半导体材料的融合技术

维普资讯。

现代材料动态２００年第１０期。

的。该管理局还资助一项新的研究，以期进一步改进此项工艺并将其转用于其他类型发动。

机的制造。开发该工艺是为了提高钛螺旋浆叶片的使用年限以及降低发动机对被吸入异物造成损伤的敏感度。ｌｓ用强大的激光脉冲在金属前沿部件表面产生很高的剩余压应力。

激光脉冲可在经特殊涂敷过的部件表面引爆或产生冲击波。形成的表面剩余压应力明显地改善了部件的高频疲劳特性而且提高了叶片对异物损伤的抵抗力。

试验表明，ｌｓ处理可使遭受异物损伤的叶片保持其原有的疲劳强度，而未经处理的。

叶片在这种情况下其疲劳强度会下降８０％发动机试验还表明，受损伤的ｌｓｐ处理过的叶片，其性能与新的未经处理的叶片完全相同。

共处理了ｂ－１轰炸机使用的ｆ１０发动机叶片２万余件，ｆ－使用的ｆｌｌ发动机叶片２干余件。

管理局继续资助ｌｓｐ的研究，以便进一步降低ｌｓｐ工艺的成本并扩大其使用面。目前该项研究正致力于提高其生产效率和实现商业应用的建网。当前正推广用于大的部件，这是以前仅用于ｆｌ１发动机的。

经过多方努力，估计ｌｓｐ的叶片加工成本到２００年将降。

低７５％杨英惠摘译）

半导体材料的融合技术。

ｏｙｏ理工大学的ｙｏｎ教授等在世界上首次成功地将ｓｉ与ｇａｐ集成在一起且不产生任何晶体缺陷（零位错），这一成果可望开发出含有光学元件的光电融合大规模集成电路、超高速微波元件和大规模集成电路。

ｉ与化合物半导体晶格常数不同，两种半导体的界面上电子数也不同。原来一直认为，这两种材料的集成而要作到无位错是不可能的。ｙｏ教授等在ｇａｐ中掺入２％的氮原子使ｇａｐ的晶格常数与ｓｉ一致从而解决了上述问题。

实际上，ｇａ层是在超高真空分子束外延系统中生长在ｓｉ衬底上的，这一ｇａｐ层与ｓｉ晶格匹配，结晶性质与ｓｉ相近，所以不产生任何位错。这样就可以开发出一种廉价的ｌｅｄ且其性能不致退化。已确认，用它制。

作ｌｅｄ可发红光。

考虑到制备半导体激光器，他们在ｓｉ衬底上制成了ｇａａ掺ｎ）的量子阱结构和带。

有掺ｎｇａ的多层结构（可另外生长ｓｉ层）。

邓志杰摘译）

锂离子二次电池的再生技术。

鉴于需求的激增，日本东芝公司开发了一项**锂离子二次电池的技术，该法的**效率极高，已在设立于横滨的研究中心建成一座中试工厂，每小时可处理１０ｌ电池。该技术采用湿法流程进行再生，所**的钴和锂的纯度在９９．以上。

日本的新能源与工业技术开发组织（ｎｅ协助该公司装备了这套中试装置，通常都将锂电池与电子元器件集成在电路板上。电池的正极由锂和钴制造、负极由铜和炭制造，隔膜则介于这两个电极之间。再生的重点就在于**被视为战略材料的锂和钴。