1、题目。
研究旁路电容和静态工作点分别对q点稳定电路频率响应的影响。
2、**电路。
**如图。晶体管采用高频小信号晶体管ztx325。
a）旁路电容c3变化
b）耦合电容c1变化。
c）re变化。
三、**内容。
1）耦合电容c1和旁路电容c3分别对低频特性的影响。
2）re变化时，静态工作点对高频特性的影响。
四、**结果。
电路参数变化时对频率响应的影响。
5、结论。1）实验表明，耦合电容c1从10uf变为100uf时下限频率基本不变，而旁路电容ce从10uf变为100uf时下限频率明显减小。这一方面说明由于ce所在回路的等效电阻最小，要想改善该电路的低平特性应增大ce；另一方面说明在分析电路的下限频率时，如果有一个电容所在回路的下限频率就是整个电路的下限频率，而没有必要计算其他其他电容说确定的下限频率，因而计算前的分析是很重要的。
2）在静态工作点稳定电路中，当射极电阻re从1k变为1.2k时，放大管的静态集电极电流减少，使跨导gm减少，从而使|k|=gmrl
减少，导致c’减少，上限频率fh增大。上述现象一方面进一步说明增益与带宽的矛盾关系，另一方面说明发射结等效电容与q点有关，即q点的设置将影响上限频率。
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