问答1.通态平均电流2.介绍全控电力电子器件mosfet和igbt的优缺点3.
列出三种基本直流斩波电路4.什么是pwm控制？其理论基础是什么？
填空1.电力的变流是对相位、波形的变换。2.
单桥整流电路电阻性负载时晶闸管承受的正向压降是___阻感负载时晶闸管承受的正向压降是___3.对于交流调压电路带阻感负载，移相范围是__.4.
三相桥整流电路，晶闸管脉冲相差___对于每相差___当vt1加脉冲时，需要向___补发一个脉冲。5.对于考虑漏感作用的整流电路，其整流输出电压比不考虑漏感时___6.
角β与控制角α的关系是___7.换流的方式有负载换流、强迫换流4中。8.
晶闸管的定额指2种。计算1.对于一电阻负载，要求在0——75v可调，且25v以上电流可达15a，若采用220v交流电直接供电，求晶闸管的道通角、电流平均值和有效值。
2.对于三相有源逆变电路，r=1，l=无穷大，e=-400，β=60，求ud，id及电源反馈的能量。分析分析单相电压型逆变桥一周期里晶闸管的导通、电感储能和输出电压情况，并画出逆变输出的电流和电压波形。
2023年电子技术复试题
1.p型半导体和n型半导体接触面形成pn结。正端接p区，负端接n区。pn结的正向电阻很小，反向电阻很大，即其具有单向导电性。2.组成原则 1，设置合适静态工作点，合适的直流电源，合适的电路参数 2，电阻取值得当，与电源配合，使放大管有合适的静态工作电流 3，输入信号必须能够作用于放大管的输入回路 4...
2019电力电子技术复习
1 请在正确的空格内标出下面元件的简称 电力晶体管gtr 可关断晶闸管gto 功率场效应晶体管mosfet 绝缘栅双极型晶体管igbt igbt是mosfet 和gtr的复合管。2 晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率 触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。4 在电流型逆变...
电力电子技术作业
第一次 1 分析晶闸管的工作原理及动态特性。2 p42，第3题。3 p42，第6题。第二次 1 分析电力mosfet的动态特性。2 简述igbt的擎住效应及安全工作区。3 p42，第8题。4 p206，第6题。第三次 1 单相桥式全控整流电路，负载电阻，当时，要求 1 出该单相桥式全控整流电路的电路...