指导老师：廖迎新。
设计题目：高精度电子温度计。
设计要求：利用单片机stc12c5608ad、温度传感器ds18b20和数码块等，设计一个智能温度检测器。
元件清单：1、数码块驱动。
stc12c5410ad单片机上电复位后为准双向口/弱上拉模式，2v以上为高电平，0.8v以下为低电平。每个i/o口驱动能力可达20ma，但整个芯片不得超过55ma(或90ma)。
i/o口工作方式设定如下（n=）
p3寄存器可位寻址，p3m1、p3m0不可位寻址。
p2口设定：p2m1，p2m0。p2寄存器可位寻址，p2m1、p2m0不可位寻址。
p1口设定：p1m1，p1m0。p1寄存器可位寻址，p1m1、p1m0不可位寻址。
p0口设定：p0m1，p0m0。p0寄存器可位寻址，p0m1、p0m0不可位寻址。
p2m0=0x00; /p2口设为推挽模式，提高数码块亮度。
p2m1=0xff;
p3m0=0x00; /p3口设为推挽模式。
p3m1=0xff;
2、ds18b20访问。
initialization timing
read/write time slot timing
temperature register format
temperature/data relationship
选择intel80c51芯片，在源文件中加“#include<>”
mcu type → com →打开程序文件→ download/**。
程序。#include <>
#define uint unsigned int
void delay(uint i)//延时函数。
while(i--)
void main()
delay(1000);}
程序的反汇编程序：传统12t的8051模式（1t模式）
ljmp startup
startup :mov r0,#0x7f
clr aidataloop:mov @r0,a
djnz r0, idataloop
mov sp,#0x07
ljmp main
main:mov r7,#0xe8; 12tosc（2 tosc）
mov r6,#0x03; 12tosc（2 tosc）
ljmp delay; 24tosc（4 tosc）
delay: mov a,r7;12 tosc（1 tosc）
dec r7;12 tosc（3 tosc）
mov r4,0x06; 24tosc（4 tosc）
jnz d1; 24 tosc（3 tosc）
dec r6; 12 tosc（3tosc）
d1:orl a,r4; 12 tosc（2 tosc）
jnz delay; 24 tosc（3 tosc）（若r6,r7都减到0，退出）
ret; 24 tosc（4 tosc）
r6=y,r7=x时，延迟时间=48+108x+[108*256+12]* y+12 +24(tosc)=84+108*(y*256+x)+12y(tosc)
或8+16x +[16*256+3] *y +3+4=15+16*(y*256+x)+3y(tosc))
一、电阻。1、电阻的参数标注方法有3种，即数标法、色标法和直标法。
1）数标法。主要用于贴片等小体积电路，如：
472 表示 47×100ω（即4.7k）； 104则表示100kω
2）色环标注法。常用的有四色环电阻五色环电阻（精密电阻）。色环顺序识别技巧：
1）最常用的表示电阻误差的颜色是：金、银、棕，金环和银环绝少用做电阻色环的第一环，所以电阻上若有金环和银环，则这是最末一环。
2）棕色环是否是误差标志的判别。可以根据色环之间的间隔判别：如一个五道色环的电阻，第五环和第四环之间的间隔比第一环和第二环之间的间隔要宽一些。
3）利用电阻的生产序列值加以判别。如一个电阻的色环读序是：棕、黑、黑、黄、棕，其值为：
100×104ω=1mω误差为1％，属于正常的电阻系列值，若是反顺序读：棕、黄、黑、黑、棕，其值为140×100ω=140ω，误差为1％。显然后一种排序的电阻值在生产系列中没有，故后一种色环顺序不对。
四色环电阻：如“棕红红金”，则阻值为12×102=1.2kω，误差为±5%
五色环电阻：如“红红黑棕金”，则阻值为220×101=2.2kω，误差为±5%
二、电容。1、电容的参数标注方法有3种，即数标法、色标法和直标法。
大容量电容的容量值直接标明，如10 uf/16v
小容量电容的容量值用字母表示或数字表示。
字母表示法：1m=1000 uf，1p2=1.2pf，1n=1000pf
数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。
如：102表示10×102pf=1000pf，224表示22×104pf=0.22 uf
其中：1f=103 mf =106 uf =109 nf =1012 pf）
2、电容容量误差表。
符号 f g j k l m
允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如：一瓷片电容为104j表示容量为0. 1 uf、误差为±5%。
stc12c5608ad：工作电压3.5-5.5v，4kb flash程序存储器，768bytes sram，8路10位a/d转换电路等。
若用户板使用外部晶振，必须在**程序时，在“stc-isp”**软件界面设置“外部晶体或时钟”。
stc12c5608ad是1t的8051单片机，为了兼容传统的8051，定时器0和定时器1在复位后是传统8051的速度，即12分频。
stc12c5608ad单片机上电复位后为准双向口/弱上拉模式，2v以上为高电平，0.8v以下为低电平。每个i/o口驱动能力可达20ma，但整个芯片不得超过55ma。
i/o口工作方式设定如下（n=）
举例：mov p3m0，#10100000b;mov p3m1，#13000000b
p3.7为开漏，p3.6为强推挽输出，p3.5为高阻输入，/p3.4/ p3.3/ p3.2/ p3.1/ p3.0为准双向口。
p3寄存器可位寻址，p3m1、p3m0不可位寻址。
p2口设定：p2m1，p2m0。p2寄存器可位寻址，p2m1、p2m0不可位寻址。
p1口设定：p1m1，p1m0。p1寄存器可位寻址，p1m1、p1m0不可位寻址。
p0口设定：p0m1，p0m0。p0寄存器可位寻址，p0m1、p0m0不可位寻址。
stc12c5410ad：工作电压3.5-5.5v，10kb flash程序存储器，512bytes sram，8路10位a/d转换电路等。
stc12c5410ad是1t的8051单片机，为了兼容传统的8051，定时器0和定时器1在复位后是传统8051的速度，即12分频。
stc12c5608ad单片机上电复位后为准双向口/弱上拉模式，2v以上为高电平，0.8v以下为低电平。每个i/o口驱动能力可达20ma，但整个芯片不得超过55ma。
i/o口工作方式设定如下（n=）
举例：mov p3m0，#10100000b;mov p3m1，#13000000b
p3.7为开漏，p3.6为强推挽输出，p3.5为高阻输入，/p3.4/ p3.3/ p3.2/ p3.1/ p3.0为准双向口。
p3寄存器可位寻址，p3m1、p3m0不可位寻址。
p2口设定：p2m1，p2m0。p2寄存器可位寻址，p2m1、p2m0不可位寻址。
p1口设定：p1m1，p1m0。p1寄存器可位寻址，p1m1、p1m0不可位寻址。
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