2023年。
一、 解释下列名词或概念（30分）
1、 布里渊区。
2、 光生伏特效应。
3、 本征吸收。
4、 间接帯隙式半导体。
5、 准费密能级。
6、 高密度补偿半导体。
7、 状态密度。
8、 消光系数。
9、 表面复合率。
10、 光电导增益。
二、 分别论述深能级和潜能级杂质对半导体的影响（30分）三、 在一维情况下，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出空穴的爱因斯坦关系式（30分）
四、 画出理想p-n结的电流电压曲线（15分），并根据曲线的差异简述硅p-n结电流电压曲线偏离理想p-n结主要因素（15分）
五、 以p型硅mos结构为例，画出可能测得的高频和低频c-v特性曲线，说明如何确定平带电压（15分）；若sio2层中存在na离子，曲线将如何变化？如何通过实验确定其表面密度（15分）
哈工大微电子考研03年真题
2003年。一 解释下列名词或概念 30分 1 有效质量。2 复合中心。3 载流子散射。4 简并半导体。5 少子寿命。6 空穴。7 表面复合速度。8光生电动势。9表面态。10 表面强反型状态。二 画出本征半导体和杂质半导体电阻率随温度变化曲线 10分 并解释其变化规律 20分 三 用能带论解释金属 ...
15年哈工大微电子考研经验
哈工大微电子考研初试心得。一转眼距离出结果已经过去半个月了，这半个月好好的休息了下，考研真的是个体力活。今天正好闲下来，打算认真的写一个经验贴，算是心得吧，毕竟原来也没少看别的师兄的经验，算是对考研生涯画一个句号吧！我考的是哈工大的微电子，录取的是学硕，综合排名是前五，二等奖学金 今年工大整个21系...
哈工大考研数学真题
考研试题a 1999年全国硕士研究生入学考试数学试题三 四 概率统计部分 一 填空题 每小题3分 4 在天平上重复称量一重为a的物品，假设各次称量结果相互独立且同服从正态分布若以表示n次称量结果的算术平均值，则为使。n的最小值应不小于自然数 5 设随机变量 i,j 1,2,n n 1 独立同分布，则...