2019工艺基础试题

发布 2022-02-06 22:31:28 阅读 9600

扩散工艺基础试题姓名。

1 同样的基区离子注入量,扩散结深做得较深时,r□值将变 。

2 同样的扩散结深,离子注入量减小时,r□值将变 。

3 某npn产品,基区扩散时h2未通进,其余条件正常,所造成的后果是和 。

4 基区离子注入量发生了较大变化,其余工序正常加工,流程到哪几步可以根据哪三个参数的什么现象判别出注入量发生了如何的变化?

5 其余条件不变,发射区再扩散条件如何变化造成hfe增大。

6 发射区再扩散条件不变,其余哪些条件变化对hfe构成影响?什么样的影响?

7 控温电偶处于温度更高的位置时(如紧靠加热炉丝),整体炉温将。

8 控温电偶断开,将出现的现象是后果是。

9 控温电偶在某处短路,将出现的现象是后果是。

10 有哪些现象(含仪表显示和其他外观)可以确认加热炉丝断开了?

11 某管扩散炉一端保温石棉未包裹严密,后果是。

12 磷预扩散炉管出气口常出现少量液体,这是为什么?当发生石英帽被粘住取不下来时该怎么办?

13 pbf(乳胶硼源)的主要成分是什么。

14画出一幅pocl3源瓶的气路图。

15 您所知道的几种p型扩散杂质元素。

n型扩散杂质元素。

16 您所知道的哪些扩散杂质元素的扩散系数大?

17 您所知道的扩散结深跟杂质元素的什么性质、

工艺条件的哪些参数有怎样的关系?

定性也行,能定量更好!)

18 扩散工序哪些情况会引入沾污?

沾污会造成哪些后果?

19在工作实践中你对所遇到的某问题作出了正确判断并解决,举一事例。

这两题为公共题。

20 在工作实践中遇到的某问题至今尚未认识清楚,举一事例。

光刻、腐蚀工艺基础试题姓名。

1 说出某产品从头到尾流程顺序:(着重与光刻相邻的工程)

2 根据光刻胶照光后的不同性质分为性胶和性胶。胶的标号越大,表示在同样的匀胶条件下胶膜越 。同一标号的胶,匀胶转速越快,膜越 。

胶膜较厚的胶,**条件应较 。一定厚度的性胶,**过度将造成 ;**不足则造成。

3 前烘条件过弱,会造成 ,前烘条件过强,会造成。

4 显影机排风不畅会引起 ,显影喷头喷完后又有显影液滴落会引起 ,显影过度会引起。

5 “打底膜”的目的是打底膜条件过强将造成。

6 刻sio2的腐蚀液成分是主要化学反应是刻al的腐蚀液成分是主要化学反应是。

7 刻sio2后可以用等离子去胶吗? ,刻al后可以用h2so4去胶吗? 。请分别说明理由。

8 画出某一型号晶体管芯片的平面图、剖面图。

9 发射区光刻有几片图形不好(已腐蚀),请说出返工步骤返工的***是 。

10 光刻的缺陷有称为“小岛”“针孔”。它们的定义分别是。

11 举出两个典型案例,说明在第几次光刻“小岛”“针孔”在什么位置会对产品的什么参数造成什么影响。

12 有那些因素会引起“小岛”“针孔。

13 若要刻出更细的线条,工程中要调节那些工艺参数?

14 从光刻的角度看,163和160相比有什么区别,由此来看光刻、腐蚀应有哪些注意点。

平面图。剖面图。

金属化工艺基础试题姓名。

1 金属化的目的是通常管芯正面金属是 ,背面金属是或 。

2 本公司用于正面金属化有两类设备和分别说明二者的优缺点。

3 金属化要在一定的真空度条件下进行,举例说明某一项工程应达到真空度为多少。

若真空度不符合要求,会造成 。

4 什么情况时背面蒸金要掺砷?应掺砷的**未掺是什么结果?

背面能不能直接蒸银而不用钛镍?什么情况时背面蒸钛镍银要加做离子注入?

5 分别说明对蒸发源有什么要求,要是哪方面未达到要求会有什么后果?

6 蒸发过程中设备发生问题,能否将尚未完成的**钟罩内保留,破真空打开钟罩排除故障后继续蒸发?为什么?

7 背面金属化前的清洗工艺是什么?

背面金属化前的清洗时有残液溅落到正面会引起什么后果?

8 扩散泵或冷泵是不能在大气压下工作的,若因操作失误,泵内腔暴露在大气压下,会造成什么后果?

9 挡板被熔化了一些!是由哪几个可能的原因造成?会造成什么后果?当班怎么处理?事后怎么处理?

10 从金属化的角度看,163和160相比有什么区别,由此来看金属化应有哪些注意点。

11 在工作实践中你对所遇到的某问题作出了正确判断并解决,举一事例。

12 在工作实践中遇到的某问题至今尚未认识清楚,举一事例。

离子注入工艺基础试题姓名。

1 和扩散相比,离子注入的优点是。

缺点是: 。

2 在离子注入前硅片表面做一层薄氧化层的作用是。

3 光刻胶可以用来掩蔽离子注入吗?光刻胶可以用来掩蔽预淀积扩散吗(如b2o3、pocl3预扩)?

为什么?4 离子注入后**不进炉加工,能用四探针测出r□吗?为什么?

5 同样的基区离子注入量,扩散结深做得较深时r□值将变 。

6 同样的扩散结深,离子注入量减小时,r□值将变 。

7 基区离子注入量发生了较大变化,其余工序正常加工,流程到哪几步可以根据哪三个参数的什么现象判别出注入量发生了如何的变化?

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