2015 年秋季学期研究生课程考核。
研究报告）实验一 x射线光电子能谱仪的工作原理及基本操作。
实验地点：新教学楼（格物楼）108
实验仪器：thermo 250 xi x射线光电子能谱仪。
实验目的：1、学习x光电子能谱仪的结构和分析原理。
2、学习定性分析元素的方法。
3、学习定量分析成分的方法。
4、熟悉x光电子能谱仪的操作。
5、掌握x光电子能谱谱图的识别与解析能力。
操作方法：一、开机。
1、开总电源on
2、开设备电源on
3、开冷却循环水的电源开关on
4、设备控制柜电源开关on
5、开计算机电源，进入设备控制程序。
6、将机械泵和分子泵开启，气压降至8e-8 mbar
7、开启进样仓仓门，放入测试样品，抽气至真空度低于e-6 mbar
8、开启准备仓仓门，将进样仓的样品通过转样台送入准备仓。
9、关闭准备仓仓门，随后打开分析仓仓门，将样品推入分析仓，关闭分析仓门。
10、开启x射线枪，中和枪等相关测试枪进行测试。
二、关机。1、关闭x射线枪、中和枪电源。
2、开启分析仓仓门，将样品移至准备仓，并关闭分析仓仓门。
3、转移样品至送样台，并开启准备仓仓门，将样品拉回进样仓。
4、关闭准备仓仓门，开启进样仓仓门，取出样品，同时抽真空。
5、利用电脑控制系统，关闭分子泵，手动关闭机械泵。
6、关闭冷却循环水电源off
7、关闭控制电源柜电源。
8、关闭总电源off
主要原理：x-射线光电子能谱仪，是一种表面分析技术，主要用来表征材料表面元素及其化学状态。其基本原理是使用x-射线，如al ka=1486.
6ev，与样品表面相互作用，利用光电效应，激发样品表面发射光电子，利用能量分析器，测量光电子动能(根据进而得到激发电子的结合能（
有原理公式：ek=hν-eb-φsp
eb：电子结合能；φsp：谱仪的功函数，一般为常数；ek：电子动能，可实验测得；hν：x射线能量，已知）
可见，当入射x射线能量一定，测出功函数和电子的动能，即可求出电子的结合能。由于每种元素的电子结构是独特的，计算出eb就可以判定元素的类型。由于只有表面处的光电子才能从固体中逸出，因而测得的电子结合能必然反应了表面化学成份的情况。
主要用途：固体样品的表面组成分析，化学状态分析，取样讯息深度为～10nm以内。功能包括：
1、表面定性与定量分析。 可得到小於10um空间分辨率的x射线光电子能谱的全谱资讯。
2、维持10um以下的空间分辨率元素成分包括化学态的深度分析（角分辨方式，氩离子或团簇离子刻蚀方式）。
3、线扫瞄或面扫瞄以得到线或面上的元素或化学态分布。
4.、成像功能。
5、可进行样品的原位处理aes：1）可进行样品表面的微区选点分析（包括点分析，线分析和面分析）；2）可进行深度分析适合：纳米薄膜材料，微电子材料，催化剂，摩擦化学，高分子材料的表面和界面研究。
主要研究领域包括：
1、tio2纳米光催化以及在空气和水净化方面的应用；
2、汽车尾气净化催化剂新型金属载体的研究；
3、纳米药物载体及靶向药物的研究；
4、纳米导电陶瓷薄膜材料的研究；
5、纳米杂化超硬薄膜材料及摩擦化学的研究；
6、纳米发光材料及纳米分析化学研究；
7、有机电致发光材料的表面化学研究；
8、纳米材料在香烟减毒净化上的应用研究；
9、无机纳米杀菌与抗菌材料及其在饮用水净化上的作用；
10、电解水制氧电极材料的研究。
实验二 x射线衍射仪的工作原理及基本操作。
实验地点：材料楼204
实验仪器：d/max-rb x射线衍射仪。
实验目的：1、了解d/max-rb x射线衍射仪的构造和工作原理。
2、掌握实验样品的制备和衍射仪实验参数的选择方法。
3、熟悉x射线衍射仪的操作。
4、掌握金属、非金属材料的x射线物相定性分析方法和步骤。
操作方法：一、开机。
1、开墙上电源开关。
2、开循环水。
3、点击light on按钮，打开设备内灯。
4、按击power on按钮，打开xrd电源，等待设备显示是0kv，0ma
5、顺时针旋转ht（高压）钥匙，自动加载到30kv，10ma
6、开电脑，电脑用户名user-1，密码galaxy
7、打开软件data collector，点击instrument→connect
8、measure→programme→turn on→ok，自动加载到40kv，40ma，准备完成待测试。
二、关机。1、measure→programme→turn off→ok（电压15kv，电流5ma）
2、instrument→disconnect
3、关程序data collector，关电脑。
4、逆时针旋转ht（高压）钥匙。
5、按击stand by按钮，关闭电源。
6、点击light off按钮，关闭设备内灯。
7、关循环水。
8、关墙上主电源开关。
原理：x射线的波长和晶体内部原子面之间的间距相近，晶体可以作为x射线的空间衍射光栅，即一束x射线照射到物体上时，受到物体中原子的散射，每个原子都产生散射波，这些波互相干涉，结果就产生衍射。衍射波叠加的结果使射线的强度在某些方向上加强，在其他方向上减弱。
