2007-03-11 09:38:58.0
半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称led）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。
一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用。
一）led发光原理。
发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas（砷化镓）、gap（磷化镓）、gaasp（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是pn结。因此它具有一般p-n结的i-n特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。
在正向电压下，电子由n区注入p区，空穴由p区注入n区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。
假设发光是在p区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。
由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在*近pn结面数μm以内产生。
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带矶龋舋有关，即。
λ≈1240/eg（mm）
式中eg的单位为电子伏特（ev）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的eg应在3.26～1.
63ev之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、**很高，使用不普遍。
二）led的特性。
1．极限参数的意义。
1）允许功耗pm:允许加于led两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，led发热、损坏。
2）最大正向直流电流ifm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
3）最大反向电压vrm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。
2．电参数的意义。
1）光谱分布和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，其波长大体按图2所示。
由图可见，该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大，该波长为峰值波长。
2）发光强度iv：发光二极管的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其轴线）方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为（1/683）w/sr时，则发光1坎德拉（符号为cd）。
由于一般led的发光二强度小，所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。
3）光谱半宽度δλ:它表示发光管的光谱纯度。是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔。
4）半值角θ1/2和视角：θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。
半值角的2倍为视角（或称半功率角）。
图3给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线（法线）ao的坐标为相对发光强度（即发光强度与最大发光强度的之比）。显然，法线方向上的相对发光强度为1，离开法线方向的角度越大，相对发光强度越小。
由此图可以得到半值角或视角值。
5）正向工作电流if：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择if在0.6·ifm以下。
6）正向工作电压vf：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在if=20ma时测得的。
发光二极管正向工作电压vf在1.4～3v。在外界温度升高时，vf将下降。
7）v-i特性：发光二极管的电压与电流的关系可用图4表示。
在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。由v-i曲线可以得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。
正向的发光管反向漏电流ir<10μa以下。
三）led的分类。
1． 按发光管发光颜色分。
按发光管发光颜色分，可分成红色、橙色、绿色（又细分黄绿、标准绿和纯绿）、蓝光等。另外，有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。
根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色，上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管和达于做指示灯用。
2． 按发光管出光面特征分。
按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。
国外通常把φ3mm的发光二极管记作t-1；把φ5mm的记作t-1（3/4）；把φ4.4mm的记作t-1（1/4）。
由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。从发光强度角分布图来分有三类：
1）高指向性。一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。半值角为5°～20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或与光检出器联用以组成自动检测系统。
2）标准型。通常作指示灯用，其半值角为20°～45°。
3）散射型。这是视角较大的指示灯，半值角为45°～90°或更大，散射剂的量较大。
3．按发光二极管的结构分。
按发光二极管的结构分有全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构。
4．按发光强度和工作电流分。
按发光强度和工作电流分有普通亮度的led（发光强度<10mcd）；超高亮度的led（发光强度》100mcd）；把发光强度在10～100mcd间的叫高亮度发光二极管。
一般led的工作电流在十几ma至几十ma，而低电流led的工作电流在2ma以下（亮度与普通发光管相同）。
除上述分类方法外，还有按芯片材料分类及按功能分类的方法。
四）led的应用。
由于发光二极管的颜色、尺寸、形状、发光强度及透明情况等不同，所以使用发光二极管时应根据实际需要进行恰当选择。
由于发光二极管具有最大正向电流ifm、最大反向电压vrm的限制，使用时，应保证不超过此值。为安全起见，实际电流if应在0.6ifm以下；应让可能出现的反向电压vr<0。
6vrm。
led被广泛用于种电子仪器和电子设备中，可作为电源指示灯、电平指示或微光源之用。红外发光管常被用于电视机、录像机等的遥控器中。
1）利用高亮度或超高亮度发光二极管制作微型手电的电路如图5所示。图中电阻r限流电阻，其值应保证电源电压最高时应使led的电流小于最大允许电流ifm。
2）图6(a)、(b)、(c)分别为直流电源、整流电源及交流电源指示电路。
图(a)中的电阻≈（e-vf）/if；
图(b)中的r≈（1.4vi-vf）/if;
图(c)中的r≈vi/if
式中，vi——交流电压有效值。
3）单led电平指示电路。在放大器、振荡器或脉冲数字电路的输出端，可用led表示输出信号是否正常，如图7所示。r为限流电阻。
只有当输出电压大于led的阈值电压时，led才可能发光。
4）单led可充作低压稳压管用。由于led正向导通后，电流随电压变化非常快，具有普通稳压管稳压特性。发光二极管的稳定电压在1.4～3v间，应根据需要进行选择vf，如图8所示。
5）电平表。目前，在音响设备中大量使用led电平表。它是利用多只发光管指示输出信号电平的，即发光的led数目不同，则表示输出电平的变化。
图9是由5只发光二极管构成的电平表。当输入信号电平很低时，全不发光。输入信号电平增大时，首先led1亮，再增大led2亮……。
五）发光二极管的检测。
1．普通发光二极管的检测。
1）用万用表检测。利用具有×10kω挡的指针式万用表可以大致判断发光二极管的好坏。正常时，二极管正向电阻阻值为几十至200kω,反向电阻的值为∝。
如果正向电阻值为0或为∞，反向电阻值很小或为0，则易损坏。这种检测方法，不能实地看到发光管的发光情况，因为×10kω挡不能向led提供较大正向电流。
如果有两块指针万用表（最好同型号）可以较好地检查发光二极管的发光情况。用一根导线将其中一块万用表的“+”接线柱与另一块表的“-”接线柱连接。余下的“-”笔接被测发光管的正极（p区），余下的“+”笔接被测发光管的负极（n区）。
两块万用表均置×10ω挡。正常情况下，接通后就能正常发光。若亮度很低，甚至不发光，可将两块万用表均拨至×1ω若，若仍很暗，甚至不发光，则说明该发光二极管性能不良或损坏。
应注意，不能一开始测量就将两块万用表置于×1ω，以免电流过大，损坏发光二极管。
2）外接电源测量。用3v稳压源或两节串联的干电池及万用表（指针式或数字式皆可）可以较准确测量发光二极管的光、电特性。为此可按图10所示连接电路即可。
如果测得vf在1.4～3v之间，且发光亮度正常，可以说明发光正常。如果测得vf=0或vf≈3v，且不发光，说明发光管已坏。
2．红外发光二极管的检测。
由于红外发光二极管，它发射1～3μm的红外光，人眼看不到。通常单只红外发光二极管发射功率只有数mw，不同型号的红外led发光强度角分布也不相同。红外led的正向压降一般为1.
