晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。
它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“v”、“vt”表示(旧标准中用字母“scr”表示)。
按关断、导通及控制方式分类。
晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管(gto)、btg晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。
按引脚和极性分类。
晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。
按封装形式分类。
晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。
按电流容量分类。
晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。
按关断速度分类。
晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频(快速)晶闸管。
工作原理晶闸管t在工作过程中，它的阳极a和阴极k与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极g和阴极k与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
晶闸管的工作条件：
1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。
2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态，这就是晶闸管的闸流特性，即可控特性。
3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。门极只起触发作用。
4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压(或电流)减小到接近于零时，晶闸管关断。
从晶闸管的内部分析工作过程晶闸管是四层三端器件，它有j1、j2、j3三个pn结图1，可以把它中间的np分成两部分，构成一个pnp型三极管和一个npn型三极管的复合管图2
当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的pn结j2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。
设pnp管和npn管的集电极电流相应为ic1和ic2;发射极电流相应为ia和ik;电流放大系数相应为a1=ic1/ia和a2=ic2/ik，设流过j2结的反相漏电电流为ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：
ia=ic1+ic2+ic0 或ia=a1ia+a2ik+ic0
若门极电流为ig,则晶闸管阴极电流为ik=ia+ig
从而可以得出晶闸管阳极电流为：i=(ic0+iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式。
硅pnp管和硅npn管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。
当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式(1—1)中，ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流ia≈ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极g流入电流ig,由于足够大的ig流经npn管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流ic2流过pnp管的发射结，并提高了pnp管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流ic1流经npn管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。
从图3，当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时，式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。
式(1—1)中，在晶闸管导通后，1-(a1+a2)≈0,即使此时门极电流ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。
在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流ia减小到维持电流ih以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-(a1+a2)≈0时，晶闸管恢复阻断状态。
可关断晶闸管gto(gate turn-off thyristor)亦称门控晶闸管。其主要特点为，当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。
晶闸管智能模块前已述及，普通晶闸管(scr)靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流ih，或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路，不仅使设备的体积重量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声。
可关断晶闸管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。gto的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(gtr)，只是工作频纺比gtr低。目前，gto已达到3000a、4500v的容量。
大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。
可关断晶闸管也属于pnpn四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1仅绘出gto典型产品的外形及符号。大功率gto大都制成模块形式。
