工艺原理培训测试试卷。
一、 填空题。
1. pecvd翻译成中文为等离子增强化学气相沉积。
2. 氮化硅薄膜在晶体硅太阳电池中主要作为减反射和钝化 。
3．pecvd制备氮化硅薄膜需要用到的特种气体是硅烷和氨气 ，应严格按操作规程操作。
4．等离子刻边工艺所用到的反应气体是四氟化碳和氧气
5. 常规工艺中，氮化硅薄膜的厚度为约___70-80nm___折射率为___2.0___
6．在太阳电池工艺中，氮化硅膜为蓝色，它的化学稳定性很好，一般用___氢氟酸___来腐蚀氮化硅。
7.目前得到最高效率的晶硅单结太阳电池的结构是 perl （可用英文简写），其转换效率高达24.7%
8.需要穿孔的背接触结构电池名称为 mwt 和 ewt （可用英文简写）
电池的i层用的材料为非晶硅 ，hit电池透明导电材料的制造工艺为溅射
与p型基片电池相比，n型电池的优点为少子寿命高 ，p型硅基片中的少子为___电子___
11.电池正表面电极金属材料为银 ，它在高温下与硅形成合金。
12.太阳电池工艺要经过三次丝网印刷。
电阻率的大小和均匀可以反映原硅片的掺杂情况，其单位一般为 ωcm
13.测试扩散后硅片发射极方块电阻的仪器为四探针测试仪
14.等离子刻蚀之后，硅片边缘和非扩散面为 p （pn）型。
15.电池i-v测试需要的大气质量条件为___am1.5___
翻译成中文为磷硅玻璃它的主要成分是___二氧化硅___可写化学式）用于去除psg的化学药品为氢氟酸hf
17.电池的电性能参数中，一般将___开路电压___用voc来表示，__短路电流__用isc来表示，__填充因子__用ff来表示，三者与转换效率η的关系式为___voc×isc×ff/面积___
18.晶体硅的禁带宽度为___1.12___ev
19.受光表面的银电极是电池的负 （正负）电极。
20.对于磷扩散工艺，目前国内使用最多的扩散源是___三氯氧磷__
结又称为___空间电荷区（耗尽层）__它会自己形成一个内建电场。
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