3～2.5v。正是由于其发射的红外光人眼看不见，所以利用上述可见光led的检测法只能判定其pn结正、反向电学特性是否正常，而无法判定其发光情况正常否。
为此，最好准备一只光敏器件（如2cr、2dr型硅光电池）作接收器。用万用表测光电池两端电压的变化情况。来判断红外led加上适当正向电流后是否发射红外光。
其测量电路如图11所示。
二、led显示器结构及分类。
通过发光二极管芯片的适当连接（包括串联和并联）和适当的光学结构。可构成发光显示器的发光段或发光点。由这些发光段或发光点可以组成数码管、符号管、米字管、矩阵管、电平显示器管等等。
通常把数码管、符号管、米字管共称笔画显示器，而把笔画显示器和矩阵管统称为字符显示器。
一）led显示器结构。
基本的半导体数码管是由七个条状发光二极管芯片按图12排列而成的。可实现0～9的显示。其具体结构有“反射罩式”、“条形七段式”及“单片集成式多位数字式”等。
1）反射罩式数码管一般用白色塑料做成带反射腔的七段式外壳，将单个led贴在与反射罩的七个反射腔互相对位的印刷电路板上，每个反射腔底部的中心位置就是led芯片。在装反射罩前，用压焊方法在芯片和印刷电路上相应金属条之间连好φ30μm的硅铝丝或金属引线，在反射罩内滴入环氧树脂，再把带有芯片的印刷电路板与反射罩对位粘合，然后固化。
反射罩式数码管的封装方式有空封和实封两种。实封方式采用散射剂和染料的环氧树脂，较多地用于一位或双位器件。空封方式是在上方盖上滤波片和匀光膜，为提高器件的可*性，必须在芯片和底板上涂以透明绝缘胶，这还可以提高光效率。
这种方式一般用于四位以上的数字显示（或符号显示）。
2）条形七段式数码管属于混合封装形式。它是把做好管芯的磷化镓或磷化镓圆片，划成内含一只或数只led发光条，然后把同样的七条粘在日字形“可伐”框上，用压焊工艺连好内引线，再用环氧树脂包封起来。
3）单片集成式多位数字显示器是在发光材料基片上（大圆片），利用集成电路工艺制作出大量七段数字显示图形，通过划片把合格芯片选出，对位贴在印刷电路板上，用压焊工艺引出引线，再在上面盖上“鱼眼透镜”外壳。它们适用于小型数字仪表中。
4）符号管、米字管的制作方式与数码管类似。
5）矩阵管（发光二极管点阵）也可采用类似于单片集成式多位数字显示器工艺方法制作。
二）led显示器分类。
1）按字高分：笔画显示器字高最小有1mm（单片集成式多位数码管字高一般在2～3mm）。其他类型笔画显示器最高可达12.7mm（0.5英寸）甚至达数百mm。
2）按颜色分有红、橙、黄、绿等数种。
3）按结构分，有反射罩式、单条七段式及单片集成式。
4）从各发光段电极连接方式分有共阳极和共阴极两种。
所谓共阳方式是指笔画显示器各段发光管的阳极（即p区）是公共的，而阴极互相隔离。
所谓共阴方式是笔画显示器各段发光管的阴极（即n区）是公共的，而阳极是互相隔离的。如图13所示。
三）led显示器的参数。
由于led显示器是以led为基础的，所以它的光、电特性及极限参数意义大部分与发光二极管的相同。但由于led显示器内含多个发光二极管，所以需有如下特殊参数：
1．发光强度比。
由于数码管各段在同样的驱动电压时，各段正向电流不相同，所以各段发光强度不同。所有段的发光强度值中最大值与最小值之比为发光强度比。比值可以在1.
5～2.3间，最大不能超过2.5。
2．脉冲正向电流。
若笔画显示器每段典型正向直流工作电流为if，则在脉冲下，正向电流可以远大于if。脉冲占空比越小，脉冲正向电流可以越大。
四）led显示器的应用指南。
1．七段数码显示器。
1）如果数码宇航局为共阳极形式，那么它的驱动级应为集电极开路（oc）结构，如图14（a）所示。
如果数码管为共阴极形式，它的驱动级应为射极输出或源极输出电路，如图14(b)所示。
例如国产ttl集成电路ct1049、ct4049为集电极开路形式七段字形译码驱动电路；而cmos集成电路cc4511为源极输出七段锁存、译码驱动电路。
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