尽管gto与scr的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态，而gto在导通后只能达到临界饱和，所以gto门极上加负向触发信号即可关断。gto的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极最大可关断电流iatm与门极最大负向电流igm之比，有公式。
βoff =iatm/igm
βoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛的hfe参数颇有相似之处。
判定gto的电极。
将万用表拨至r×1档，测量任意两脚间的电阻，仅当黑表笔接g极，红表笔接k极时，电阻呈低阻值，对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定g、k极，剩下的就是a极。(此处指的模拟表，电子式万用表红表笔与电池正极相连，模拟表红表笔与电池负极相连)
检查触发能力。
如图2(a)所示，首先将表ⅰ的黑表笔接a极，红表笔接k极，电阻为无穷大；然后用黑表笔尖也同时接触g极，加上正向触发信号，表针向右偏转到低阻值即表明gto已经导通；最后脱开g极，只要gto维持通态，就说明被测管具有触发能力。
检查关断能力。
现采用双表法检查gto的关断能力，如图2(b)所示，表ⅰ的档位及接法保持不变。将表ⅱ拨于r×10档，红表笔接g极，黑表笔接k极，施以负向触发信号，如果表ⅰ的指针向左摆到无穷大位置，证明gto具有关断能力。
估测关断增益βoff
进行到第3步时，先不接入表ⅱ，记下在gto导通时表ⅰ的正向偏转格数n1;再接上表ⅱ强迫gto关断，记下表ⅱ的正向偏转格数n2。最后根据读取电流法按下式估算关断增益：
βoff=iatm/igm≈iat/ig=k1n1/ k2n2
式中k1—表ⅰ在r×1档的电流比例系数；
k2—表ⅱ在r×10档的电流比例系数。
βoff≈10×n1/ n2
此式的优点是，不需要具体计算iat、ig之值，只要读出二者所对应的表针正向偏转格数，即可迅速估测关断增益值。
注意事项：(1)在检查大功率gto器件时，建议在r×1档外边串联一节1.5v电池e′，以提高测试电压和测试电流，使gto可靠地导通。
(2)要准确测量gto的关断增益βoff，必须有专用测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同，测量结果仅供参考，或作为相对比较的依据。
逆导晶闸管。
简介。rct(reverse-conducting thyristir)亦称反向导通晶闸管，是一种对负阳极电压没有开关作用，反向时能通过大电流的晶闸管。
逆导晶闸管点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构，使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如，逆导晶闸管的关断时间仅几微秒，工作频率达几十千赫，优于快速晶闸管(fscr)。
该器件适用于开关电源、ups不间断电源中，一只rct即可代替晶闸管和续流二极管各一只，不仅使用方便，而且能简化电路设计。
逆导晶闸管的符号、等效电路如图1(a)、(b)所示。其伏安特性见图2。由图显见，逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性，正向特性与普通晶闸管scr相同，而反向特性与硅整流管的正向特性相同(仅坐标位置不同)。
逆导晶闸管的典型产品有美国无线电公司(rca)生产的s3900mf，其外形见图1(c)。它采用to-220封装，三个引出端分别是门极g、阳极a、阴极k。s3900mf的主要参数如下：
断态重复峰值电压vdrm：>750v
通态平均电流it(**)：5a
最大通态电压vt：3v(it=30a)
最大反向导通电压vtr：<0.8v
最大门极触发电压vgt:4v
最大门极触发电流igt:40ma
关断时间toff:2.4μs
通态电压临界上升率du/dt:120v/μs
通态浪涌电流itsm:80a
检查。利用万用表和兆欧表可以检查逆导晶闸管的好坏。测试内容主要分。
逆导晶闸管三项：
1.检查逆导性。
选择万用表r×1档，黑表笔接k极，红表笔接a极(参见图3(a))，电阻值应为5～10ω。若阻值为零，证明内部二极管短路；电阻为无穷大，说明二极管开路。
2.测量正向直流转折电压v(bo)
按照(b)图接好电路，再按额定转速摇兆欧表，使rct正向击穿，由直流电压表上读出v(bo)值。
3.检查触发能力。
实例：使用500型万用表和zc25-3型兆欧表测量一只s3900mf型逆导晶闸管。依次选择r×1k、r×100、r×10和r×1档测量a-k极间反向电阻，同时用读取电压法求出出内部二极管的反向导通电压vtr(实际是二极管正向电压vf)。
再用兆欧表和万用表500vdc档测得v(bo)值。全部数据整理成表1。由此证明被测rct质量良好。
注意事项。(1)s3900mf的vtr<0.8v，宜选r×1档测量。
(2)若再用读取电流法求出itr值，还可以绘制反向伏安特性。
晶闸管工作原理
1 晶闸管 scr 晶体闸流管简称晶闸管，也称为可控硅整流元件 scr 是由三个pn结构成的一种大功率半导体器件。在性能上，晶闸管不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件更为可贵的可控性，它只有导通和关断两种状态。晶闸管的优点很多，例如 以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍 反应极快，在微...
晶闸管工作原理
什么是晶闸管？晶闸管工作条件为 加正向电压且门极有触发电流 它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为 v vt 表示 旧标准中用字母 scr 表示 晶闸管 thyristor 是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅 它有三个极 阳极，阴极和门极 晶闸管具有硅整流器件...
晶闸管的结构与工作原理
一 晶闸管简介。晶闸管 thyristor 又称晶体闸流管，可控硅整流器 silicon controlled rectifier scr 1956年美国贝尔实验室 bell lab 发明了晶闸管。1957年美国通用电气公司 ge 开发出第一只晶闸管产品。1958年商业化，开辟了电力电子技术迅速发展...