光电检测技术作业答案

发布 2022-09-03 16:47:28 阅读 4580

1. 设某只 cds 光敏电阻的最大功耗为 30mw,光电导灵敏度 sg==0.5 x10--6 s / lx ,暗电导 g0 =0 。

试求当 cds 光敏电阻上的偏置电压为 20v 时的极限照度。

2. 在如图所示的照明灯控制电路中,将上题所给的 cds 光敏电阻用作光电传感器,若已知继电器绕组的电阻为 5 kω,继电器的吸合电流为 2ma,电阻 r =1kω。求为使继电器吸合所需要的照度。

要使继电器在 3lx 时吸合,问应如何调整电阻器 r?

3. 在如图所示的电路中,已知 rb =820ω,re =3.3kω,uw =4v ,光敏电阻为 rp , 当光照度为 40lx 时输出电压为 6v,80lx 时为 9v。

设该光敏电阻在 30~100lx 之间的 γ值不变。试求:

1) 输出电压为 8v 时的照度。

2)若 re 增加到 6 kω,输出电压仍然为 8v,求此时的照度。

3)若光敏面上的照度为 70lx,求 re =3.3kω与 re =6kω时输出的电压。

4)求该电路在输出电压为 8v 时的电压灵敏度。

4. 影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些?为什么pn结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107 hz?

5 为什么在光照度增大到一定程度后,硅光电池的开路电压不再随入射照度的增大而增大?硅光电池的最大开路电压为多少?为什么硅光电池的有载输出电压总小于相同照度下的开路电压?

7 光生伏特器件有几种偏置电路?各有什么特点?

8. 选择最适当的答案填入括号中(只有一个答案正确)

1) 用光电法测量某高速转轴(15000r / min )的转速时,最好选用(d)为光电接收器件。

a pmt b cds 光敏电阻 c 2cr42 硅光电池 d 3du 型光电三极管。

2) 若要检测脉宽为10-7 s 的光脉冲,应选用(a)为光电变换器件。

a pin 型光电二极管 b 3du 型光电三极管。

c pn 结型光电二极管 d2 cr11 硅光电池。

3) 硅光电池在(d)偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。

a 恒流 b 自偏置 c 零伏偏置 d 反向偏置

4) 硅光电池在(b)情况下有最大的功率输出。

a 开路 b 自偏置 c 零伏偏置 d 反向偏置

9. 假设调制波是频率为 500hz,振幅为 5v,初相位为 0 的正弦波,载波频率为 10khz,振幅为 50v,求调幅波的表达式、带宽及调制度。

10. 利用 2cu22 光电二极管和 3dg40 三极管构成如下图所示的探测电路。已知光电二极管的电流灵敏度 si = 0.

4 a / w ,其暗电流i d = 0.2 a ,三极管 3dg40 的电流放大倍数 =50 ,最高入射辐射功率为 400 w 时的拐点电压 uz = 1.0v 。

求入射辐射功率最大时,电阻 re 的值与输出信号uo 的幅值。入射辐射变化 50 w 时的输出电压变换量为多少?利用 2cu22 光电二极管和 3dg40 三极管构成如图 3-46 所示的探测电路。

已知光电二极管的电流灵敏度 si =0.4μa / w ,其暗电流i d =0.2μa ,三极管3dg40 的电流放大倍数β=50 ,最高入射辐射功率为 400 μw 时的拐点电压uz =1.

0v 。求入射辐射功率最大时,电阻 re 的值与输出信号uo 的幅值。入射辐射变化 50μw 时的输出电压变换量为多少?

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