2023年《模拟电子技术基础（1）》期末试题〔a〕
一、填空题（15分）
1．由pn结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性性。
2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 vbe > 0 vbc<0
3．从信号的传输途径看，集成运放由
这几个部分组成。
4．某放大器的下限角频率，上限角频率，则带宽为hz。
5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其静态电阻小，交流电阻大。
的特点以获得较高增益。
6．在rc桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大。
倍数要略大于才能起振。
7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的。
输出状态发生次跃变，迟滞比较器的输出状态发生次跃变。
8．直流稳压电源的主要组成部分是。
二、单项选择题（15分）
1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将。
a 增大b 减小c 不变 d 等于零。
2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的。
a 非饱和区 b 饱和区 c 截止区 d 击穿区。
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是。
a 电阻阻值有误差b 晶体管参数的分散性
c 晶体管参数受温度影响d 受输入信号变化的影响。
4．差动放大电路的主要特点是。
a 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；b 既放大差模信号，又放大共模信号。
c有效放大共模信号，有力抑制差模信号；d 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
5．互补输出级采用射极输出方式是为了使。
a 电压放大倍数高b 输出电流小。
c 输出电阻增大d 带负载能力强。
6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
a 可获得较高增益b 可使温漂变小。
c 在集成工艺中难于制造大电容 d 可以增大输入电阻。
7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是。
a 耦合电容和旁路电容的影响 b 晶体管极间电容和分布电容的影响。
c 晶体管的非线性特性d 放大电路的静态工作点设置不合适。
8．当信号频率等于放大电路的和时，放大倍数的数值将下降到中频时的。
a 0.5倍 b 0.7倍 c 0.9倍 d 1.2倍。
9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后则说明引入的是负反馈。
a输入电阻增大 b输出量增大 c 净输入量增大 d净输入量减小。
10．带通滤波器所对应的幅频特性为。
ab、cd、
三、判断以下电路能否放大交流信号，若不能，请改正其中的错误使其能起放大作用。（12分）
a） （b）
（c）四、请判断下列电路中的反馈的类型，并说明哪些元件起反馈作用。（8分）
ab）五、综合题（50分）
1． （6分）稳压管稳压电路如图所示。已知稳压管稳压值为vz=6v，稳定电流范围为iz=5～20ma，额定功率为200mw，限流电阻r=500。试求：
1） 当 2） 当。
2、（14分）单级放大电路如图：在输入信号的中频段c1、c2、c3对交流短路， 已知：vcc=12v、r1=150kω 、r2=150kω、rc=5.
1kω、re=2kω、rl=10kω、β100、c1=c2=c3=10μf、cμ=5pf(即cbc) 、ft=100mhz、vbe=0.7v 、 rbb’=200ω，试求：
1）放大电路的q点参数；
2）画出交流小信号等效电路，求的值；
3）求电路上限频率；
（4）若c2断开，将对q点，
产生何种影响？
3、 （10分）ocl功率放大电路如图，其中a为理想运放。
已知，rl=8ω。
1）求电路最大输出功率。
（2）求电路电压放大倍数 =？
（3）简述d1 、d2的作用。
4、 （10分）判断如图电路中a1、a2各是什么单元电路，简述整个电路的工作原理，并定性地作出vo1，vo2处的波形。dz1，dz2的稳压值均为vz （注：各运放为理想运放，已加电）.
5、（10分）如图所示电路中，开关s可以任意闭合、断开，集成运放是理想的，设t1t2工作在放大区(忽略其直流偏置)，rc1=rc2=2kω，r1=2kω，r3=10kω，rb1=rb2=2kω，re=5.1kω，rf=10kω，β1=β2=100，rbe1=rbe2=1kω
试求：⑴ 当s断开时，电路的增益**=vo/vi=？
当s闭合时，电路在深度负反馈条件下的闭环增益**f=？
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