电力电子。
课程设计。单相半控桥式晶闸管整流电路设计带续流二极管、反电势电阻负载）
院别： 机械与电子工程学院
专业年级： 电气工程自动化0803
姓名： 王羽飞
学号： 2008011246
指导老师： 施云。
起止日期： 1月4日 - 1月9日。
1.设计任务书。
一、 课程设计的性质和目的。
性质：是电气信息专业的必修实践性环节。
目的：1、培养学生综合运用知识解决问题的能力与实际动手能力；
2、加深理解《电力电子技术》课程的基本理论；
3、初步掌握电力电子电路的设计方法。
二、课程设计的内容：
单相半控桥式晶闸管整流电路的设计（带续流二极管）（反电势、电阻负载）
设计条件：1、电源电压：交流100v/50hz
2、输出功率：500w
3、移相范围30~150
4、反电势：e=70v
前言。电力电子学，又称功率电子学(power electronics)。它主要研究各种电力电子器件，以及由这些电力电子器件所构成的各式各样的电路或装置，以完成对电能的变换和控制。
它既是电子学在强电(高电压、大电流)或电工领域的一个分支，又是电工学在弱电(低电压、小电流)或电子领域的一个分支，或者说是强弱电相结合的新科学。电力电子学是横跨“电子”、“电力”和“控制”三个领域的一个新兴工程技术学科。
随着科学技术的日益发展，人们对电路的要求也越来越高，由于在生产实际中需要大小可调的直流电源，而相控整流电路结构简单、控制方便、性能稳定，利用它可以方便地得到大中、小各种容量的直流电能，是目前获得直流电能的主要方法，得到了广泛应用。在电能的生产和传输上，目前是以交流电为主。电力网供给用户的是交流电，而在许多场合，例如电解、蓄电池的充电、直流电动机等，需要用直流电。
要得到直流电，除了直流发电机外，最普遍应用的是利用各种半导体元件产生直流电。这个方法中，整流是最基础的一步。整流，即利用具有单向导电特性的器件，把方向和大小交变的电流变换为直流电。
整流的基础是整流电路。
由于电力电子技术是将电子技术和控制技术引入传统的电力技术领域，利用半导体电力开关器件组成各种电力变换电路实现电能和变换和控制，而构成的一门完整的学科。故其学习方法与电子技术和控制技术有很多相似之处，因此要学好这门课就必须做好课程设计，因而我们进行了此次课程设计。
我们知道，单相整流器的电路形式是各种各样的，整流的结构也是比较多的。单相桥式半控整流电路，对每个导电回路进行控制，相对于全控桥而言少了一个控制器件，用二极管代替，有利于降低损耗！故我们将单结晶体管触发的单相晶闸管半控整流电路这一课题作为这一课程的课程设计的课题。
第一章单相半控桥式整流电路供电方案的选择。
1.1 具体供电方案。
电源电压：交流100v/50hz
第二章单相半控桥式（反电动势、电阻负载）整流电路主电路设计。
2.1主电路原理图。
波形图：2.2变压器二次侧电压的计算。
电源电压：交流100v/50hz，输出功率：500kw，移相范围30~150，反电势：e=70v。设r=5ω
2.3变压器一 、二次侧电流的计算。
p=ud/r ud=50v。p=idr, id=10a
u1/u2=220/100=11/5, n1/n2=11/5
i2=5id /6=25/3a
2.4变压器容量的计算。
s=u1i1=100×25/3=
2.5变压器型号的选择。
n1:n2=11/5, s=
第三章电路元件的选择。
3.1整流元件的选择。
由于单相桥式半控反电动势、电阻负载电路主要器件是晶闸管，所以选取元件时主要考虑晶闸管的参数及其选取原则。
3.1.1晶闸管的结构。
晶闸管是大功率的半导体器件，从总体结构上看，可区分为管芯及散热器两大部分，分别如图1-6及图1-7所示。
a） 螺栓型b）平板型c）符号。
图晶闸管管芯及电路符号表示。
管芯是晶闸管的本体部分，由半导体材料构成，具有三个与外电路可以连接的电极：阳极ａ，阴极ｋ和门极（或称控制极）ｇ，其电路图中符号表示如图1-6c）所示。散热器则是为了将管芯在工作时由损耗产生的热量带走而设置的冷却器。
按照晶闸管管芯与散热器间的安装方式，晶闸管可分为螺栓型与平板型两种。螺栓型（图1-6a））依靠螺栓将管芯与散热器紧密连接在一起，并靠相互接触的一个面传递热量。\
a）自冷 b）风冷 c）水冷
图晶闸管的散热器。
晶闸管管芯的内部结构如图1-3所示，是一个四层（p1—n1—p2—n2）三端（a、k、g）的功率半导体器件。它是在n型的硅基片（n1）的两边扩散ｐ型半导体杂质层（p1、p2），形成了两个pn结j1、j2。再在p2层内扩散ｎ型半导体杂质层n2又形成另一个pn结j3。
然后在相应位置放置钼片作电极，引出阳极a，阴极k及门极g，形成了一个四层三端的大功率电子元件。这个四层半导体器件由于。
三个pn结的存在，决定了它的可控导通特性。
3.1.2晶闸管的工作原理。
