为发射极。
c.硅管 d.锗管 e.① f.② g.③
3、如图(三)所示的电路符号是什么类型的场效应管?什么沟道?若在正常的放大状态时漏源电压vds应该取何值。
a.耗尽型 b.增强型 c. p沟道 d. n沟道 e. vds>0 <0
4、当温度升高时,晶体管的。
a. β变大 b. β变小 c. β不变 增加 减小
f. vbe不变 g. vbe增加 h. vbe减小。
5、pn结外加反向电压时。
a.扩散电流小于漂移电流 b. 扩散电流大于漂移电流 c.耗尽层变宽。
d.扩散电流等于漂移电流 e. 耗尽层变窄 f. 耗尽层不变
6、场效应管是。
a. 电流控制器件 b.电压控制器件 c. 两种载流子参与导电
d.一种载流子参与导电 e. 称为单极型晶体管 f. 称为双极型晶体管。
二、判断题(共15小题,答a表示说法正确。答b表示说法不正确)
1、扩散电流是由浓度差产生的,漂移电流是由电场作用产生的。
2、漂移电流是半导体区别于导体的一种特有的电流。
3、半导体是依靠自由电子和空穴两种载流子导电的物质。
4、晶体二极管的基本特征是稳定输出电流或输出电流。
5、当pn结击穿后,其反向电流急剧增大,pn结两端电压几乎不变。
6、n沟道结型场效应管放大电路中vgs > 0
7、晶体三极管工作在截止模式时,其发射结正偏,集电结反偏。
8、晶体三极管工作在放大模式时,其发射结正偏,集电结反偏。
9、当pn结外加反向电压时扩散电流大于漂移电流,耗尽层变宽。
10、晶体二极管的基本特征是稳定输出电流或输出电流。
11、场效应管放大器通常有以下三种组态:共s、共d、共g
12、设置静态工作点的电路称为放大器的偏置电路。
13、场效应管的突出优点是具有很高的放大倍数。
14、晶体二极管、晶体三极管和场效应管都是非线性器件。
15、场效应管是多子导电,而晶体管的两种载流子均参与导电。
三、填空题(共12小题)
1、晶体三极管输出特性曲线划分为和三个工作区。
2、场效应管的特性曲线可划分为和三个工作区。
3.半导体中载流子有两种运动方式是和。
4.晶体三极管是控制器件,而场效应管是控制器件。
5、晶体三极管有和三种组态
6、根据结构不同,场效应管分为两大类,即和。
7、二极管的重要特性是而其基本特性是。
8、稳压管工作在状态,击穿特性曲线越陡,稳压管的性能就越好。
当通过稳压管的电流有很大变化时,其两端电压 。
9、晶体三极管工作在放大模式时,其发射结集电结工作在饱和模。
式时,其发射结集电结。
10、场效应管利用来控制管内的电流,其突出优点是具有很高的。
11、晶体管分和两种类型,在结构上晶体管有三个特点: 区掺杂浓度最高; 很薄区面积大。
12、纯净的具有晶体结构的半导体称为根据所掺杂质的不同,杂质半导体又分为半导体和半导体。
四、综合题(共6小题)
1、分别求出图( a )、b )所示电路中的电压v值。
2、图示电路中二极管为理想的,vs=6sinωt。试分别分析电路(a)(b)并画出vo波形。
3、图示电路中d1、d2为理想二极管,vs=3vrsinωt。试分析电路并画出vo波形。
4、分别求出图( a )、b )所示电路中的电流i和电压v值。
5、已知图中晶体管各极电位如图中所标,试判断图(a)、(b)、(c)、(d)晶体管分别处于何种工作状态(饱和、放大、截止)?晶体管是硅管还是锗管?
6、稳压管稳压电路如图所示。稳压管参数为:vz = 6v ,izmax = 18ma,iz= 5ma 。
输入电压vi=20v,负载rl 在1kω到2kω 范围内变化。试计算限流电阻r的取值范围应该是多少?
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