微机原理作业第5章

发布 2022-09-04 22:41:28 阅读 8884

1. 分为ram和rom。

ram:正常工作时信息既可以读又可以写:数据读出后原数据不变;新数据自然丢失,并被新数据所替代,因此ram用来存储实时数据、中间结果、最终结果或作为程序的堆栈区使用。

rom:rom中的信息不因停电而消失,但在正常工作状态下只能读不能写。rom主要用来存储固定程序、常熟和**等。

3. 由存储阵列、地址译码器、三态双向缓冲器和控制电路四部分组成。

7. mos型掩模rom:有管——表示存“0”

无管——表示存“1”

适合批量生产。

熔丝式prom:熔丝通——存“0”

熔丝断——存“1”

适合批量生产。

uveprom:浮置栅内有电荷——存“0”

浮置栅内无电荷——存“1”

适合小批量/研制阶段。

9. 读出——正常模式下的读出。

校验——编程模式下的读出。

引脚信号(编程时):—编程负脉冲。

21vttl低电平。

ttl低电平。

11. sram:基本存储电路是触发器原理。

dram:基本存储电路是存储电容。

cg——无电荷,存“0”

cg——有电荷,存“1”

13. 存储单元个数: 16k*1=16384基本存储电路个数:

16k*1=1638415. cpu和存储器工作时存储器工作速度下降,cpu等待时间加长。存储器速度应和cpu速度相同步。

cpu分给存储器地址不同,cpu和外部存储器的连接也不同。

17. sram(nmos) 功耗最大,因为基本电路是触发器。

sram(cmos)功耗低,因为是cmos元件。

dram(nmos)功耗最低,因为靠电容存储信息。

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