一、 填空题。
1）二极管按所用材料可分为硅和锗两类；按pn结的结构特点可分为点接触和面接触两种。
2）pn结的正向接法是p型区接电路源的正极，n型区接电源的负极。
3）二极管的电压-电流关系可简单理解为正偏导通， 反偏截止的特性。导通后，硅管管压降约为 0.7v ，锗管管压降约为 0.2v 。
4）在判别锗硅二极管时，当测出正向压降为 0.2v ，此二极管锗二极管；当测出正向压降为 0.7v ，此二极管为硅二极管。
5）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象被叫作击穿现象。
6）理想二极管正向导通时，其管压降为 0 v。反向截止时，其电流为 0 μa。
7）晶体管的三个电极分别称为发射极、 基极和集电极，它们分别用字母 e 、 b 和 c 来表示。
8）为了使晶体管工作在放大状态，发射结必须加正偏电压，集电结必须加反偏电压。
9）晶体管是由两个pn结构成的一种半导体器件，其中一个pn结叫作发射结 ，另一个叫作集电结 。
10）硅晶体管的饱和电压降为 0.3v ，锗晶体管的饱和电压降为 0.1v 。
11）晶体管被当作放大元件使用时，要求其工作在放大状态，而被当作开关元件使用时，要求工作在截止状态和饱和状态。
12）npn型晶体管辖的发射区是 n 型半导体，集电区是 n 型半导体，基区。
是 p 型半导体。
13）场效应管具有三个电极： 源极 、 栅极和漏极 ，分别用字母 s 、 g 、和 d 表示。
二。单项选择题。
1. pn结的单向导电性是指( )答案：a
a．加正向电压导通，加反向电压截止 b．加正向电压截止，加反向电压导通。
c．加正向电压导通，加反向电压导通 d．加正向电压截止．加反向电压截止。
2. 硅二极管的死区电压约为( )答案：d
a．0.1 v b．0.2 v c．0.3 v d．0.5 v
3. n型半导体中，( 是多数载流子。答案：b
a．空穴 b．电子c．电子和空穴。
4. 三极管具有放大( )作用。答案：b
a．电压 b．电流c．功率d．电流和电压。
5. 三极管工作于放大区时，其外部条件是( )答案：b
a．发射结正偏，集电缜正偏 b．发射结正偏，集电结反偏。
c．发射结反偏，集电结反偏 d．发射结反偏，集电结正偏。
6. 三极管工作于放大区时，集电极电流ic受( )控制，与vbe几乎无关．答案：d
a．rbb．vcec．rcd．ib
7. 三极管的电流分配规律是( )答案：c
a．ib = ie ic b．ic = ib + ie
c．ie = ib + ic d．ie =ib ic
三计算题。1）如图所示，设二极管的正向电压降为0.6 v，求va分别为 +3v、4v、0v时，vb的值。
4.3 v , 0 v , 0 v
2）在晶体管放大电路中，测得ic = 3 ma，ie = 3.02 ma，求ib和β各为多少？
20 a, 100倍。
3）某人测量一只3dg6型晶体管在工作时电极间的直流电压分别为下列三种情况，试判别晶体管分别工作在什么状态？
vbe = 0.7 v，vcb = 0.4 v，vce = 0.3 v； （饱和）
vbe = 0.7 v，vcb = 6 v， vce = 6.7 v； （放大）
vbe = 0 v， vcb = 12 v，vce = 12 v； （截止）
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