材料化学复习题 1

发布 2021-05-18 06:29:28 阅读 3999

1. 试述提拉法生长晶体的优缺点及其适用范围。

2. 提拉法生长优质单晶应具备哪些条件?

3. 温度分布如何影响晶体生长?

4. 温度分布与界面形状的关系?控制界面如何控制晶体质量?

5. 晶体外形与热量输运的关系怎样?

6. 晶体生长对温场有哪些要求?选取籽晶的原则是什么?

7. 晶体旋转对晶体生长有什么影响?

8. 试述导摸法的优点及生长原理。

9. 试述坩埚下降法的生长特点及其单晶化实现的方法。

10. 物质在溶解过程中为什么有时需要吸热,有时反而放热?

11. 选择溶剂的主要依据是什么?

12. 从溶液中生长晶体的主要方法剂特点?

13. 简述溶液生长的主要步骤?

14. 试述水热装置中对流挡板的作用及对晶体生长的影响?

15. 简述温差法生长水热晶体的过程?

16. 溶剂法生长晶体的特点是什么?

17. 试述汽相生长的基本原理?

18. 什么叫化学输运和化学蒸气淀积,它们之间有何区别?

19. 汽相生长中开管法与闭管法各自的工艺特点是什么?

20. 金刚石与石墨的结构特点及它们与材料特性间的关系?

21. 试述合成金刚石中触媒的作用及它的选择原则是什么?

22. 试比较frankel缺陷、schttky缺陷的异同点。

23. 试述固体结构中点缺陷的类型,并以通用的表示方法写出固体中各种点缺陷的表示符号。

24. 试写出cacl2中ca2+置换kcl中k+或进入到kcl间隙中去的两种点缺陷反应表示式。

25. 分析碱金属卤化物被各种射线辐照后着色的原因。

26. 说明固体表面吸附的本质。

27. 固体表面酸、碱有什么特点?

28. 简要说明固体表面分析的基本原理。

29. 简述固体中的扩散活化能q的实验测定方法。

30. 试比较固体中的几种典型扩散机理的异同点。

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