分析衍射结果，便可获得晶体结构。
对于晶体材料，当待测晶体与入射束呈不同角度时，那些满足布拉格衍射的晶面就会被检测出来，体现在xrd图谱上就是具有不同的衍射强度的衍射峰。对于非晶体材料，由于其结构不存在晶体结构中原子排列的长程有序，只是在几个原子范围内存在着短程有序，故非晶体材料的xrd图谱为一些漫散射馒头峰。
x射线衍射仪是利用衍射原理，精确测定物质的晶体结构，织构及应力，精确的进行物相分析，定性分析，定量分析。广泛应用于冶金，石油，化工，科研，航空航天，材料生产等领域。
主要部件：1、高稳定度x射线源：提供测量所需的x射线， 改变x射线管阳极靶材质可改变x射线的波长， 调节阳极电压可控制x射线源的强度。
2、样品及样品位置取向的调整机构系统：样品须是单晶、粉末、多晶或微晶的固体块。
3、射线检测器：检测衍射强度或同时检测衍射方向， 通过仪器测量记录系统或计算机处理系统可以得到多晶衍射图谱数据。
4、衍射图的处理分析系统：现代x射线衍射仪都附带安装有专用衍射图处理分析软件的计算机系统， 它们的特点是自动化和智能化。
样品要求：1、金属样品如块状、板状、圆拄状要求磨成一个平面，面积不小于10x10毫米，如果面积太小可以用几块粘贴一起。
2、对于片状、圆拄状样品会存在严重的择优取向，衍射强度异常。因此要求测试时合理选择响应的方向平面。
3、对于测量金属样品的微观应力（晶格畸变），测量残余奥氏体，要求样品不能简单粗磨，要求制备成金相样品，并进行普通抛光或电解抛光，消除表面应变层。
4、粉末样品要求磨成320目的粒度，约40微米。粒度粗大衍射强度低，峰形不好，分辨率低。要了解样品的物理化学性质，如是否易燃，易潮解，易腐蚀、有毒、易挥发。
5、粉末样品要求在3克左右，如果太少也需5毫克。
6、样品可以是金属、非金属、有机、无机材料粉末。
主要用途：微量物相定性定量分析、点阵参数测定、晶粒尺寸与结晶状态测定等。
实验三热分析仪的工作原理及基本操作。
实验地点：材料楼520a
实验仪器：tag/sdta 851e热分析仪。
实验目的：1、学习热差-热重分析仪的结构和工作原理。
2、了解热分析方法在材料科学中的应用。
3、了解热分析样品的要求和样品的制备方法。
4、熟悉热分析仪的操作方法。
5、学习热分析仪数据的处理和解析方法。
6、了解热分析仪使用中的注意事项。
操作方法：1、打开仪器开关、恒温水浴、保护气瓶及计算机，待仪器校正平衡。
2、调整保护气及反应气体输出压力分别为20和40ml/min，并待其稳定。如做静态空气条件下的测试，需将气体流量表中反应气的输出压力调为0
3、检查并保证测试样品及其分解物不挥发且不与测量坩埚、样品支架、热电偶发生反应，以及测试用坩埚与仪器设置中所选用的坩埚类型相同。
4、进入测试运行程序，在计算机上进行温度控制编程，将坩埚轻置支架托盘上，待稳定后清零，仪器开始测量基线，测试完毕清零并取出坩埚放入样品，天平稳定后在程序中记录样品质量，仪器开始测量样品曲线。
5、测试完毕，打开程序评价窗口分析曲线并保存。待炉温降至室温打开炉体，更换样品或取出样品、关闭气体、恒温水浴及仪器开关，在程序窗口点exit推出后关闭计算机。
热分析的主要优点：
1、可在宽广的温度范围内对样品进行研究；
2、可使用各种温度程序（不同的升降温速率）；
3、对样品的物理状态无特殊要求；
4、所需样品量可以很少（0.1g-10mg）；
5、仪器灵敏度高（质量变化的精确度达10-5）；
6、可与其他技术联用；
7、可获取多种信息。
实验的注意事项：
1、坩埚的选择。
根据样品的成分、类别等确定其是否与坩埚反应。
2、实验现象的初步**。
判断实验是否有相变、反应的剧烈程度、是否有气体放出、挥发等。
3、加热速度选择。
根据相变或是反应的快慢选择。
4、气氛的选择。
禁忌使用易挥发物质。
应用领域与测试范围：
广泛应用于塑料、橡胶、涂料、食品、医药、生物有机体、无机材料、金属材料与复合材料等领域。
测量与研究材料的如下特性：
熔融与结晶过程。
玻璃化转变。
相容性。热稳定性。
结晶度。比热。
固化。纯度。
氧化稳定性／氧化诱导期
多晶形。反应热。
特征温度。相转变。
液晶转变。反应动力学。
材料鉴别。实验四电子背散射衍射技术的数据采集及分析。
实验地点：科学园b1栋sem1
实验仪器：quanta 200f环境扫描电镜。
实验目的：1、学习电子背散射衍射技术的原理。
2、学习电子背散射衍射花样的采集和标定。
3、学习电子背散射衍射技术的数据处理和分析方法。
主要性能指标：
加速电压：200v~30kv
二次电子像分辨率：
高真空模式1.2nm（30kv），3.0nm（1kv）
低真空模式1.5nm（30kv），3.0nm（1kv）
环境真空模式（esem）1.5nm（30kv）
背散射电子像分辨率2.5nm（30kv）
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