模拟电路期中复习

以下是个人感觉比较重要的一些知识点，仅供时间不够同学参考。

这本书的编排比较独特，把运算放大器单独提前到了第二章，所以整体上期中考内容可以分为三部分，运放、二极管以及三极管放大电路，其中前两部分较为简单，重点计算在三极管放大电路。

运放：理想运放满足的条件。

对理想放大器运用用虚短、虚断进行基本计算，重点明白反相放大、求差和求和电路就行了，最好自己利用课本例题推导一下，这样可以省去记公式的麻烦。

另外需注意当流入运放的电流明显不为零时，不可用虚短虚断来计算。

二极管：主要是概念，理解半导体的基本原理就行了。包括p型掺杂，n型掺杂，漂移与扩散分别指什么等等，重在理解过程。电容效应、二极管的参数这几部分没时间的话可以放过了。

二极管的基本电路计算太过简单，考试一般不会涉及，需要注意的是齐纳二极管的原理和稳压作用，课本上有个例题3.5.1可以看下，关键就是列的那个方程组。

三极管：输入特性和输出特性曲线，了解各个区的划分边界值，有的计算题会涉及并且不告诉。

bjt的共射级电路，这部分应该是最重要、最基础的计算了，可以通过多做几道课后的习题来熟练。**法主要用于静态工作点，一般不会直接涉及。小信号模型法可在理解的基础上背下公式，或者如果时间不充裕就只能直接背公式了。

其他比如双电源射级偏置以及三种组态的比较等可以放弃了。

频率响应：这部分可能理解起来比较困难，实在没办法的话就背公式代入。高频响应还有多级的频率响应难度也很大，貌似弥勒电容的推导就有一两页。

计算不要求但是图一定要记住，给出电路要会画出高频小信号模型（混合∏型）。

场效应管：原理上更加复杂一点，有时间就看，概念题会涉及到。计算时跟bjt大同小异，可以类比。后面各种管的比较也不用管了。

试题：下面是回想起的去年的部分考试题。去年模电期中考总共五大题，每题20分。

第一小题包括五道小题，都是关于概念的简答。什么是p型半导体，什么是单向导电性，增强型和耗尽型mos管的区别，理想运放的条件，什么是v（br）ceo。

第二题是运放电路的计算，电路图差不多就是反相器，但是给的电流时毫安级，所以不满足虚短条件，这道题貌似好多人做错了。

第三题是共射放大电路的计算。

ve=10v，vc=5v，贝塔值为100，问vb在什么变化范围时三极管工作在放大区。

大致就是这样。

第四题就是稳压二极管的计算。

如图所示，未经稳压的直流输入电压为18v，r=1k，rl=2k，稳压管的稳定电压为10v，动态电阻及击穿时反向电流忽略，求vo和ir的值，并求rl降到多少时输出电压不再稳定。图就是课本例3.5.

1的图。

第五题是给出了一个带偏置有负载的共射级电路，要求画出混合π型高频小信号模型。

整体来说模电课虽然学起来难，但是考试并不难或者甚至可以说很简单，还有就是平时如果有机会的话一定把课后习题做完，因为很多时候院内的课都会考到原题，大家以后还会学到很多院内的课，大部分都有这个特点。另外大家应该也有经验了，碰到不会的题目就把公式或者推导过程之类的随便写就好了，要尽量显得你会的样子。

最后祝愿大家都取得好成绩。