2019模拟电子电路试卷A卷

物理与电信工程学院（系）2012 －2013 学年第一学期期末考试。

模拟电子技术基础》课程试卷（ a ）

专业年级班级姓名学号。

一、填空(20分)

1.本征半导体掺入价元素可生成p型半导体，其少数载流子的浓度主要取决于。

2. 某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压va =1.2v，vb =0.

5v, vc=3.6v, 试问该三极管是管（填硅、锗），型（填npn或pnp）的三极管，该管的集电极是a、b、c中的。

3．放大电路在高频时放大倍数下降主要是因为___密勒___电容的影响；低频时放大倍数下降则主要是因为_耦合电容的影响。当工作频率等于上限频率()时，放大倍数的幅度下降为中频时的倍，此时与中频时相比，附加相移约为。

4．图1.3所示的复合管中，已知t1的β1=40，t2的β2=30，则

复合管的导电类型为电流放大系数β为

5．根据放大管的导通角，我们可把放大器分为几类工作状态：

当导通角时，称为甲类；当导通角时，称为乙类；当导通角时，称为甲乙类。

6.某放大电路在负载开路时的输出电压为4v，接入12kω的负载电阻后，输出电压降为3v，这说明放大电路的输出电阻为。两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为 db，第二级电压增益为26db，则两级总电压增益为 db。

7、差分放大电路能够抑制信号，放大信号。在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极re公共电阻对信号的放大作用无影响。

二、选择填空（14分）

1．测得工作于放大电路中的晶体管的三个电极对地电位分别v1=-0.7伏，v2=0伏，v3 c=-7.8伏，则该晶体管为___

(a)npn型硅管 (b)pnp型硅管 (c)npn型锗管 (d)pnp锗管

2．差动放大器的共模抑制比越大，表示该电路___

(a) 放大共模信号的能力越强 (b) 放大差模信号的能力越强。

3．n型半导体是本征半导体中___而成。

(a) 光热作用 (b) 加入3价元素 (c) 加入5元素。

4．引起交越失真的原因是___

(a) 信号太强 (b) 功放管静态电流太大

5．稳压管的稳压作用是利用其___特性来实现的。

(a) 单向导电性b) 正向导通 (c) 反向击穿。

6.判断下图各电路能否组成低频放大电路。

a）不能，能（b）不能，不能（c）能，不能（d）能，能。

7．负反馈使放大器的非线性失真___

(a) 增大b) 减少c) 不变

三、电路如图3示， (v),d为理想二极管，试绘出的波形。(6分)

四、理想运放组成电路如下图所示，试求vo与vi1、vi2、v3的关系。

8分）五、在图4所示电路中r2=r3= 2k， rw =4k，uz=3.3v。求输出电压的调节范围。（10分）

六、如图所示电路：1）如果电路要组成电压串联负反馈，电阻rf因接在那两。

端。（6分）

2）设电路满足深度负反馈的条件，计算电路的反馈系数和闭环电压增益，r1=10k, r2=500k （6分）

图6七、图7为互补对称功率放大器，已知vcc=16v，rl=8ω，功放管的饱和压降uces＝2v，求：（1）最大不失真输出功率pom、电源提供的功率pd，功放管的耗散功率pc和电路的效率η；（2）当输入信号(v)时的输出功率po、电源提供的功率pd、功放管的耗散功率pc和电路的效率η。（14分）

图7八、差分放大电路如图所示，晶体三极管的参数相同，ud=0.7v，β＝100，rbe=2.4k，rs=100，rc＝6k，re＝5.6k，vcc＝vee＝12v （16分）

1) 计算三极管的静态工作点；

2) 画出该放大电路的小信号h参数等效电路；

3) 计算电路的差模电压放大倍数。