通过理论分析和实验验证表明：
1） 只有当晶闸管同时承受正向阳极电压和正向门极电压时晶闸管才能导通，两者不可缺一。
2） 晶闸管一旦导通后门极将失去控制作用，门极电压对管子随后的导通或关断均不起作用，故使晶闸管导通的门极电压不必是一个持续的直流电压，只要是一个具有一定宽度的正向脉冲电压即可，脉冲的宽度与晶闸管的开通特性及负载性质有关。这个脉冲常称之为触发脉冲。
3） 要使已导通的晶闸管关断，必须使阳极电流降低到某一数值之下（约几十毫安）。这可以通过增大负载电阻，降低阳极电压至接近于零或施加反向阳极电压来实现。这个能保持晶闸管导通的最小电流称为维持电流，是晶闸管的一个重要参数。
晶闸管为什么会有以上导通和关断的特性，这与晶闸管内部发生的物理过程有关。晶闸管是一个具有p1—n1—p2—n2四层半导体的器件，内部形成有三个pn结j1、j2、j3，晶闸管承受正向阳极电压时，其中j1、j3承受反向阻断电压，j2承受正向阻断电压。这三个pn结的功能可以看作是一个pnp型三极管vt1（p1—n1—p2）和一个npn型三极管vt2（n1—p2—n2）构成的复合作用，如图1-9所示。
图晶闸管的等效复合三极管效应。
可以看出，两个晶体管连接的特点是一个晶体管的集电极电流就是另一个晶体管的基极电流，当有足够的门极电流ig流入时，两个相互复合的晶体管电路就会形成强烈的正反馈，导致两个晶体管饱和导通，也即晶闸管的导通。
如果晶闸管承受的是反向阳极电压，由于等效晶体管vt1、vt2均处于反压状态，无论有无门极电流ig，晶闸管都不能导通。
3.13晶闸管的基本特性。
1．静态特性。
静态特性又称伏安特性，指的是器件端电压与电流的关系。这里介绍阳极伏安特性和门极伏安特性。
1） 阳极伏安特性。
晶闸管的阳极伏安特性表示晶闸管阳极与阴极之间的电压uak与阳极电流ia之间的关系曲线，如图1-10所示。
图6.5 晶闸管阳极伏安特性。
正向阻断高阻区；②负阻区；③正向导通低阻区；④反向阻断高阻区。
阳极伏安特性可以划分为两个区域：第ⅰ象限为正向特性区，第ⅲ象限为反向特性区。第ⅰ象限的正向特性又可分为正向阻断状态及正向导通状态。
2） 门极伏安特性。
晶闸管的门极与阴极间存在着一个pn结j3，门极伏安特性就是指这个pn结上正向门极电压ug与门极电流ig间的关系。由于这个结的伏安特性很分散，无法找到一条典型的代表曲线，只能用一条极限高阻门极特性和一条极限低阻门极特性之间的一片区域来代表所有元件的门极伏安特性，如图1-11阴影区域所示。
图6.6 晶闸管门极伏安特性。
2．动态特性。
晶闸管常应用于低频的相控电力电子电路时，有时也在高频电力电子电路中得到应用，如逆变器等。在高频电路应用时，需要严格地考虑晶闸管的开关特性，即开通特性和关断特性。
1）开通特性。
晶闸管由截止转为导通的过程为开通过程。图1-12给出了晶闸管的开关特性。在晶闸管处在正向阻断的条件下突加门极触发电流，由于晶闸管内部正反馈过程及外电路电感的影响，阳极电流的增长需要一定的时间。
从突加门极电流时刻到阳极电流上升到稳定值it的10%所需的时间称为延迟时间td，而阳极电流从10%it上升到90%it所需的时间称为上升时间tr，延迟时间与上升时间之和为晶闸管的开通时间tgt=td+tr，普通晶闸管的延迟时间为0.5～1.5μs，上升时间为0.
5～3μs。延迟时间随门极电流的增大而减少，延迟时间和上升时间随阳极电压上升而下降。
图6.7 晶闸管的开关特性。
2）关断特性。
通常采用外加反压的方法将已导通的晶闸管关断。反压可利用电源、负载和辅助换流电路来提供。
要关断已导通的晶闸管，通常给晶闸管加反向阳极电压。晶闸管的关断，就是要使各层区内载流子消失，使元件对正向阳极电压恢复阻断能力。突加反向阳极电压后，由于外电路电感的存在，晶闸管阳极电流的下降会有一个过程，当阳极电流过零，也会出现反向恢复电流，反向电流达最大值irm后，再朝反方向快速衰减接近于零，此时晶闸管恢复对反向电压的阻断能力。
3.14整流元件中电压、电流最大值的计算。
uta=(2~3) u2=2××100=400v
i=(1.5~2)k id=2×0.75×10=15a
3.15整流元件型号的选择。
晶闸管的型号为：kp15-4
第四章保护元件的选择。
4.1变压器二次侧熔断器的选择。
采用快速熔断器是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。在选择快熔时应考虑：
1）电压等级应根据熔断后快熔实际承受的电压来确定。
2）电流容量应按其在主电路中的接入方式和主电路联结形式确定。快熔一般与电力半导体器件串联连接，在小容量装置中也可串接于阀侧交流母线或直流母线中。
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